Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice ("— Zapis prezentacji:

1 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE

2 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE Tranzystory polowe – tranzystory unipolarne, ponieważ w odróżnieniu od tranzystorów bipolarnych, w których istotny jest zarówno prąd elektronowy jak i dziurowy, w tych strukturach, do opisu ich działania, wystarczy opis zachowania się jednego typu nośników – elektronów lub dziur

3 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE TRANZYSTORY BIPOLARNE struktury o sterowaniu prądowym TRANZYSTORY POLOWE struktury o sterowaniu napięciowym

4 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE (Field Effect Transistor – FET) złączowe (ze złączem p-n) Junction FET – JFET (PN- FET) z izolowaną bramką Isolated Gate FET - IGFET

5 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE JFET (PN-FET) BRAMKA DREN ŹRÓDŁO n-kanałowy BRAMKA DREN ŹRÓDŁO p-kanałowy

6 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) OBSZAR ZUBOŻONY W ZŁĄCZU P-N POLARYZOWANYM W KIERUNKU ZAPOROWYM

7 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) Szerokość warstwy zubożonej (wymiecionej z nośników) w niesymetrycznym złączu p-n U pol = (-U) - polaryzacja w kierunku zaporowym N - koncentr. dom.w słabiej dom. części złącza

8 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) P + N -xp-xp +xn+xn 0 xdxd Obszar zubożony

9 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) P + N -xp-xp +xn+xn 0 xdxd Obszar zubożony +

10 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) P + N -xp-xp +xn+xn 0 xdxd Obszar zubożony

11 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) P + N -xp-xp +xn+xn 0 xdxd Obszar zubożony

12 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) STRUKTURA TRANZYSTORA POLOWEGO ZŁĄCZOWEGO

13 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G DREN BRAMKA ŹRÓDŁO p+ kanał typu n Struktura JFET n-kanałowego

14 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G DREN BRAMKA ŹRÓDŁO n+ kanał typu p Struktura JFET p-kanałowego

15 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) POLARYZACJA TRANZYSTORA POLOWEGO ZŁĄCZOWEGO

16 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) Tranzystor JFET (PN-FET) może pracować tylko przy polaryzacji złącza BRAMKA-KANAŁ w kierunku zaporowym

17 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n n-kanałowy U GG U DD RDRD

18 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G n+ p p-kanałowy U GG U DD RDRD

19 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) TRANZYSTOR POLOWY JFET (PN-FET) CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA

20 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) D S G U GD U GS =0 U DS IDID RDRD U DD

21 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) IDID I Dss U DS U p =U Dsat U GS =0 A B C Obszar nienasycenia Obszar nasycenia Obszar przebicia

22 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) NAPIĘCIE NASYCENIA U p =U Dsat p – (pinch-off voltage)

23 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Napięcie nasycenia U p (pinch-off voltage) jest taką wartością napięcia U DS (przy U GS =0), przy której prąd drenu I D osiąga stałą wartość prądu nasycenia: I D =I Dss punkt B na charakterystyce

24 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Napięcie U p ma ściśle określoną wartość dla danego typu tranzystora JFET

25 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) STAN PRACY NIENASYCENIE

26 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) IDID I Dss U DS U p =U Dsat U GS =0 A B C Obszar nienasycenia

27 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n A

28 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) + S D G p+ n A-B U DS >0

29 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n A-B + U DS =1V

30 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n A-B + U DS =2V

31 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) + S D G p+ n A-B U DS =4V

32 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ B + U DS =6V=U p

33 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) G(0)G(0) D(+3V) S(0)S(0) +2V pp n +1V +3V D (dren) S (źródło) kanał

34 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) STAN PRACY NASYCENIE

35 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) IDID I Dss U DS U p =U Dsat U GS =0 A B C Obszar nasycenia

36 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) + S D G p+ B U DS =6V=U p

37 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ B-C + U DS >U p

38 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ B-C + U DS >U p

39 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Co się zmieni jeżeli BRAMKA będzie polaryzowana względem kanału?

40 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n

41 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n U GS + -

42 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n U GS + -

43 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ U GS(off) + - Napięcie odcięcia

44 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Na strukturę oddziaływują napięcia U GG i U DD RDRD D S G U GS U DS IDID U DD - + U GG

45 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) napięcie U GS steruje wartością prądu I D IDID I Dss U DS UpUp U GS =0 U GS =-1 U GS =-2 U GS =-4 U GS = U GS(off)

46 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) NAPIECIĘ ODCIĘCIA U GS(off)

47 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Definicja napięcia odcięcia U GS(off) Napięcie odcięcia U GS(off) jest wartością napięcia pomiędzy BRAMKĄ a ŹRÓDŁEM, przy którym wartość prądu drenu I D spada praktycznie do zera

48 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) IDID I Dss U DS U GS =0 U GS =-1 U GS =-2 U GS =-4 U GS(off) ID=0ID=0

49 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) PORÓWNANIE PARAMETRÓW: U p oraz U GS(off)

50 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) 1.U p – napięcie dren-źródło U DS, przy którym I D =I dss dla U GS =0 (dodatnie) 2.U GS(off) – napięcie bramka-źródło U GS, przy którym I D =0 (ujemne) Dla danego typu tranzystora polowego JFET U p i U GS(off) mają tę samą wartość, różnią się tylko znakiem

51 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Na przykład: U p = +5V U GS(off) = -5V

52 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) + - U p = U GS(off) U GS(off)= -5V G(-)G(-) D(0)D(0) S(0)S(0) + - pp n + - U DS =U p = +5V G(0)G(0) D(+)D(+) S(0)S(0) +- pp n + -

53 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) TRANZYSTOR POLOWY JFET (PN-FET) CHARAKTERYSTYKA PRZEJŚCIOWA

54 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka przejściowa I D =f(U GS ) I Dss IDID U GS(off) U GS JFET n-kanałowy

55 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka przejściowa I D =f(U GS ) I Dss IDID U GS(off) U GS 0 JFET-n kanałowy

56 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyki: I D =f(U GS ), I D =f(U DS ) I Dss I D [mA] U GS [V] 0 U DS [V] U GS =0 U GS =-1V U GS =-2V U GS =-3V JFET-n kanałowy

57 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyki: I D =f(U GS ), I D =f(U DS ) I Dss I D [mA] U GS [V] 0 U DS [V] U GS =0 U GS =+1V U GS =+2V U GS =+3V JFET-p kanałowy

58 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) PARAMETRY

59 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Parametry: 1.Transkonduktancja 2.Rezystancja i pojemność wejściowa 3.Rezystancja DREN-ŹRÓDŁO

60 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) TRANSKONDUKTANCJA

61 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) TRANSKONDUKTANCJA Transkonduktancja g m jest definiowana jako parametr określający wielkość zmian prądu drenu ΔI D przy określonej zmianie napięcia bramka-źródło ΔU GS

62 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka przejściowa I D =f(U GS ) I Dss IDID U GS(off) U GS 0 JFET n-kanałowy ΔU GS ΔID1ΔID1 ΔID2ΔID2

63 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Standardowo, podawana wartość transkonduktancji mierzona jest przy napięciu U GS =0

64 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Wartość g m0 można wyznaczyć korzystając z parametrów opisujących charaktersytykę przejściową, takich jak I Dss oraz U GS(off)

65 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Mając daną wartość g m0 można wyznaczyć wartość transkonduktancji g m w dowolnym punkcie pracy, korzystając ze wzoru:

66 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA WEJŚCIOWA

67 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA WEJŚCIOWA 1.Tranzystor bipolarny – własności obwodu wejściowego określa złącze BAZA-EMITER spolaryzowane w kierunku przewodzenia – mała rezystancja wejściowa 2.Tranzystor polowy JFET – własności obwodu wejściowego określa złącze BRAMKA- ŹRÓDŁO spolaryzowane w kierunku zaporowym – duża rezystancja wejściowa

68 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA WEJŚCIOWA

69 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA DREN-ŹRÓDŁO

70 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) IDID I Dss U DS U p =U Dsat U GS =0 ΔU DS ΔIDΔID

71 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA DREN-ŹRÓDŁO

72 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET TRANZYSTORY POLOWE Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (Insulated Gate FET – IGFET)

73 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET Jest to grupa tranzystorów polowych, w których elektroda bramkowa jest odizolowana od kanału tranzystora warstwą izolatora (warstwą dielektryczną) BRAMKA IZOLATOR PÓŁPRZEWODNIK

74 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET STRUKTURA MIS, MOS

75 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET Struktura MIS M I S Metal Insulator Semiconductor Półprzewodnik Metal Izolator

76 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET Struktura MOS M O S Metal Oxide Semiconductor Półprzewodnik Metal Tlenek

77 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET Struktura MOS M O S (Si) Krzem Aluminium Dwutlenek krzemu (Al) (SiO 2 )

78 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET WŁASNOŚCI STRUKTURY MOS (MIS)

79 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET x W WCWC WVWV WFWF WiWi Typ p

80 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET x W WCWC WVWV WFWF WiWi Typ p AKUMULACJA

81 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET x W WCWC WVWV WFWF WiWi Typ p ZUBOŻENIE

82 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET x W WCWC WVWV WFWF WiWi Typ p INWERSJA Typ n

83 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET x W WCWC WVWV WFWF WiWi Typ n

84 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET x W WCWC WVWV WFWF WiWi Typ n AKUMULACJA

85 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET x W WCWC WVWV WFWF WiWi Typ n ZUBOŻENIE

86 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET x W WCWC WVWV WFWF WiWi Typ n INWERSJA Typ p

87 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY MOSFET

88 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY MOSFET D-MOSFETE-MOSFET

89 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY MOSFET D-MOSFETE-MOSFET Z kanałem zubożanym (DEPLETION) Z kanałem indukowanym (ENHANCEMENT)

90 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET BRAMKA DREN ŹRÓDŁO n-kanałowy BRAMKA DREN ŹRÓDŁO p-kanałowy

91 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET STRUKTURA TRANZYSTORA D-MOSFET

92 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET D S B kanał n n+ n-kanałowy podłoże typ p D S B Kanał p p+ p-kanałowy podłoże typ n

93 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET Tranzystory D-MOSFET są strukturami, w których fizycznie wykonany jest kanał (wprowadzony odpowiedni typ domieszki pomiędzy obszarami źródła i drenu). Są to struktury normalnie otwarte (NO) umożliwiające przepływ prądu pomiędzy ŹRÓDŁEM i DRENEM przy braku polaryzacji BRAMKI

94 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET W tranzystorze D-MOSFET BRAMKA może być polaryzowana: 1.Tak aby poszerzyć kanał istniejący, czyli w trybie indukowania kanału (enhancement mode) 2.Tak, aby zwęzić kanał istniejący, czyli w trybie zubożania kanału (depletion mode)

95 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ podłoże typ p U DD + - RDRD NO

96 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ Zubożanie kanału (depletion mode) podłoże typ p U GG U DD RDRD

97 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ Zamknięcie kanału podłoże typ p U GG U DD RDRD U GS(off) U GS =U GS(off)

98 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ Wzbogacanie kanału (enhancement mode) podłoże typ p U GG U DD RDRD

99 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET CHARAKTERYSTYKA PRZEJŚCIOWA I D =f(U GS )

100 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET -U GS U GS(off) +U GS IDID I Dss zubożaniewzbogacanie D-MOSFET n-kanałowy U GS(off) - ujemne

101 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET +U GS U GS(off) -U GS IDID I Dss zubożaniewzbogacanie D-MOSFET p-kanałowy U GS(off) - dodatnie

102 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET Aby zamknąć kanał tranzystora D-MOSFET, należy spolaryzować BRAMKĘ odpowiednio wysokim napięciem: - ujemnym [-U GS(off) ] – n-kanałowy - dodatnim [+U GS(off) ] – p-kanałowy

103 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET W całym zakresie napięć polaryzujących U GS wartość prądu drenu można wyznaczyć z zależności

104 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA I D =f(U DS )

105 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET D-MOSFET n-kanałowy -U GS +U GS IDID I Dss U GS =0 U GS =+1V U GS =+2V U GS =-1V U GS =-2V U DS IDID wzbogacanie zubażanie

106 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET D-MOSFET p-kanałowy +U GS -U GS IDID I Dss U GS =0 U GS =-1V U GS =-2V U GS =+1V U GS =+2V -U DS IDID wzbogacanie zubażanie

107 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET BRAMKA DREN ŹRÓDŁO n-kanałowy BRAMKA DREN ŹRÓDŁO p-kanałowy

108 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET STRUKTURA TRANZYSTORA E-MOSFET

109 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET D S B n+ D S B p+ p-kanałowyn-kanałowy podłoże typ p podłoże typ n kanał nKanał p

110 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET Tranzystory E-MOSFET są strukturami, w których nie ma fizycznie wykonanego kanału (kanał musi być wyidukowany poprzez odpowiednią polaryzację elektrody bramkowej). Są to struktury normalnie zamknięte (NC) umożliwiające przepływ prądu pomiędzy ŹRÓDŁEM i DRENEM dopiero po odpowiednim spolaryzowaniu BRAMKI

111 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET Tranzystory E-MOSFET mogą pracować tylko w trybie WZBOGACANIA kanału

112 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ podłoże typ p U DD + - RDRD NC

113 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ podłoże typ p U GG U DD RDRD

114 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ podłoże typ p U GG U DD RDRD

115 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ podłoże typ p U GG U DD RDRD U GS(th) U GS =U GS(th) Otwarcie kanału

116 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ podłoże typ p U GG U DD RDRD U GS >U GS(th) Wzbogacanie kanału

117 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET CHARAKTERYSTYKA PRZEJŚCIOWA I D =f(U GS )

118 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET U GS(th) +U GS IDID wzbogacanie E-MOSFET n-kanałowy U GS(th) - dodatnie

119 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET U GS(th) -U GS IDID wzbogacanie E-MOSFET p-kanałowy U GS(th) - ujemne

120 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET Aby otworzyć kanał tranzystora E-MOSFET, należy spolaryzować BRAMKĘ odpowiednio wysokim napięciem: - dodatnim [+U GS(th) ] – n-kanałowy - ujemnym [-U GS(th) ] – p-kanałowy

121 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET W całym zakresie napięć polaryzujących U GS wartość prądu drenu można wyznaczyć z zależności

122 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA I D =f(U DS )

123 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET E-MOSFET n-kanałowy +U GS IDID U GS =+4V U GS =+5V U GS =+6V U GS =+3V U GS =+2V U DS IDID wzbogacanie U GS(th)

124 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET E-MOSFET p-kanałowy U GS(th) -U GS IDID U GS =-4V U GS =-5V U GS =-6V U GS =-3V U GS =-2V -U DS IDID wzbogacanie

125 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET Kształt charakterystyki wyjściowej I D =f(U DS )

126 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) D S B n+ podłoże typ p U GG U DD RDRD U GS >U GS(th) Wzbogacanie kanału

127 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) IDID U DS U GS > U GS(th) A BC Obszar nienasycenia Obszar nasycenia TRANZYSTOR D-MOSFET

128 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) TRANZYSTOR D-MOSFET obszar NIENASYCENIA

129 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) IDID U DS U GS > U GS(th) A BC Obszar nienasycenia Obszar nasycenia TRANZYSTOR D-MOSFET

130 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) U DS U GS(th) U DS1

131 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) U DS U GS(th) U DS2

132 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) U DS U GS(th) U DS3

133 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) U DS =U GS(th) D S B n+ podłoże typ p U GS > U GS(th) U DS4 =U GS(th) Jeżeli potencjał DRENU zrównuje się z potencjałem BRAMKI, kanał w pobliżu DRENU zanika B 2V2V2V2V

134 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) TRANZYSTOR D-MOSFET obszar NASYCENIA

135 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( Charakterystyka wyjściowa I D =f(U DS ) IDID U DS U GS > U GS(th) A B C Obszar nienasycenia Obszar nasycenia TRANZYSTOR D-MOSFET

136 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) U DS =U GS(th) D S B n+ podłoże typ p U GS > U GS(th) U DS4 =U GS(th) Jeżeli potencjał DRENU zrównuje się z potencjałem BRAMKI, kanał w pobliżu DRENU zanika B 2V2V2V2V

137 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) U DS >U GS(th) D S B n+ podłoże typ p U GS > U GS(th) U DS4 >U GS(th) Jeżeli potencjał DRENU przewyższa potencjał BRAMKI, kanał w pobliżu DRENU odrywa się od obszaru DRENU B-C 2V2V3V3V

138 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) U DS >U GS(th) Jeżeli potencjał DRENU przewyższa wyraźnie potencjał BRAMKI, kanał w pobliżu DRENU odrywa się od obszaru DRENU i odsuwa się od obszaru DRENU B-C D S B n+ podłoże typ p U GS > U GS(th) U DS4 >U GS(th) 2V2V5V5V

139 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORA FET

140 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET TRANSKONDUKTANCJA lub w rezultacie:

141 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY r` gs r` ds g m ·u GS D G S u GS

142 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY - UPROSZCZENIA r` gs r` ds g m ·u GS D G S u GS r` gs - duża wartość

143 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY - UPROSZCZENIA r` ds g m ·u GS D G S u GS r` ds - duża wartość

144 Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY - UPROSZCZENIA g m ·u GS D G S u GS


Pobierz ppt "Elementy Elektroniczne Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice ("

Podobne prezentacje


Reklamy Google