Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice ("— Zapis prezentacji:

1 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA: CVD, MOCVD, LPE

2 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD EPITAKSJA METODĄ CHEMICZNEGO OSADZANIA Z PAR CVD - Chemical Vapor Deposition

3 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD OSADZANIE KRZEMOWYCH WARSTW EPITAKSJALNYCH SiCl 4 SiHCl 3 SiH 2 CL 2 SiH 4 REDUKCJA WODOREMTERMICZNY ROZKŁAD Si

4 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD REDUKCJA HALOGENKÓW WODOREM REAKCJA CHEMICZNA ZAKRES TEMPERATURSZYBKOŚCI NAROSTU

5 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD REDUKCJA HALOGENKÓW WODOREM REAKCJA CHEMICZNA ZAKRES TEMPERATURSZYBKOŚCI NAROSTU

6 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD TERMICZNY ROZKŁAD REAKCJA CHEMICZNA ZAKRES TEMPERATURSZYBKOŚCI NAROSTU

7 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD TERMICZNY ROZKŁAD REAKCJA CHEMICZNA ZAKRES TEMPERATURSZYBKOŚCI NAROSTU

8 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD APARATURA

9 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTORY PIONOWY Z GRZANIEM INDUKCYJ- NYM POZIOMY Z GRZANIEM RADIACYJ- NYM BARYŁKO- WY Z GRZANIEM RADIACYJ- NYM

10 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR PIONOWY Z GRZANIEM INDUKCYJNYM BUDOWA

11 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR PIONOWY Z GRZANIEM INDUKCYJNYM WODA PODSTAWA REAKTORA KLOSZ KWARCOWY ZWOJNICA INDUKCYJNA GRZEJNIK GRAFITOWY GAZ PODŁOŻA KRZEMOWE

12 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD REAKTOR PIONOWY Z GRZANIEM INDUKCYJNYM DZIAŁANIE

13 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Załadowanie podłoży krzemowych WODA GAZ

14 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Płukanie komory reakcyjnej azotem (N 2 ) WODA GAZ

15 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Ogrzewanie podłoży – prądy wirowe w grzejniku WODA GAZ

16 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Ogrzewanie podłoży – prądy wirowe w grzejniku WODA GAZ

17 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Wytworzenie odpowiedniej atmosfery gazowej WODA GAZ

18 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Narost warstwy epitaksjalnej WODA GAZ

19 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Studzenie podłoży – usunięcie gazów reakcyjnych WODA GAZ AZOT, ARGON

20 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD Otwarcie komory wyjęcie płytek WODA GAZ

21 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR POZIOMY Z GRZANIEM RADIACYJNYM BUDOWA

22 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA KOMORA KWARCOWA

23 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY

24 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA CHŁODNICA GAZÓW POREAKCYJNYCH KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY WLOT WODY WYLOT GAZU WLOT GAZU

25 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA CHŁODNICA GAZÓW POREAKCYJNYCH KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY WLOT WODY WYLOT GAZU WLOT GAZU GRZEJNIK GRAFITOWY

26 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA CHŁODNICA GAZÓW POREAKCYJNYCH KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY WLOT WODY WYLOT GAZU WLOT GAZU TERMOPARA GRZEJNIK GRAFITOWY

27 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA CHŁODNICA GAZÓW POREAKCYJNYCH KOMORA KWARCOWA OSŁONA KOMORY WLOT WODY WYLOT GAZU WLOT GAZU TERMOPARA GRZEJNIK GRAFITOWY LAMPY PROMIENNIKOWE

28 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD REAKTOR POZIOMY Z GRZANIEM RADIACYJNYM DZIAŁANIE

29 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Płukanie komory roboczej azotem (N 2 )

30 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Załadowanie krzemowych płytek podłożowych

31 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Wygrzewanie podłoży w atmosferze ochronnej

32 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 1150°C Wygrzewanie podłoży w atmosferze ochronnej

33 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 1150°C Podanie gazów reakcyjnych do komory roboczej SiH 2 CL 2

34 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 1150°C Osadzanie warstwy epitaksjalnej SiH 2 CL 2

35 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Studzenie, płukanie komory roboczej azotem (N 2 )

36 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WODA 22°C Wyjęcie podłoży (Si) z osadzoną warstwą EPI

37 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR BARYŁKOWY Z GRZANIEM RADIACYJNYM BUDOWA

38 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA KLOSZ KWARCOWY OBUDOWA REAKTORA

39 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA GRZEJNIK GRAFITOWY MIEJSCE MOCOWANIA PODŁOŻY KRZEMOWYCH

40 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA GRZEJNIK GRAFITOWY MIEJSCE MOCOWANIA PODŁOŻY KRZEMOWYCH LAMPY PROMIEN- NIKOWE

41 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA

42 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA WYLOT GAZU WLOT GAZU

43 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA REAKTOR BARYŁKOWY Z GRZANIEM RADIACYJNYM DZIAŁANIE

44 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

45 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

46 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

47 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

48 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Ładowanie podłoży

49 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD - APARATURA WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Płukanie komory azotem N2N2

50 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Wygrzewanie podłoży N2N2

51 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Wygrzewanie podłoży N2N2

52 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Podanie gazów reakcyjnych Ruch obrotowy grzejnika SiH 2 Cl 2

53 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Wytworzenie atmosfery gazowej SiH 2 Cl 2

54 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Osadzanie warstw epitaksjalnych SiH 2 Cl 2

55 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Chłodzenie podłoży, płukanie azotem N2N2

56 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA CVD WLOT POWIETRZA WYLOT POWIETRZA Wyjmowanie podłoży

57 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW

58 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW „Wytworzenie atmosfery gazowej” N2N2 PODŁOŻE KRZEMOWE

59 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW „Wytworzenie atmosfery gazowej” SiHCl 2 +H 2 PODŁOŻE KRZEMOWE

60 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW – EPITAKSJA CVD Gaz Przezna- czenie Zastosowanie N2N2 gaz nośnyprzedmuch H2H2 gaz nośnyrozpuszczanie HCl trawienieczyszczenie GAZY I ICH PRZEZNACZENIE

61 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW – EPITAKSJA CVD Gaz Przezna- czenie Zastosowanie SiCl 4 źródło Siźródło ciekłe SiH 4 źródło Siźródło gazow. SiHCl 3 źródło Siźródło gazow. GAZY I ICH PRZEZNACZENIE

62 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW – EPITAKSJA CVD Gaz Przezna- czenie Zastosowanie B2H6B2H6 domieszkaźródło gazow. PH 3 domieszkaźródło gazow. AsH 3 domieszkaźródło gazow. GAZY I ICH PRZEZNACZENIE

63 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW SiCl 4 SiH 4 PH 3 N 2, H 2 HClH2H2 B2H6B2H6 AsH 3 KOMORA REAKCYJNA

64 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW SiCl 4 SiH 4 PH 3 N 2, H 2 HClH2H2 B2H6B2H6 AsH 3 KOMORA REAKCYJNA MIESZALNIK ZAWORY

65 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW SATURATOR – „BĄBELKOWY” z o TERMOSTAT Możliwość stabilizacji temperatury na ściśle określonym poziomie CIEKŁE ŹRÓDŁO SiCl 4

66 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW SATURATOR – „BĄBELKOWY” z o TERMOSTAT Możliwość stabilizacji temperatury na ściśle określonym poziomie H2H2 SiCl 4 SiCl 4 +H 2 CIEKŁE ŹRÓDŁO

67 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ

68 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Strumień SiH 2 Cl 2 rozcieńczony w wodorze H 2 Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001 PODŁOŻE CZĄSTECZKA WODORU (H 2 )

69 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 1. Faza dekompozycji gazu Si Cl SiH 2 Cl 2 Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford PODŁOŻE CZĄSTECZKA WODORU (H 2 )

70 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 2. Transport gazu do powierzchni podłoża Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford

71 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 3. Absorbcja na powierzchni podłoża Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford

72 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 4. Dyfuzja na powierzchni podłoża Si Cl Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford

73 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 5. Dekompozycja związku – uwalnianie atomów krzemu Si Cl Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001 Si Cl 3 4 5

74 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ 6. Ostateczne formowanie narost warstwy epitaksjalnej Si Cl Si Cl Si Cl Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001 Si Cl

75 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Formowanie się krzemowej warstwy epitaksjalnej Si CENTRA KRYSTALIZACJI

76 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Formowanie się krzemowej warstwy epitaksjalnej Si CENTRA KRYSTALIZACJI

77 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( OSADZANIE – TRAWIENIE

78 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Formowanie się krzemowej warstwy epitaksjalnej

79 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Zależność szybkości osadzania epitaksjalnej warstwy krzemu od zawartości molowej SiCl 4 SZYBKOŚĆ OSADZANIA KRZEMU [µm/min] ZAWARTOŚĆ MOLOWA SiCl 4 w H 2 TEMPERATURA OSADZANIA T=1270°C

80 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Zależność szybkości osadzania epitaksjalnej warstwy krzemu od zawartości molowej SiCl 4 SZYBKOŚĆ OSADZANIA KRZEMU [µm/min] ZAWARTOŚĆ MOLOWA SiCl 4 w H 2 TEMPERATURA OSADZANIA T=1270°C WZROST MONOKRYSTALICZNY WZROST POLI- KRYSTALICZNY TRAWIENIE

81 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Za proces trawienia odpowiedzialna jest zbyt duża zawartość gazowego HCl w atmosferze komory reakcyjnej

82 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU

83 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW SiGe BUDOWA APARATURY

84 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU GRZEJNIK – GRZANIE INDUKCYJNE PODŁOŻE DOZOWNIK GAZÓW KOMORA ROBOCZA Schemat instalacji do osadzania warstw SiGe Do układu pompowego

85 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( OSADZANIE WARSTW SiGe

86 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU SiH 4 GeH 4 B2H4B2H4 PH 3 Rozgrzewanie podłoża – grzanie indukcyjne T=(550÷850)°C

87 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU SiH 4 GeH 4 Osadzanie warstwy krzemogermanu Dozowanie reagentów Si Ge SiGe SiH 4 GeH 4

88 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU Osadzanie warstwy krzemogermanu Si Ge Si Ge Si Ge Si Ge T=(550÷850)°C

89 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Osadzanie warstwy krzemogermanu - reakcje

90 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU SiH 4 GeH 4 B2H6B2H6 Osadzanie warstwy krzemogermanu typu p SiGe Si Ge B Dozowanie reagentów Si Ge SiH 4 GeH 4 B2H6B2H6 BB BB

91 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU Osadzanie warstwy krzemogermanu T=(550÷850)°C Si Ge Si Ge Si Ge Si Ge Si Ge Si Ge B B BB

92 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Osadzanie warstwy krzemogermanu typu p - reakcje

93 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU SiH 4 GeH 4 PH 3 Osadzanie warstwy krzemogermanu typu n GeSi Ge P P SiGe SiH 4 GeH 4 PH 3 P Dozowanie reagentów

94 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WARSTW KRZEMO-GERMANU Osadzanie warstwy krzemogermanu T=(550÷850)°C Si Ge Si Ge Si GeSi Ge P P P Si

95 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( WZROST WARSTWY KRZEMOWEJ Osadzanie warstwy krzemogermanu typu p - reakcje

96 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( HOMO –HETERO- EPITAKSJA STRUKTURA WARSTW

97 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW W przypadku osadzania cienkich warstw epitaksjalnych na wybranych typach podłoży istotnym problemem może być niedopasowanie stałych sieciowych podłoża i formowanej warstwy

98 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA Formowanie struktury BEZ NAPRĘŻEŃ (COMMENSURATE)

99 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HOMOEPITAKSJA Zgodność stałych sieciowych materiału podłoża i osadzanej warstwy – brak deformacji i naprężeń

100 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HOMOEPITAKSJA

101 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HOMOEPITAKSJA PODŁOŻE d1d1 d1d1 d1d1

102 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA Formowanie struktury „NAPRĘŻONEJ” (INCOMMENSURATE)

103 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA

104 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA d1d1 d1d1 d2d2 d2d2

105 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA PODŁOŻE WARSTWA EPI NAPRĘŻENIA

106 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA Formowanie struktury „PSEUDOMORFICZNEJ”

107 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA

108 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( STRUKTURA WARSTW HETEROEPITAKSJA d2d2 d1d1 d1d1

109 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA ZE ZWIĄZKÓW METALOORGANICZNYCH MetaloOrganic CVD - MOCVD

110 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Jest to metoda wytwarzania cienkich warstw związków półprzewodnikowych: GaAs, AlGaAs, GaN przy wykorzystaniu związków metaloorganicznych

111 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Epitaksja MOCVD umożliwia kolejne „hodowanie” cienkich warstw materiałów półprzewodnikowych o żądanych parametrach n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA ŹRÓDŁO GALU ŹRÓDŁO ARSENU ŹRÓDŁO CYNKU (DOM.TYP P) ŹRÓDŁO ALUMINIUM ŹRÓDŁO SELENU (TYP N)

112 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Związek „metaloorganiczny” - trimetyl galu WODÓR WĘGIEL GAL Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001

113 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Związek „metaloorganiczny” - tetrabutylan arsenu WODÓR WĘGIEL ARSEN Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001

114 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD Związek „metaloorganiczny” - trietyl galu WODÓR WĘGIEL GAL Zaczerpnięto z: Campbell S.A.: „The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication” Oxford University Press, Oxford 2001

115 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD APARATURA

116 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW WYLOT DEZn AsH 3 +H 2 TMGa TMAl MFC N2N2 H 2 Se+H 2 PRÓŻNIA KOMORA REAKCYJNA

117 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( DOZOWNIKI GAZÓW Masowy Regulator Przepływu (Mass Flow Controler – MFC) Zapewnia możliwość bardzo precyzyjnej regulacji szybkości przepływu gazu

118 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ Liquid Phase Epitaxy - LPE

119 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Epitaksja z fazy ciekłej (Liquid Phase Epitaxy – LPE) jest metodą wytwarzania materiałów półprzewodnikowych wykorzystywanych do budowy diod elektroluminescencyjnych i laserów. Metoda ta pozwala na otrzymanie materiałów o „dobrej jakości optycznej”

120 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Idea epitaksji z fazy ciekłej PŁYTKA ŹRÓDŁOWA Nasycanie roztworu – odbywa się poprzez kontakt roztworu z płytką „źródłową” Faza I

121 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Idea epitaksji z fazy ciekłej Osadzanie warstwy – odbywa się poprzez wytrącanie materiału z roztworu Faza II

122 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Idea epitaksji z fazy ciekłej Osadzanie warstwy – odbywa się poprzez wytrącanie materiału z roztworu Faza II PŁYTKA PODŁOŻOWA

123 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE APARATURA

124 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA MOCVD n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs 4 ROZTWÓR: Ga, As, Al, Zn 3 ROZTWÓR: Ga, As 5 ROZTWÓR: Ga, As, Al, Zn 2 ROZTWÓR: Ga, As, AL, Se 1 ROZTWÓR: Ga, As, Se Wytworzenie struktury wymaga „wyhodowania” pięciu warstw o zmiennym składzie

125 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE WIELOKOMOROWA KASETA WARIANT I

126 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – budowa ŹRÓDŁO GaAs nasycanie roztworów ROZTWORY PODŁOŻE GaAs osadzanie warstw EPI

127 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 1 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM

128 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 2 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 1

129 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 3 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 2

130 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 4 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 3

131 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NASYCANIE ROZTWORU 5 MARIAŁEM ŹRÓDŁOWYM NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 4

132 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 4

133 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie GOTOWA STRUKTURA

134 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE WIELOKOMOROWA KASETA WARIANT II

135 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – budowa ŹRÓDŁO GaAs nasycanie roztworów ROZTWORY PODŁOŻE GaAs osadzanie warstw EPI PRZEKŁADKA OBCIĄŻNIK

136 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie 12345

137 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 1

138 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 2

139 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 3

140 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 4

141 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie NAROST WARSTWY EPITAKSJALNEJ W KOMORZE 5

142 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Wielokomorowa kaseta grafitowa – działanie GOTOWA STRUKTURA

143

144 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE Idea epitaksji z fazy ciekłej PŁYTKA PODŁOŻOWA Osadzanie warstwy – odbywa się poprzez wytrącanie materiału z roztworu Faza II


Pobierz ppt "TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice ("

Podobne prezentacje


Reklamy Google