Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego ciśnieniomierza

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
Przetworniki pomiarowe
Advertisements

Instytut Metrologii i Automatyki Elektrotechnicznej
1. Przetworniki parametryczne, urządzenia w których
NOWOŚĆ !!! Czujnik FT 50 RLA-70/220.
Autor: Dawid Kwiatkowski
Podstawy teorii przewodnictwa
Sonochemia Dźwięk ULTRADŹWIĘKI 1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów
Meteorologia doświadczalna Wykład 4 Pomiary ciśnienia atmosferycznego
Temat: Fotorezystor Fotodioda Transoptor.
Materiały przewodowe, oporowe i stykowe
1. Materiały galwanomagnetyczne hallotron gaussotron
Budowa i właściwości ciał stałych
GEOLOGIA CZYLI NAUKA O ZIEMI.
Szkła i ich formowanie Nazwa wydziału: WIMiIP Kierunek studiów: Informatyka Stosowana Piotr Balicki AGH 24.II.2009.
STATYKA PŁYNÓW 1. Siły działające w płynach Siły działające w płynach
Pomiary temperatury.
TENSOMETRIA.
Elektronika z technikami pomiarowymi
Procedura pomiarowa X M M* N Z V Rozdzielczość Mezurand M Selektywność
Elektronika z technikami pomiarowymi
Centrum Systemów Teleinformatycznych i Aplikacji Sprzętowych
Czujniki do pomiaru ciśnień Mierzy się:a) nadciśnienie b) ciśn. absolutne c) różnicę ciśnień Metoda pomiaru : Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego.
POMIARY STRUMIENI OBJĘTOŚCI I STRUMIENI MASY
Przetworniki ciśnienia. Elementy odkształcalne rurkowe JednorodnaBourdona Z wewnętrznym trzpieniemAsymetryczna.
Menu Koniec Czym jest węgiel ? Węgiel część naszego ciała
7. Generatory LC 7.1. Wstęp Generator Wzmacniacz YL YG Zasilanie IG
2010 nanoświat nanonauka Prowadzimy badania grafenu
Autor: Tomasz Ksiądzyk
układy i metody Pomiaru temperatury i ciśnienia
układy i metody pomiaru siły, naprężeń oraz momentu obrotowego.
Tranzystory z izolowaną bramką
Krzysztof Górecki Katedra Elektroniki Morskiej Akademia Morska w Gdyni
Prof. dr hab. M.Szafran SPIEKANIE.
Część 2 – weryfikacja pomiarowa
Elementy składowe komputera
Mechanika Materiałów Laminaty
Przygotowanie podłoża
Warszawa, 26 października 2007
Dr h.c. prof. dr inż. Leszek A. Dobrzański
WPŁYW SPOSOBÓW MIELENIA NA WŁAŚCIWOŚCI WYKORZYSTYWANYCH Z NICH WYROBÓW METHODS INFLUENCING THE GRINDING PROPERTIES OF THE PRODUCTS Dr Inż. Dorota Czarnecka-Komorowska.
3. Parametry powietrza – ciśnienie.
E.I.C E MERGENCY I NDEPENDENT C HARGING.  Praktycznie w każdych warunkach przy użyciu kubka z ciepłym napojem możemy naładować swoje urządzenie mobilne!
Elektroniczna aparatura medyczna cz. 10
Seminarium 2 Elementy biomechaniki i termodynamiki
3. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone c.d.
Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytwarzanie tranzystora NMOS.
Mostek Wheatstone’a, Maxwella, Sauty’ego-Wiena
Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Proces ze studnią typu n.
Budowa głośnika.
PODSTAWY MINERALURGII
Tensometria elektrooporowa i światłowodowa Politechnika Rzeszowska Katedra Samolotów i Silników Lotniczych Ćwiczenia Laboratoryjne z Wytrzymałości Materiałów.
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (
Wybrane zagadnienia generatorów sinusoidalnych (generatorów częstotliwości)
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (
Z poprzednich lekcji Sprawdź, czy zapamiętałeś: Jakie stany skupienia występują w przyrodzie? Jakie są dowody ziarnistej (atomowej/cząsteczkowej) budowy.
INŻYNIERIA MATERIAŁÓW O SPECJALNYCH WŁASNOŚCIACH Przyrost temperatury podczas odkształcenia.
Synteza spaleniowa jako metoda otrzymywania nanomateriałów Autor: Piotr Toka Opiekun: dr Agnieszka Dąbrowska Uniwersytet Warszawski Wydział Chemii Pracownia.
Próba ściskania metali
Minerały, cd..
Sterowane ramię robota
Cypress CapSense na układach PSoC5LP
DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
TRAWIENIE KRZEMU TEKSTURYZACJA
WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU
Własności materiałów (1) Skala twardości Mohsa
Czujniki mikromechaniczne
Głośniki UTK. Głośnik dynamiczny Membrana Im niższe częstotliwości, tym lepiej służy im duża sztywność membrany, odpowiedzialna za dynamikę, a mniej.
Przykładowe rozwiązania współczesnych sensorów
Zapis prezentacji:

Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego ciśnieniomierza Czujniki do pomiaru ciśnień Metoda pomiaru : Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego ciśnieniomierza Mierzy się: a) nadciśnienie b) ciśn. absolutne c) różnicę ciśnień Elementy sprężyste a) membrany, b) puszki, c) mieszki, d) rurki

Elementy odkształcalne rurkowe Jednorodna Z wewnętrznym trzpieniem Asymetryczna Bourdona

Elementy odkształcane -puszkowe pojedyncze wielokrotne

Elementy odkształcalne mieszkowe

Elementy odkształcane - membrany cienka gruba falista

Indukcyjnościoweczujniki ciśnień

Tensometryczny czujnik ciśnienia - z mechanicznym elementem przeniesienia siły

Tensometryczny czujnik ciśnień rurowy p

Tensometryczne czujniki ciśnień z membraną p

Tensometryczny czujnik ciśnień membrana:  5 do 30 mm właściwości: od 10 kPa do 50 MPa zakres: 60 do 130 kHz częstotl.własna: 0,3% nieliniowość: 0,3% histereza: 175% przeciążalność: 2 mV/V Efektywność przetwarzania sygnału:

Pojemnościowe czujniki ciśnień Z przewarzaniem na częstotliwość Okł.nieruchoma Okł. ruchoma Obudowa

Pojemnościowy różnicowy czujnik ciśnień Membrany separujące p1 p2 Wypełnienie olejowe C1 C2

Pojemnościowe czujniki ciśnień zakres: 0,2 do 42 MPa Pojemność pomiędzy okładkami : 10 pF Zmiana pojemności: 1 pF parametry: Pojemnościowe różnicowe czujniki ciśnień wypełnienie: olej parametry: od 70 do 350 kPa zakresy: 2,5 V wyjście: 0,1% nieliniowość: histereza: 0,03% powtarzalność:

MIKROMECHANIKA KRZEMOWA

WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE MODUŁ YOUNGA WYTRZYMAŁOŚĆ KRZEMU MODUŁ YOUNGA WYTRZYMAŁOŚĆ SZKŁO 4.9 - 7.8 10 N/m 10 2 . ALUMINIUM 7 • 10 N/m 0,17• 10 N/m 10 2 9 ŻELAZO 10• 10 N/m 0,7•10 N/m 10 2 9 STAL 20•10 N/m 2,1•10 N/m 10 2 9 KRZEM 19•10 N/m 7•10 N/m 10 2 9

WŁASNOŚCI MECHANICZNE KRZEMU Twardość w skali Mohsa 1. Talk - bardzo miękki minerał, można go łatwo zarysować ludzkim paznokciem 2. Gips - można go zarysować paznokciem aczkolwiek z trudem 3. Kalcyt - można go zarysować monetą 4. Fluoryt - można go łatwo zarysować ostrzem noża 5. Apatyt - można go z trudem zarysować ostrzem stalowym, zaś nim samym można z trudnością zarysować szkło 6. Ortoklaz - można nim łatwo zarysować szkło 7. Kwarc (tlenek krzemu) - można nim łatwo zarysować szkło i stal 8. Topaz - można nim łatwo zarysować kwarc 9. Korund - można nim łatwo zarysować kwarc oraz topaz 10. Diament - najtwardsza substancja spośród występujących w przyrodzie

PŁASZCZYZNY KRYSTALOGRAFICZNE x z y (100) x z y x z y (110) (111)

WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE SiO 2 Si

Si SiO Fotoresist Maska WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ II etap FOTOLITOGRAFIA SiO 2 Maska Fotoresist Si

Si SiO Fotoresist Maska WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ III etap FOTOLITOGRAFIA SiO 2 Maska Fotoresist Si

WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ IV etap TRAWIENIE KRZEMU Si

ANIZOTROPOWE TRAWIENIE KRZEMU 1) SiO 2 (rezyst) 54.7 <111> <100> Si

Czujniki piezorezystywne ciśnienia oparte są na pomiarze naprężeń proporcjonalnych do różnicy ciśnień występujących po obu stronach membrany. Naprężenia mierzone są przy pomocy piezorezystorów (rezystorów dyfuzyjnych wykonanych w membranie). Efekt piezorezystywny jest silnie anizotropowy i mocno zależy od orientacji krystalograficznej.

WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA FOSFOR warstwa p + Si SiO 2

WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA SiO 2 warstwa p + REZYSTOR Si

UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW STRUKTURA CZUJNIKA UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW REZYSTOR 1 mm

UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW 1 R 3 U Z R 4 R 2

CIŚNIENIE NIŻSZE Si CIŚNIENIE WYŻSZE Si PODŁOŻE SZKLANE

STRUKTURA TRANZYSTORA ZINTEGROWANY CZUJNIK CIŚNIENIA STRUKTURA TRANZYSTORA BIPOLARNEGO STRUKTURA CZUJNIKA K E B Si PODŁOŻE SZKLANE

POJEMNOŚCIOWY CZUJNIK CIŚNIENIA MEMBRANA Si PODŁOŻE SZKLANE ELEKTRODY

POJEMNOŚCIOWY CZUJNIK DOTYKOWY A A MEMBRANA ELEKTRODY Si PODŁOŻE SZKLANE

WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE SiO 2 Si

WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ II etap DOMIESZKOWANIE BOREM BOR Si

Si WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ III etap UTLENIANIE I FOTOLITOGRAFIA p warstwa p + Si

Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber absolutny względny

Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber Różnicowy, medium doprowadzone dwystronnie Względny, medium doprowadzone jednostronnie

Przetwornik ciśnienia 3051 Przyciski do nastawienia zera i zakresu Bardzo prosta obsługa Płytka z elektroniką Ma obudowaną konstrukcję typu plug-in i ulepszone zamocowanie Obudowa elektroniki Kompatybilna ze standardem Fieldbus, pozostawia dużo miejsca na przewody Nowe możliwości softwerowe Wyświetlacze typu LCD, sygnały ostrzegawecze kompatybilne ze standardem NAMUR i możliwość nastawienia granic przekroczenia zakresu. Listwa zaciskowa Zawiera trzy zaciski w zwartej konstrukcji typu plug-in Moduł z czujnikiem Spawana metalowa obudowa Przyłącze procesowe Przetwornik ciśnienia 3051