Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Elementy Elektroniczne DIODA PÓŁPRZEWODNIKOWA ANODA KATODA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100.

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "Elementy Elektroniczne DIODA PÓŁPRZEWODNIKOWA ANODA KATODA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100."— Zapis prezentacji:

1 Elementy Elektroniczne DIODA PÓŁPRZEWODNIKOWA ANODA KATODA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

2 Elementy Elektroniczne ZŁĄCZE P-N p p – dziury, nośniki większościowe n p – elektrony, nośniki mniejszościowe N A (-) – zjonizowane ujemnie akceptory (nieruchome) półprzewodnik typ p (dominujące przew. dziurowe) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

3 Elementy Elektroniczne ZŁĄCZE P-N n n – elektrony, nośniki większościowe p n – dziury, nośniki mniejszościowe N D (+) – zjonizowane dodatnio donory (nieruchome) półprzewodnik typ n (dominujące przew. elektronowe) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

4 Elementy Elektroniczne ZŁĄCZE P-N np półprzewodnik typ ppółprzewodnik typ n xjxj złącze technologiczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

5 Elementy Elektroniczne ZŁĄCZE P-N Złącze p-n jest formowane w materiałach półprzewodnikowych przy wykorzystaniu specjalnych operacji technologicznych, takich jak: domieszkowanie dyfuzyjne, implantacja jonów, epitaksja. Formowanie złącza p-n jest podstawową operacją przy wytwarzaniu struktur półprzewodnikowych, czy układów scalonych Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

6 Elementy Elektroniczne ZŁĄCZE P-N Złącze skokowe NDND NANA xxjxj N podłoże (Si) typu n Warstwa EPI typu p Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

7 Elementy Elektroniczne ZŁĄCZE P-N Złącze liniowe NDND NANA xxjxj N podłoże (Si) typu n Warstwa dyfuzyjna typu p Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

8 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

9 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N pn xjxj Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

10 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N pn xjxj Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

11 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N pn xjxj Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

12 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N Istnienie gradientu koncentracji nośników jest przyczyną dyfuzji: elektronów z obszaru typu n do obszaru typu p dziur z obszaru typu p do obszaru typu n Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

13 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N dyfuzyjny strumień elektronów (nośniki większościowe) dyfuzyjny strumień dziur (nośniki większościowe) np xjxj Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

14 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N pn +x n xjxj -x p Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

15 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N W wyniku dyfuzyjnego przepływu nośników większościowych obszar w pobliżu złącza zastaje zubożony w nośniki. Przyjmuje się, że obszar pomiędzy współrzędnymi (-x p ) i (+x n ) jest całkowicie pozbawiony nośników W obszarze zubożonym pozostają nieskompensowane ładunki zjonizowanych donorów i akceptorów Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

16 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N xjxj +x n -x p E pn Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

17 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N W konsekwencji w obszarze zubożonym, pomiędzy współrzędnymi (-xp) i (+xn), pojawia się: pole elektryczne o natężeniu E Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

18 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N E pn +x n xjxj -x p Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

19 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N Pojawienie się pola elektrycznego powoduje powstanie prądów unoszenia dziur i elektronów, które dotrą do obszaru zubożonego Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

20 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N unoszeniowy strumień elektronów (nośniki mniejszościowe) unoszeniowy strumień dziur (nośniki mniejszościowe) np xjxj Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

21 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N Enp Obszar zubożony +x n xjxj -x p Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

22 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N Obszar złącza dyfuzja unoszenie np E Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

23 Elementy Elektroniczne USTALANIE SIĘ STANU RÓWNOWAGI W NIESPOLARYZOWANYM ZŁĄCZU P-N Prądy dyfuzji (nośniki większościowe) Prądy unoszenia (nośniki mniejszościowe) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

24 Elementy Elektroniczne MODEL PASMOWY ZŁĄCZA P-N Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

25 Elementy Elektroniczne MODEL PASMOWY ZŁĄCZA P-N WFWF WCWC WVWV WiWi np WFWF WCWC WVWV xx WW W1W1 W2W2 WiWi Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

26 Elementy Elektroniczne MODEL PASMOWY ZŁĄCZA P-N WFWF WCWC WVWV n p WFWF WCWC WVWV x W W1W1 W2W2 W= W 1 + W 2 Obszar złącza bariera energetyczna WiWi WiWi Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

27 Elementy Elektroniczne NAPIĘCIE DYFUZYJNE-BARIERA POTENCJAŁU W złączu pojawia się bariera energetyczna Napięcie dyfuzyjne (bariera potencjału) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

28 Elementy Elektroniczne NAPIĘCIE DYFUZYJNE-BARIERA POTENCJAŁU Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

29 Elementy Elektroniczne NAPIĘCIE DYFUZYJNE-BARIERA POTENCJAŁU Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

30 Elementy Elektroniczne NAPIĘCIE DYFUZYJNE-BARIERA POTENCJAŁU Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

31 Elementy Elektroniczne NAPIĘCIE DYFUZYJNE-BARIERA POTENCJAŁU Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

32 Elementy Elektroniczne NAPIĘCIE DYFUZYJNE-BARIERA POTENCJAŁU Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

33 Elementy Elektroniczne NAPIĘCIE DYFUZYJNE-BARIERA POTENCJAŁU Napięcie dyfuzyjne (bariera potencjału) zależy od: 1.Stopnia domieszkowania poszczególnych obszarów złącza 2.Materiału z którego wykonane jest złącze p-n 3.Temperatury Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

34 Elementy Elektroniczne NAPIĘCIE DYFUZYJNE-BARIERA POTENCJAŁU Materiał Bariera potencjału [V] German (Ge) Krzemogerman (SiGe) Krzem (Si) Fosforek Indu (InP) Arsenek Galu (GaAs) Węglik krzemu (SiC) Azotek galu (GaN) Warstwy diament. (C) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

35 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ OBSZARU ZUBOŻONEGO – SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

36 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ OBSZARU ZUBOŻONEGO – SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA np Obszar złącza 0 -x p +x n xdxd Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

37 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ OBSZARU ZUBOŻONEGO – SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

38 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ OBSZARU ZUBOŻONEGO – SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

39 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ OBSZARU ZUBOŻONEGO – SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA polaryzacja w kierunku przewodzenia (+U) polaryzacja w kierunku zaporowym (-U) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

40 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA – POLARYZACJA W KIERUNKU PRZEWODZENIA Wzrost napięcia polaryzującego (+U) powoduje zmniejszanie się szerokości złącza. Jeżeli wartość napięcia polaryzującego jest równa wartości bariery potencjału, wówczas znika obszar zubożony, czyli : x d = 0 Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

41 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA – POLARYZACJA W KIERUNKU PRZEWODZENIA p p n xd0xd0 n xd1xd1 napięcie polaryzujące Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

42 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA – POLARYZACJA W KIERUNKU PRZEWODZENIA p p n xd0xd0 n xd2=0xd2=0 napięcie polaryzujące Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

43 Elementy Elektroniczne Przy napięciu polaryzującym złącze w kierunku przewodzenia, o wartości równej wartości napięcia dyfuzyjnego w złączu, znika obszar zubożony w nośniki (obszar ładunku przestrzennego). Znika zatem również pole elektryczne, przeciwdziałające dyfuzji nośników większościowych Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

44 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA – POLARYZACJA W KIERUNKU ZAPOROWYM p p n xd0xd0 n xd3xd3 napięcie polaryzujące Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

45 Elementy Elektroniczne Przy napięciu polaryzującym złącze w kierunku zaporowym, obszar zubożony w nośniki (obszar ładunku przestrzennego), poszerza się, co powoduje, że pole elektryczne, istniejące w tym obszarze przeciwdziała dyfuzji nośników większościowych Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

46 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA – ZŁĄCZA NIESYMETRYCZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

47 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA – ZŁĄCZA NIESYMETRYCZNE P+P+P+P+n +x n -x p xjxj xdxd NANANANA NDNDNDND p n+n+n+n+ +x n -x p xjxj xdxd NANANANA NDNDNDND Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

48 Elementy Elektroniczne SZEROKOŚĆ ZŁĄCZA – ZŁĄCZA NIESYMETRYCZNE N – koncentracja domieszki w słabiej domieszkowanej części złącza Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

49 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

50 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N Obszar złącza WFWF WCWC WVWV n p WFWF WCWC WVWV x W WiWi WiWi J nD J pD J nu J pu Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

51 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N W stanie równowagi składowe prądu dyfuzji i unoszenia kompensują się osobno dla dziur i elektronów. Wypadkowy prąd płynący przez złącze będzie wynosił zero Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

52 Elementy Elektroniczne POLARYZACJA ZŁĄCZA P-N W KIERUNKU PRZEWODZENIA n p NAPIĘCIE POLARYZUJĄCE NAPIĘCIE DYFUZYJNE NAPIĘCIA SIĘ ODEJMUJĄ Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

53 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N (BRAK POLARYZACJI) Obszar złącza WFWF WCWC WVWV n p WFWF WCWC WVWV x W WiWi WiWi J nD J pD J nu J pu Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

54 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N (PRZEWODZENIE) WFWF WCWC WVWV np WFWF WCWC WVWV x W WiWi WiWi J nD J pD J nu J pu Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

55 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia: Całkowite napięcie na warstwie zubożonej ulega zmniejszeniu, Maleje działanie pola elektrycznego ograniczającego dyfuzję nośników większościowych: elektronów z obszaru n do p oraz dziur w obszaru p do n, Wzrost napięcia zewnętrznego powinien zatem skutkować wzrostem prądu dyfuzji, przepływającego przez złącze p-n, Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

56 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N Ten sposób polaryzacji ułatwia przepływ prądu przez złącze p-n: przewodzenie Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

57 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N POLARYZOWANE W KIERUNKU PRZEWODZENIAnp DYFUZYJNE PRĄDY NOŚNIKÓW WIEKSZOŚCIOWYCH Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

58 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N POLARYZOWANE W KIERUNKU PRZEWODZENIA PRZEWODZENIE Prąd płynący przez złącze p-n spolaryzowane w kierunku przewodzenia jest sumą prądów nośników większościowych płynących z poszczególnych obszarów, Wartość prądu zależy od wartości doprowadzonego napięcia polaryzującego, Nośniki większościowe, po przejściu do obszarów o przeciwnym typie przewodnictwa stają się nośnikami mniejszościowymi Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

59 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA CGaNSiCGaAsInPSiSiGeGe Napięcie [V] Prąd w kierunku przewodzenia [mA] kierunek przewodzenia Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

60 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA Napięcie [V] Prąd w kierunku przewodzenia [mA] SiGe niewielki wzrost wartości prądu szybki wzrost wartości prądu punkt przegięcia Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

61 Elementy Elektroniczne POLARYZACJA ZŁĄCZA P-N W KIERUNKU ZAPOROWYM n p NAPIĘCIE POLARYZUJĄCE NAPIĘCIE DYFUZYJNE NAPIĘCIA SIĘ DODAJĄ Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

62 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N (BRAK POLARYZACJI) Obszar złącza WFWF WCWC WVWV n p WFWF WCWC WVWV x W WiWi WiWi J nD J pD J nu J pu Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

63 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N (ZAPOROWY) WFWF WCWC WVWV np WFWF WCWC WVWV x W WiWi WiWi J nu J pu E Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

64 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N Przy polaryzacji w kierunku zaporowym: Całkowite napięcie na warstwie zubożonej jest równe sumie napięcia polaryzującego i napięcia dyfuzyjnego, Pole elektryczne w warstwie przeciwdziała dyfuzji nośników: elektronów z obszaru n do p oraz dziur w obszaru p do n. Prądy dyfuzji znikają dla napięć polaryzujących o wartościach na poziomie dzięsiątych części wolta Prądy unoszenia – czyli prądy nośników mniejszościowych – przepływają przez złącze bez przeszkód Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

65 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N Ten sposób polaryzacji utrudnia przepływ prądu przez złącze p-n: zaporowy Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

66 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N POLARYZOWANE W KIERUNKU ZAPOROWYM npn UNOSZENIOWE PRĄDY NOŚNIKÓW MNIEJSZOŚCIOWYCH Enp Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

67 Elementy Elektroniczne PRZEPŁYW PRĄDU PRZEZ ZŁĄCZE P-N POLARYZOWANE W KIERUNKU ZAPOROWYM ZAPOROWY Prąd płynący przez złącze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym jest sumą prądów nośników mniejszościowych O wartości tego prądu decyduje koncentracja nośników mniejszościowych (dziur w obszarze typu n i elektronów w obszarze typu p) Wartość tego prądu nie zależy od wartości doprowadzonego napięcia polaryzującego, w dużym zakresie zmian tego napięcia Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

68 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA niewielki prąd nośników mniejszościowych Wzrost prądu możliwy tylko poprzez zwiększenie koncentracji nośników mniejszościowych w poszczególnych obszarach złącza Napięcie [V] Prąd w kierunku zaporowym Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

69 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA UFUF IFIF IRIR URUR zaporowy (reverse) przewodzenie (forward) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

70 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA RÓWNANIE SHOCKLEY`A I S – prąd nasycenia, U – napięcie polaryzujące. Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

71 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA RÓWNANIE SHOCKLEY`A Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

72 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA RÓWNANIE SHOCKLEY`A D p, D n – współczynniki dyfuzji dziur i elektronów, L p, L n – średnia droga dyfuzji dziur i elektronów, p n0, n p0 – koncentracje nośników mniejszościowych. Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

73 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U DIODY RZECZYWISTEJ Równanie Shockley`a zostało wyprowadzone przy wielu założeniach upraszczających Kształt charakterystyki prądowo- napięciowej rzeczywistej diody półprzewodnikowej jest modyfikowany przez wiele czynników Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

74 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA UFUF IFIF IRIR URUR zaporowy (reverse) przewodzenie (forward) GENERACJA REKOMBINACJA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

75 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U DIODY RZECZYWISTEJ Wpływ zjawiska rekombinacji i generacji + + WCWC WVWV x + Rekombinacja + + WCWC WVWV x + Generacja Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

76 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U DIODY RZECZYWISTEJ Wpływ zjawiska rekombinacji (przewodzenie) + + WCWC WVWV x + Rekombinacja polaryzacja złącza w kierunku przewodzenianp Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

77 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U DIODY RZECZYWISTEJ Wpływ zjawiska rekombinacji (przewodzenie) m – współczynnik doskonałości złącza, parametr rekombinacyjny (m=1-2) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

78 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U DIODY RZECZYWISTEJ Wpływ zjawiska generacji (zaporowy) + + WCWC WVWV x + Generacja Polaryzacja złącza w kierunku zaporowym Enp Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

79 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U DIODY RZECZYWISTEJ Wpływ zjawiska generacji (zaporowy) U R [V] ISIS ISIS ISIS IGIG IGIG I R [A] Ge Si GaAs Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

80 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U DIODY Wiele nowych informacji można odczytać z charakterystyki I-U rysowanej w układzie półlogarytmicznym Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

81 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U DIODY U[V]U[V] I[A]I[A] nachylenie charakterystyki wykres charakterystyki I-U diody wg równania Shockley`a Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

82 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U DIODY RZECZYWISTEJ U[V]U[V] I[A]I[A] Charakterystyka diody rzeczywistej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

83 Elementy Elektroniczne rezystancja szeregowa rSrS rezystancja upływu rUrU DIODA RZECZYWISTA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

84 Elementy Elektroniczne PRZEBICIE ZŁĄCZA P-N Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

85 Elementy Elektroniczne PRZEBICIE ZŁĄCZA P-N Przebicie złącza p-n polega na gwałtownym wzroście prądu o kilka rzędów wartości w niewielkim zakresie zmian napięcia, rzędu kilkuset miliwoltów Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

86 Elementy Elektroniczne PRZEBICIE ZŁĄCZA P-N PRZEBICIE TUNELOWE(ZENERA) LAWINOWE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

87 Elementy Elektroniczne PRZEBICIE ZŁĄCZA P-N (TUNELOWE ZENERA) Przebicie tunelowe Zenera polega na tunelowym – bez zmian energii – przejściu elektronów z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa Przebicie tunelowe Zenera zachodzi w cienkich złączach przy polach elektrycznych na poziomie E=10 [V/m] 8 Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

88 Elementy Elektroniczne PRZEBICIE ZŁĄCZA P-N (TUNELOWE ZENERA) Pasmo przewodnictwa Pasmo walencyjne WFWF WFWF WVWV WVWV WCWC WCWC W W1W1 W2W2 W1W1 W2W2 n p x wąskie złącze Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

89 Elementy Elektroniczne PRZEBICIE ZŁĄCZA P-N (POWIELANIE LAWINOWE) Powielanie lawinowe polega na jonizacji atomów sieci krystalicznej w złączu p-n przez nośniki przyspieszane w polu elektrycznym Powielanie lawinowe zachodzi w szerokich złączach przy polach elektrycznych na poziomie E=10 [V/m] 6 Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

90 Elementy Elektroniczne PRZEBICIE ZŁĄCZA P-N (POWIELANIE LAWINOWE) np Si szerokie złącze Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

91 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA UWZGLĘDNIAJĄCA PRZEBICIE URUR U BR IRIR U BR – napięcie przebicia złącza Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

92 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA PRĄDOWO-NAPIĘCIOWA DIODA PROSTOWNICZA Typowy zakres pracy UFUF URUR IFIF IRIR U BR U F = 0.7V(Si) U F = 0.3V(Ge) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

93 Elementy Elektroniczne CHARAKTERYSTYKA I-U - WPŁYW TEMPERATURY UFUF URUR IFIF IRIR U BR 0.7V 1mA 1μA1μA 0.7V-ΔU 25°C25°C+ΔT Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

94 Elementy Elektroniczne PRZEŁĄCZANIE ZŁĄCZA P-N Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

95 Elementy Elektroniczne UFUF IFIF IRIR URUR t t czas przełączania Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

96 Elementy Elektroniczne PRZEŁĄCZANIE ZŁĄCZA P-N npnnp Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

97 Elementy Elektroniczne PRZEŁĄCZANIE ZŁĄCZA P-N npnnp Nośniki mniejszościowe Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

98 Elementy Elektroniczne PRZEŁĄCZANIE ZŁĄCZA P-N npnnp E Nośniki mniejszościowe Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

99 Elementy Elektroniczne PRZEŁĄCZANIE ZŁĄCZA P-N npnnp E Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

100 Elementy Elektroniczne PRZEŁĄCZANIE ZŁĄCZA P-N t rr trtr tftf 0.9I R 0.1I R IRIR IFIF t rr - całkowity czas przełączania t Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

101 Elementy Elektroniczne SCHEMATY ZASTĘPCZE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

102 Elementy Elektroniczne SCHEMATY ZASTĘPCZE DYNAMICZNY SCHEMAT ZASTĘPCZY NIELINIOWYLINIOWY STATYCZNYDYNAMICZNY QASI STATYCZNY QASI- STATYCZNY m.cz.śr.cz. w.cz w.cz. Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

103 Elementy Elektroniczne SCHEMATY ZASTĘPCZE NIELINIOWE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

104 Elementy Elektroniczne SCHEMAT ZASTĘPCZY – NIELINIOWY STATYCZNY ruru rsrs I(U) rsrs ruru przewodzenie zaporowy Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

105 Elementy Elektroniczne SCHEMAT ZASTĘPCZY – NIELINIOWY DYNAMICZNY ruru rsrs CJCJ CdCd ruru zaporowy CJCJ rsrs przewodzenie CdCd Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

106 Elementy Elektroniczne POJEMNOŚĆ ZŁĄCZOWA C j POJEMNOŚĆ DYFUZYJNA C d Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

107 Elementy Elektroniczne POJEMNOŚĆ ZŁĄCZOWA C J U1U1 np Q1Q1Q1Q1 U2U2 np Q2Q2Q2Q2 polaryzacja złącza p-n w kierunku zaporowym Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

108 Elementy Elektroniczne POJEMNOŚĆ ZŁĄCZOWA C J U1U1 np Q1Q1Q1Q1 U2U2 np Q2Q2Q2Q2 Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

109 Elementy Elektroniczne POJEMNOŚĆ ZŁĄCZOWA C J Pojemność złączowa C j odgrywa istotną rolę przy polaryzacji złącza p-n w kierunku zaporowym Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

110 Elementy Elektroniczne POJEMNOŚĆ DYFUZYJNA C d np C x koncentracja dziur Q1Q1Q1Q1 U1U1 np C x Q2Q2Q2Q2 U2U2 polaryzacja złącza p-n w kierunku przewodzenia Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

111 Elementy Elektroniczne np C x Q1Q1Q1Q1 U1U1 n p C x Q2Q2Q2Q2 U2U2 POJEMNOŚĆ DYFUZYJNA C d Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

112 Elementy Elektroniczne POJEMNOŚĆ DYFUZYJNA C d Pojemność dyfuzyjna C d odgrywa istotną rolę przy polaryzacji złącza p-n w kierunku przewodzenia Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

113 Elementy Elektroniczne SCHEMATY ZASTĘPCZE LINIOWE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

114 Elementy Elektroniczne SCHEMATY ZASTĘPCZE LINIOWE UFUF URUR IRIR IFIF ΔIΔI ΔIΔI ΔUΔUΔUΔU ΔU

115 Elementy Elektroniczne DEFINICJA REZYSTANCJI RÓŻNICZKOWEJ Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

116 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA ΔI2ΔI2 ΔUΔUΔUΔU I U ΔI1ΔI1 Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

117 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA DEFINICJA KONDUKTANCJI (REZYSTANCJI) RÓŻNICZKOWEJ Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

118 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

119 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

120 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

121 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

122 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

123 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

124 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

125 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA UFUF URUR IFIF IRIR Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

126 Elementy Elektroniczne REZYSTANCJA RÓŻNICZKOWA UFUF URUR IFIF IRIR Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

127 Elementy Elektroniczne SCHEMAT ZASTĘPCZY – NIELINIOWY STATYCZNY ruru rsrs r rsrs przewodzenier ruru zaporowy r Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

128 Elementy Elektroniczne SCHEMAT ZASTĘPCZY – NIELINIOWY DYNAMICZNY ruru rsrs przewodzenie CdCdr ruru rsrs CJCJ CdCd r zaporowy CJCJ r Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

129 Elementy Elektroniczne MODEL DIODY – ODCINKAMI LINIOWY UFUF URUR IFIF IRIR AK Kierunek przewodzenia Kierunek zaporowy model diody idealnej AK Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

130 Elementy Elektroniczne MODEL DIODY – ODCINKAMI LINIOWY UFUF URUR IFIF IRIR Kierunek przewodzenia Kierunek zaporowy model diody praktyczny AK AK UFUF - + Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

131 Elementy Elektroniczne MODEL DIODY – ODCINKAMI LINIOWY UFUF URUR IFIF IRIR Kierunek przewodzenia Kierunek zaporowy model diody złożony AK AK UFUF - + rdrd rUrU IRIR Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

132 Elementy Elektroniczne ANODA KATODA DIODA ZENERA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

133 Elementy Elektroniczne DIODA ZENERA IFIF IRIR UFUF URUR Typowy zakres pracy Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

134 Elementy Elektroniczne DIODA ZENERA IFIF IRIR UFUF URUR ΔIΔI ΔUΔU impedancja Zz= ΔUz/ΔIzZz= ΔUz/ΔIz Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

135 Elementy Elektroniczne DIODA ZENERA U we U wy R Prosty układ stabilizacji napięcia IFIF IRIR UFUF URUR ΔIΔI ΔU wy U we1 U we2 U wy ΔU we U we prosta obciążenia Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

136 Elementy Elektroniczne MODEL DIODY - DIODA ZENERA IFIF IRIR UFUF URUR AK UZUZ -+ UZUZ idealny Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

137 Elementy Elektroniczne MODEL DIODY - DIODA ZENERA IFIF IRIR UFUF URUR AK UZUZ - + UZUZ praktyczny rZrZ Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

138 Elementy Elektroniczne DIODA POJEMNOŚCIOWA - VARACTOR Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

139 Elementy Elektroniczne DIODA POJEMNOŚCIOWA - VARACTOR np dielektrykelektroda Spolaryzowana zaporowo dioda pojemnościowa – zmienna pojemność C1C1 d1d1 Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

140 Elementy Elektroniczne DIODA POJEMNOŚCIOWA - VARACTOR C2

141 Elementy Elektroniczne DIODA POJEMNOŚCIOWA -VARACTOR polaryzacja złącza w kierunku zaporowym U [V]pojemność diody C [pF] np d Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

142 Elementy Elektroniczne DIODA TUNELOWA ESAKIEGO Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

143 Elementy Elektroniczne ZŁĄCZE SILNIE DOMIESZKOWANE x x W WcWc WFWF WvWv p+n+ WFWF W p+ WcWc WvWv n+ x WFWF WcWc WvWv W Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

144 Elementy Elektroniczne DIODA TUNELOWA ESAKIEGO IRIR IFIF URUR UFUF U1U1 U2U2 I1I1 I2I2 typowy zakres pracy -r r Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

145 Elementy Elektroniczne DIODA TUNELOWA ESAKIEGO charakterystyka I-U diody tunelowej tunelowy prąd Zenera tunelowy prąd Esakiego Prąd dyfuzyjny IRIR IFIF URUR UFUF charakterystyka I-U diody tunelowej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

146 Elementy Elektroniczne DIODA TUNELOWA ESAKIEGO IRIR IFIF URUR UFUF 1 x W WcWc WFWF WvWv p+n+ 1 qU R tunelowy prąd Zenera Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

147 Elementy Elektroniczne DIODA TUNELOWA ESAKIEGO IRIR IFIF URUR UFUF 2 x W WcWc WFWF WvWv p+n+ 2 tunelowy prąd Esakiego (niewielki) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

148 Elementy Elektroniczne DIODA TUNELOWA ESAKIEGO IRIR IFIF URUR UFUF 3 x W WcWc WFWF WvWv p+n+ 3 tunelowy prąd Esakiego (maksymalny) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

149 Elementy Elektroniczne DIODA TUNELOWA ESAKIEGO x IRIR IFIF URUR UFUF 4 W WcWc WFWF WvWv p+n+ 4 tunelowy prąd Esakiego (niewielki) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

150 Elementy Elektroniczne DIODA TUNELOWA ESAKIEGO WcWc WFWF WvWv IRIR IFIF URUR UFUF 5 x Wp+n+ 5 prąd dyfuzyjny Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (


Pobierz ppt "Elementy Elektroniczne DIODA PÓŁPRZEWODNIKOWA ANODA KATODA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100."

Podobne prezentacje


Reklamy Google