Cwiczenie Stworzyć komórkę o podanej chakterystyce. Utworzyć opis prądu IT za pomocą języka NMODL Dodać prąd IT oraz układ doświadczalny (IClamp (del = 500, dur = 500, amp = -0.05)). Stworzyć plik init.hoc wywołujący cały model. Zaobserwować zachowanie pradu IT oraz napiecia V.
Cwiczenie Chakterystyka komórki: soma { nseg = 1 diam = 18.8 L = 18.8 Ra = 123.0 insert hh ena = 71.5 ek = -89.1 gnabar_hh=0.25 gl_hh = .0001666 el_hh = -60.0 insert CaT eca = 126.1 } W powyższym opisie, wartosci ena, ek, eca zostaly zmodyfikowane wzgledem domyslnych wartosci w NEURONIE, tak aby odpowiadały komórce ssaka (Johnston & Wu, 1999). Opis prądu IT wg. : http://web.mit.edu/neuron_v7.4/nrntuthtml/tutorial/tutD.html
Wyniki symulacji Bez prądu INa Z prądem INa