Czujniki do pomiaru ciśnień Mierzy się:a) nadciśnienie b) ciśn. absolutne c) różnicę ciśnień Metoda pomiaru : Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego ciśnieniomierza Elementy sprężystea) membrany, b) puszki, c) mieszki, d) rurki

Elementy odkształcalne rurkowe JednorodnaBourdona Z wewnętrznym trzpieniemAsymetryczna

Elementy odkształcane -puszkowe pojedynczewielokrotne

Elementy odkształcalne mieszkowe

Elementy odkształcane - membrany cienka falistagruba

Indukcyjnościowe czujniki ciśnień

Tensometryczny czujnik ciśnienia - z mechanicznym elementem przeniesienia siły p

Tensometryczny czujnik ciśnień rurowy p

p Tensometryczne czujniki ciśnień z membraną

właściwości: od 10 kPa do 50 MPa zakres: 60 do 130 kHz częstotl.własna: 0,3%nieliniowość: 0,3%histereza: 175%przeciążalność:membrana: 5 do 30 mm 5 do 30 mm Tensometryczny czujnik ciśnień 2 mV/V Efektywnośćprzetwarzaniasygnału:

Pojemnościowe czujniki ciśnień Okł. ruchoma Obudowa Okł.nieruchoma Z przewarzaniem na częstotliwość

Pojemnościowy różnicowy czujnik ciśnień p1p1p1p1 p2p2p2p2 C1C1C1C1 C2C2C2C2 Membranyseparujące Wypełnienieolejowe

zakres: 0,2 do 42 MPa Pojemność pomiędzy okładkami : 10 pF Zmiana pojemności: 1 pF parametry: Pojemnościowe czujniki ciśnień Pojemnościowe różnicowe czujniki ciśnień parametry: od 70 do 350 kPa zakresy: 2,5 V 2,5 V wyjście: 0,1%nieliniowość: 0,1%histereza: 0,03%powtarzalność: wypełnienie:olej

Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber absolutnywzględny

Różnicowy, medium doprowadzone dwystronnie Względny, medium doprowadzone jednostronnie Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber

MIKROMECHANIKA KRZEMOWA

WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KRZEMU MODUŁ YOUNGA WYTRZYMAŁOŚĆ SZKŁO N/m ALUMINIUM 7 10 N/m 0,17 10 N/m ŻELAZO N/m 0,710 N/m STAL 2010 N/m 2,110 N/m KRZEM 1910 N/m 710 N/m 10292

WŁASNOŚCI MECHANICZNE KRZEMU Twardość w skali Mohsa 1. Talk - bardzo miękki minerał, można go łatwo zarysować ludzkim paznokciem 2. Gips - można go zarysować paznokciem aczkolwiek z trudem 3. Kalcyt - można go zarysować monetą 4. Fluoryt - można go łatwo zarysować ostrzem noża 5. Apatyt - można go z trudem zarysować ostrzem stalowym, zaś nim samym można z trudnością zarysować szkło 6. Ortoklaz - można nim łatwo zarysować szkło 7. Kwarc (tlenek krzemu) - można nim łatwo zarysować szkło i stal 8. Topaz - można nim łatwo zarysować kwarc 9. Korund - można nim łatwo zarysować kwarc oraz topaz 10. Diament - najtwardsza substancja spośród występujących w przyrodzie

PŁASZCZYZNY KRYSTALOGRAFICZNE x z y (100) x z y (111) x z y (110)

WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE Si SiO 2

WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ II etap FOTOLITOGRAFIA SiO 2 Maska Fotoresist Si

WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ III etap FOTOLITOGRAFIA SiO 2 Maska Fotoresist Si

IV etap TRAWIENIE KRZEMU WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ Si

ROZTWORY TRAWIĄCE 100 C 2 NH (CH )NH 22 H O 2 C H (OH) Si Szybkość trawienia dla : 0.05 m/min dla : 2 m/min

PROFILE TRAWIONEJ POWIERZCHNI (100) [110] [100]

ANIZOTROPOWE TRAWIENIE KRZEMU 1) 54.7 Si SiO 2 (rezyst)

WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE Si SiO 2

WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ II etap DOMIESZKOWANIE BOREM Si BOR SiO 2

III etap UTLENIANIE I FOTOLITOGRAFIA WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ Si warstwa p + SiO 2

IV etap TRAWIENIE KRZEMU WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ Si

WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ V etap TRAWIENIE SiO I UTLENIANIE 2 Si SiO 2

Czujniki piezorezystywne ciśnienia oparte są na pomiarze naprężeń proporcjonalnych do różnicy ciśnień występujących po obu stronach membrany. Naprężenia mierzone są przy pomocy piezorezystorów (rezystorów dyfuzyjnych wykonanych w membranie). Efekt piezorezystywny jest silnie anizotropowy i mocno zależy od orientacji krystalograficznej.

Si warstwa p + FOSFOR WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA SiO 2

Si warstwa p + SiO 2 REZYSTOR WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA

STRUKTURA CZUJNIKA UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW 1 mm REZYSTOR

UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW R 1 R 3 R 2 R 4 U Z

PODŁOŻE SZKLANE Si CIŚNIENIE NIŻSZE Si CIŚNIENIE WYŻSZE

Si ZINTEGROWANY CZUJNIK CIŚNIENIA PODŁOŻE SZKLANE STRUKTURA TRANZYSTORA BIPOLARNEGO K E B STRUKTURA CZUJNIKA

POJEMNOŚCIOWY CZUJNIK CIŚNIENIA Si PODŁOŻE SZKLANE ELEKTRODY MEMBRANA

POJEMNOŚCIOWY CZUJNIK DOTYKOWY PODŁOŻE SZKLANE MEMBRANA ELEKTRODY Si A A

WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE Si SiO 2

II etap DOMIESZKOWANIE BOREM WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ Si BOR

III etap UTLENIANIE I FOTOLITOGRAFIA warstwa p + WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ Si

IV etap TRAWIENIE KRZEMU WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ Si

V etap TRAWIENIE SiO I UTLENIANIE 2 WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ Si SiO 2

WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA Si FOSFOR

WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA Si SiO 2 REZYSTOR

Si A A PIEZOREZYSTANCYJNY CZUJNIK DOTYKOWY PIEZOREZYSTOR

MASOWY CZUJNIK PRZYSPIESZEŃ PODŁOŻE SZKLANE BELKA Si MASA Złoty kontakt

Mikromechanika powierzchniowa, zasada procesu

Nowe możliwości softwerowe Wyświetlacze typu LCD, sygnały ostrzegawecze kompatybilne ze standardem NAMUR i możliwość nastawienia granic przekroczenia zakresu. Obudowa elektroniki Kompatybilna ze standardem Fieldbus, pozostawia dużo miejsca na przewody Moduł z czujnikiem Spawana metalowa obudowa Płytka z elektroniką Ma obudowaną konstrukcję typu plug-in i ulepszone zamocowanie Przetwornik ciśnienia 3051 Przyłącze procesowe Listwa zaciskowa Zawiera trzy zaciski w zwartej konstrukcji typu plug-in Przyciski do nastawienia zera i zakresu Bardzo prosta obsługa