TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA: CVD, MOCVD, LPE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD EPITAKSJA METODĄ CHEMICZNEGO OSADZANIA Z PAR CVD - Chemical Vapor Deposition

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD OSADZANIE KRZEMOWYCH WARSTW EPITAKSJALNYCH SiCl 4 SiHCl 3 SiH 2 CL 2 SiH 4 REDUKCJA WODOREMTERMICZNY ROZKŁAD Si

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD REDUKCJA HALOGENKÓW WODOREM REAKCJA CHEMICZNA ZAKRES TEMPERATURSZYBKOŚCI NAROSTU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD REDUKCJA HALOGENKÓW WODOREM REAKCJA CHEMICZNA ZAKRES TEMPERATURSZYBKOŚCI NAROSTU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD TERMICZNY ROZKŁAD REAKCJA CHEMICZNA ZAKRES TEMPERATURSZYBKOŚCI NAROSTU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD TERMICZNY ROZKŁAD REAKCJA CHEMICZNA ZAKRES TEMPERATURSZYBKOŚCI NAROSTU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD APARATURA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTORY PIONOWY Z GRZANIEM INDUKCYJ- NYM POZIOMY Z GRZANIEM RADIACYJ- NYM BARYŁKO- WY Z GRZANIEM RADIACYJ- NYM

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR PIONOWY Z GRZANIEM INDUKCYJNYM BUDOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR PIONOWY Z GRZANIEM INDUKCYJNYM WODA PODSTAWA REAKTORA KLOSZ KWARCOWY ZWOJNICA INDUKCYJNA GRZEJNIK GRAFITOWY GAZ PODŁOŻA KRZEMOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD REAKTOR PIONOWY Z GRZANIEM INDUKCYJNYM DZIAŁANIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Załadowanie podłoży krzemowych WODA GAZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Płukanie komory reakcyjnej azotem (N 2 ) WODA GAZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Ogrzewanie podłoży – prądy wirowe w grzejniku WODA GAZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Ogrzewanie podłoży – prądy wirowe w grzejniku WODA GAZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Wytworzenie odpowiedniej atmosfery gazowej WODA GAZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Narost warstwy epitaksjalnej WODA GAZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Studzenie podłoży – usunięcie gazów reakcyjnych WODA GAZ AZOT, ARGON

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Otwarcie komory wyjęcie płytek WODA GAZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR POZIOMY Z GRZANIEM RADIACYJNYM BUDOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA KOMORA KWARCOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA CHŁODNICA GAZÓW POREAKCYJNYCH KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY WLOT WODY WYLOT GAZU WLOT GAZU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA CHŁODNICA GAZÓW POREAKCYJNYCH KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY WLOT WODY WYLOT GAZU WLOT GAZU GRZEJNIK GRAFITOWY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA CHŁODNICA GAZÓW POREAKCYJNYCH KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY WLOT WODY WYLOT GAZU WLOT GAZU TERMOPARA GRZEJNIK GRAFITOWY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA CHŁODNICA GAZÓW POREAKCYJNYCH KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY WLOT WODY WYLOT GAZU WLOT GAZU TERMOPARA GRZEJNIK GRAFITOWY LAMPY PROMIENNIKOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD REAKTOR POZIOMY Z GRZANIEM RADIACYJNYM DZIAŁANIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Płukanie komory roboczej azotem (N 2 )

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Załadowanie krzemowych płytek podłożowych

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Wygrzewanie podłoży w atmosferze ochronnej

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 1150°C Wygrzewanie podłoży w atmosferze ochronnej

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 1150°C Podanie gazów reakcyjnych do komory roboczej SiH 2 CL 2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 1150°C Osadzanie warstwy epitaksjalnej SiH 2 CL 2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Studzenie, płukanie komory roboczej azotem (N 2 )

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Wyjęcie podłoży (Si) z osadzoną warstwą EPI

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR BARYŁKOWY Z GRZANIEM RADIACYJNYM BUDOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA KLOSZ KWARCOWY OBUDOWA REAKTORA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA GRZEJNIK GRAFITOWY MIEJSCE MOCOWANIA PODŁOŻY KRZEMOWYCH

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA GRZEJNIK GRAFITOWY MIEJSCE MOCOWANIA PODŁOŻY KRZEMOWYCH LAMPY PROMIEN- NIKOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA WYLOT GAZU WLOT GAZU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR BARYŁKOWY Z GRZANIEM RADIACYJNYM DZIAŁANIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Płukanie komory azotem N2N2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Wygrzewanie podłoży N2N2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Wygrzewanie podłoży N2N2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Podanie gazów reakcyjnych Ruch obrotowy grzejnika SiH 2 Cl 2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Wytworzenie atmosfery gazowej SiH 2 Cl 2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Osadzanie warstw epitaksjalnych SiH 2 Cl 2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Chłodzenie podłoży, płukanie azotem N2N2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Wyjmowanie podłoży

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW „Wytworzenie atmosfery gazowej” N2N2 PODŁOŻE KRZEMOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW „Wytworzenie atmosfery gazowej” SiHCl 2 +H 2 PODŁOŻE KRZEMOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW – EPITAKSJA CVD Gaz Przezna- czenie Zastosowanie N2N2 gaz nośnyprzedmuch H2H2 gaz nośnyrozpuszczanie HCl trawienieczyszczenie GAZY I ICH PRZEZNACZENIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW – EPITAKSJA CVD Gaz Przezna- czenie Zastosowanie SiCl 4 źródło Siźródło ciekłe SiH 4 źródło Siźródło gazow. SiHCl 3 źródło Siźródło gazow. GAZY I ICH PRZEZNACZENIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW – EPITAKSJA CVD Gaz Przezna- czenie Zastosowanie B2H6B2H6 domieszkaźródło gazow. PH 3 domieszkaźródło gazow. AsH 3 domieszkaźródło gazow. GAZY I ICH PRZEZNACZENIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW SiCl 4 SiH 4 PH 3 N 2, H 2 HClH2H2 B2H6B2H6 AsH 3 KOMORA REAKCYJNA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW SiCl 4 SiH 4 PH 3 N 2, H 2 HClH2H2 B2H6B2H6 AsH 3 KOMORA REAKCYJNA MIESZALNIK ZAWORY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW SATURATOR – „BĄBELKOWY” z o TERMOSTAT Możliwość stabilizacji temperatury na ściśle określonym poziomie CIEKŁE ŹRÓDŁO SiCl 4

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW SATURATOR – „BĄBELKOWY” z o TERMOSTAT Możliwość stabilizacji temperatury na ściśle określonym poziomie H2H2 SiCl 4 SiCl 4 +H 2 CIEKŁE ŹRÓDŁO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Strumień SiH 2 Cl 2 rozcieńczony w wodorze H 2 Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001 PODŁOŻE CZĄSTECZKA WODORU (H 2 )

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 1. Faza dekompozycji gazu Si Cl SiH 2 Cl 2 Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford PODŁOŻE CZĄSTECZKA WODORU (H 2 )

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 2. Transport gazu do powierzchni podłoża Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 3. Absorbcja na powierzchni podłoża Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 4. Dyfuzja na powierzchni podłoża Si Cl Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 5. Dekompozycja związku – uwalnianie atomów krzemu Si Cl Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001 Si Cl 3 4 5

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 6. Ostateczne formowanie narost warstwy epitaksjalnej Si Cl Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001 Si Cl

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Formowanie się krzemowej warstwy epitaksjalnej Si CENTRA KRYSTALIZACJI

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Formowanie się krzemowej warstwy epitaksjalnej Si CENTRA KRYSTALIZACJI

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( OSADZANIE – TRAWIENIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Formowanie się krzemowej warstwy epitaksjalnej

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Zależność szybkości osadzania epitaksjalnej warstwy krzemu od zawartości molowej SiCl 4 SZYBKOŚĆ OSADZANIA KRZEMU [µm/min] ZAWARTOŚĆ MOLOWA SiCl 4 w H 2 TEMPERATURA OSADZANIA T=1270°C

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Zależność szybkości osadzania epitaksjalnej warstwy krzemu od zawartości molowej SiCl 4 SZYBKOŚĆ OSADZANIA KRZEMU [µm/min] ZAWARTOŚĆ MOLOWA SiCl 4 w H 2 TEMPERATURA OSADZANIA T=1270°C WZROST MONOKRYSTALICZNY WZROST POLI- KRYSTALICZNY TRAWIENIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Za proces trawienia odpowiedzialna jest zbyt duża zawartość gazowego HCl w atmosferze komory reakcyjnej

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW SiGe BUDOWA APARATURY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU GRZEJNIK – GRZANIE INDUKCYJNE PODŁOŻE DOZOWNIK GAZÓW KOMORA ROBOCZA Schemat instalacji do osadzania warstw SiGe Do układu pompowego

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( OSADZANIE WARSTW SiGe

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU SiH 4 GeH 4 B2H4B2H4 PH 3 Rozgrzewanie podłoża – grzanie indukcyjne T=(550÷850)°C

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU SiH 4 GeH 4 Osadzanie warstwy krzemogermanu Dozowanie reagentów Si Ge SiGe SiH 4 GeH 4

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU Osadzanie warstwy krzemogermanu Si Ge Si Ge Si Ge Si Ge T=(550÷850)°C

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Osadzanie warstwy krzemogermanu - reakcje

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU SiH 4 GeH 4 B2H6B2H6 Osadzanie warstwy krzemogermanu typu p SiGe Si Ge B Dozowanie reagentów Si Ge SiH 4 GeH 4 B2H6B2H6 BB BB

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU Osadzanie warstwy krzemogermanu T=(550÷850)°C Si Ge Si Ge Si Ge Si Ge Si Ge Si Ge B B BB

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Osadzanie warstwy krzemogermanu typu p - reakcje

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU SiH 4 GeH 4 PH 3 Osadzanie warstwy krzemogermanu typu n GeSi Ge P P SiGe SiH 4 GeH 4 PH 3 P Dozowanie reagentów

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU Osadzanie warstwy krzemogermanu T=(550÷850)°C Si Ge Si Ge Si GeSi Ge P P P Si

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Osadzanie warstwy krzemogermanu typu p - reakcje

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( HOMO –HETERO- EPITAKSJA STRUKTURA WARSTW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW W przypadku osadzania cienkich warstw epitaksjalnych na wybranych typach podłoży istotnym problemem może być niedopasowanie stałych sieciowych podłoża i formowanej warstwy

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA Formowanie struktury BEZ NAPRĘŻEŃ (COMMENSURATE)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HOMOEPITAKSJA Zgodność stałych sieciowych materiału podłoża i osadzanej warstwy – brak deformacji i naprężeń

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HOMOEPITAKSJA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HOMOEPITAKSJA PODŁOŻE d1d1 d1d1 d1d1

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA Formowanie struktury „NAPRĘŻONEJ” (INCOMMENSURATE)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA d1d1 d1d1 d2d2 d2d2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA PODŁOŻE WARSTWA EPI NAPRĘŻENIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA Formowanie struktury „PSEUDOMORFICZNEJ”

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA d2d2 d1d1 d1d1

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA ZE ZWIĄZKÓW METALOORGANICZNYCH MetaloOrganic CVD - MOCVD

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Jest to metoda wytwarzania cienkich warstw związków półprzewodnikowych: GaAs, AlGaAs, GaN przy wykorzystaniu związków metaloorganicznych

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Epitaksja MOCVD umożliwia kolejne „hodowanie” cienkich warstw materiałów półprzewodnikowych o żądanych parametrach n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA ŹRÓDŁO GALU ŹRÓDŁO ARSENU ŹRÓDŁO CYNKU (DOM.TYP P) ŹRÓDŁO ALUMINIUM ŹRÓDŁO SELENU (TYP N)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Związek „metaloorganiczny” - trimetyl galu WODÓR WĘGIEL GAL Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Związek „metaloorganiczny” - tetrabutylan arsenu WODÓR WĘGIEL ARSEN Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Związek „metaloorganiczny” - trietyl galu WODÓR WĘGIEL GAL Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD APARATURA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW WYLOT DEZn AsH 3 +H 2 TMGa TMAl MFC N2N2 H 2 Se+H 2 PRÓŻNIA KOMORA REAKCYJNA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW Masowy Regulator Przepływu (Mass Flow Controler – MFC) Zapewnia możliwość bardzo precyzyjnej regulacji szybkości przepływu gazu

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ Liquid Phase Epitaxy - LPE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Epitaksja z fazy ciekłej (Liquid Phase Epitaxy – LPE) jest metodą wytwarzania materiałów półprzewodnikowych wykorzystywanych do budowy diod elektroluminescencyjnych i laserów. Metoda ta pozwala na otrzymanie materiałów o „dobrej jakości optycznej”

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Idea epitaksji z fazy ciekłej PŁYTKA ŹRÓDŁOWA Nasycanie roztworu – odbywa się poprzez kontakt roztworu z płytką „źródłową” Faza I

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Idea epitaksji z fazy ciekłej Osadzanie warstwy – odbywa się poprzez wytrącanie materiału z roztworu Faza II

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Idea epitaksji z fazy ciekłej Osadzanie warstwy – odbywa się poprzez wytrącanie materiału z roztworu Faza II PŁYTKA PODŁOŻOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE APARATURA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs 4 ROZTWÓR: Ga, As, Al, Zn 3 ROZTWÓR: Ga, As 5 ROZTWÓR: Ga, As, Al, Zn 2 ROZTWÓR: Ga, As, AL, Se 1 ROZTWÓR: Ga, As, Se Wytworzenie struktury wymaga „wyhodowania” pięciu warstw o zmiennym składzie

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE WIELOKOMOROWA KASETA WARIANT I

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – budowa ŹRÓDŁO GaAs nasycanie roztworów ROZTWORY PODŁOŻE GaAs osadzanie warstw EPI

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 1 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 2 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 1

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 3 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 4 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 3

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 5 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 4

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 4

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie GOTOWA STRUKTURA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE WIELOKOMOROWA KASETA WARIANT II

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – budowa ŹRÓDŁO GaAs nasycanie roztworów ROZTWORY PODŁOŻE GaAs osadzanie warstw EPI PRZEKŁADKA OBCIĄŻNIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie 12345

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 1

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 2

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 3

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 4

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 5

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie GOTOWA STRUKTURA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Idea epitaksji z fazy ciekłej PŁYTKA PODŁOŻOWA Osadzanie warstwy – odbywa się poprzez wytrącanie materiału z roztworu Faza II