Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Temat i plan wykładu Tranzystory 1.Tranzystory bipolarne 2.Tranzystory unipolarne ELEKTRONIKIA – Jakub Dawidziuk niedziela, 3 listopada 2013 bipolarnyunipolarne.

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "Temat i plan wykładu Tranzystory 1.Tranzystory bipolarne 2.Tranzystory unipolarne ELEKTRONIKIA – Jakub Dawidziuk niedziela, 3 listopada 2013 bipolarnyunipolarne."— Zapis prezentacji:

1

2 Temat i plan wykładu Tranzystory 1.Tranzystory bipolarne 2.Tranzystory unipolarne ELEKTRONIKIA – Jakub Dawidziuk niedziela, 3 listopada 2013 bipolarnyunipolarne

3 Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer resistor", który oznacza element transformujący rezystancję. Tranzystor

4 Rodzaje tranzystorów - bipolarne i unipolarne (ang. TRANSISTOR = TRANSfer resISTORs) BIPOLARNE (BJT – Bipolar Junction Transistor) STEROWANE PRĄDOWO, czyli aby I C 0 musi I B 0 prąd wyjściowy jest funkcją prądu wejściowego UNIPOLARNE (FET – Field Effect Transistor) STEROWANE POLEM ELEKTRYCZNYM występującym pomiędzy bramką i źródłem, czyli napięciem U GS wytwarzającym to pole, ale I G 0 prąd wyjściowy jest funkcją napięcia wejściowego

5 Tranzystory (ang. TRANSISTOR = TRANSfer resISTORs) Podział

6 Tranzystor ze względu na swoje właściwości wzmacniające znajduje bardzo szerokie zastosowanie. Wykorzystywany jest do budowy różnego rodzaju wzmacniaczy : różnicowych, operacyjnych, mocy (akustycznych), selektywnych, pasmowych. Jest podstawowym elementem w konstrukcji wielu układów elektronicznych, takich jak źródła prądowe, lustra prądowe, stabilizatory, przesuwniki napięcia, przełączniki, przerzutniki oraz generatory. Ponieważ tranzystor może pełnić rolę przełącznika, z tranzystorów buduje się także bramki logiczne realizujące podstawowe funkcje boolowskie, co stało się motorem do bardzo dynamicznego rozwoju techniki cyfrowej w ostatnich kilkudziesięciu latach. Tranzystory są stosowane do konstrukcji wszelkiego rodzaju pamięci półprzewodnikowych Tranzystory - zastosowania

7 Symbol graficzny tranzystora bipolarnego npn

8 Symbol graficzny tranzystora bipolarnego pnp

9

10 Zastosowania tranzystorów

11 Łącznik tranzystorowy (npn)

12 Tranzystor bipolarny (BJT) npn – układy połączeń

13 Rozróżnia się cztery stany pracy tranzystora bipolarnego: stan zatkania (odcięcia): złącza BE i CB spolaryzowane są w kierunku zaporowym, stan nasycenia: złącza BE i CB spolaryzowane są w kierunku przewodzenia, stan aktywny: złącze BE spolaryzowane w kierunku przewodzenia, zaś złącze CB zaporowo, stan aktywny inwersyjny (krócej: inwersyjny): BE zaporowo, CB w kierunku przewodzenia (odwrotnie niż stanie aktywnym). Stan aktywny tranzystora jest podstawowym stanem pracy wykorzystywanym we wzmacniaczach; w tym zakresie pracy tranzystor charakteryzuje się dużym wzmocnieniem prądowym (kilkadziesiąt- kilkaset). Stany nasycenia i zaporowy stosowane są w technice impulsowej, jak również w układach cyfrowych. Stan aktywny inwersyjny nie jest powszechnie stosowanych, ponieważ ze względów konstrukcyjnych tranzystor charakteryzuje się wówczas gorszymi parametrami niż w stanie aktywnym (normalnym), m.in. mniejszym wzmocnieniem prądowym. Stany pracy tranzystora

14 Obszary pracy tranzystora npn

15 Tranzystor pracujący w układzie wzmacniacza. Złącze kolektor-baza jest spolaryzowane zaporowo (bateria E C ), natomiast złącze baza-emiter w kierunku przewodzenia (bateria E B ) Elektrony wprowadzane z emitera do bazy stają się tam nośnikami mniejszościowymi i drogą dyfuzji oddalają się od złącza emiterowego. Część tych elektronów łączy się z dziurami, których w bazie jest dużo (obszar p). Wszystkie elektrony, które dotrą w pobliże złącza kolektor-baza są unoszone do obszaru kolektora. Dla niedużej szerokości obszaru p (bazy) praktycznie wszystkie elektrony wstrzykiwane przez emiter do bazy dotrą do kolektora. Bardzo ważnym jest aby strata elektronów w bazie była jak najmniejsza. Rozpływ prądu w tranzystorze npn. Ponieważ złącze baza-emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia to istnieje przepływ dziur z obszaru p do obszaru n oraz przepływ elektronów z obszaru n do obszaru p.

16

17 Charakterystyki tranzystora Charakterystyka wyjściowa tranzystora, która przedstawia zależność prądu kolektora I C od napięcia kolektor-emiter U CE przy doprowadzonym napięciu wejściowym baza-emiter U BE. Zauważmy, że: powyżej pewnego napięcia prąd kolektora prawie nie zależy od napięcia U CE, do wywołania dużej zmiany prądu kolektora I C wystarczy mała zmiana napięcia baza-emiter U BE. Punkt, w którym następuje zagięcie charakterystyki wyjściowej nazywany jest napięciem nasycenia kolektor-emiter U CEsat. Prąd kolektora I C jest funkcją napięcia baza- emiter U BE. Charakterystyka ta ma charakter wykładniczy. Dla tranzystora współczynnik korekcyjny m jest praktycznie równy jeden i wzór opisujący charakterystykę przejściową można z dobrym przybliżeniem przedstawić jako:

18 Charakterystyki U-I tranzystora npn w konfiguracji OE U CEsat - parametr katalogowy, podawany przy określonej wartości I C oraz I B. U CEsat = 0,2 ÷2V Tranzystory małej mocy Tranzystory mocy

19 Charakterystyki wyjściowe tranzystora npn (przykłady OB i OE) OBOE

20 Tranzystor bipolarny w konfiguracji OE – obszary pracy

21 BC 107

22 BC 239

23 Parametry tranzystora BC 211

24 Charakterystyka wyjściowa tranzystora BC 211

25 Aby tranzystor znajdował się w stanie normalnej pracy to muszą być spełnione następujące warunki: dla tranzystora npn potencjał kolektora musi być wyższy od potencjału emitera, dla tranzystora pnp potencjał kolektora musi być niższy od potencjału emitera, dioda baza-emiter musi być spolaryzowana w kierunku przewodzenia, a dioda kolektor-baza w kierunku zaporowym, nie mogą zostać przekroczone maksymalne wartości I C, I B, U CE, moc wydzielana na kolektorze I C · U CE, temperatura pracy czy też napięcie U BE. Jeżeli tranzystor jest w stanie normalnej pracy czyli spełnia powyższe warunki to z dobrym przybliżeniem prawdziwą jest zależność, którą warto zapamiętać: gdzie h FE jest współczynnikiem wzmocnienia prądowego nazywanego również betą. Współczynnik ten może przyjmować wartości od 50 do 300A/A dla tego samego typu tranzystora, a więc nie jest dobrym parametrem na którym można opierać parametry projektowanego układu. I C =h FE · I B =·I B npn pnp


Pobierz ppt "Temat i plan wykładu Tranzystory 1.Tranzystory bipolarne 2.Tranzystory unipolarne ELEKTRONIKIA – Jakub Dawidziuk niedziela, 3 listopada 2013 bipolarnyunipolarne."

Podobne prezentacje


Reklamy Google