Czujniki do pomiaru ciśnień Mierzy się:a) nadciśnienie b) ciśn. absolutne c) różnicę ciśnień Metoda pomiaru : Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego.

Prezentacja na temat: "Czujniki do pomiaru ciśnień Mierzy się:a) nadciśnienie b) ciśn. absolutne c) różnicę ciśnień Metoda pomiaru : Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego."— Zapis prezentacji:

1

2 Czujniki do pomiaru ciśnień Mierzy się:a) nadciśnienie b) ciśn. absolutne c) różnicę ciśnień Metoda pomiaru : Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego ciśnieniomierza Elementy sprężystea) membrany, b) puszki, c) mieszki, d) rurki

3 Elementy odkształcalne rurkowe JednorodnaBourdona Z wewnętrznym trzpieniemAsymetryczna

4 Elementy odkształcane -puszkowe pojedynczewielokrotne

5 Elementy odkształcalne mieszkowe

6 Elementy odkształcane - membrany cienka falistagruba

7 Indukcyjnościowe czujniki ciśnień

8 Tensometryczny czujnik ciśnienia - z mechanicznym elementem przeniesienia siły p

9 Tensometryczny czujnik ciśnień rurowy p

10 p Tensometryczne czujniki ciśnień z membraną

11 właściwości: od 10 kPa do 50 MPa zakres: 60 do 130 kHz częstotl.własna: 0,3%nieliniowość: 0,3%histereza: 175%przeciążalność:membrana: 5 do 30 mm 5 do 30 mm Tensometryczny czujnik ciśnień 2 mV/V Efektywnośćprzetwarzaniasygnału:

12 Pojemnościowe czujniki ciśnień Okł. ruchoma Obudowa Okł.nieruchoma Z przewarzaniem na częstotliwość

13 Pojemnościowy różnicowy czujnik ciśnień p1p1p1p1 p2p2p2p2 C1C1C1C1 C2C2C2C2 Membranyseparujące Wypełnienieolejowe

14 zakres: 0,2 do 42 MPa Pojemność pomiędzy okładkami : 10 pF Zmiana pojemności: 1 pF parametry: Pojemnościowe czujniki ciśnień Pojemnościowe różnicowe czujniki ciśnień parametry: od 70 do 350 kPa zakresy: 2,5 V 2,5 V wyjście: 0,1%nieliniowość: 0,1%histereza: 0,03%powtarzalność: wypełnienie:olej

15 Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber absolutnywzględny

16 Różnicowy, medium doprowadzone dwystronnie Względny, medium doprowadzone jednostronnie Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber

17

18

19 MIKROMECHANIKA KRZEMOWA

20 WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KRZEMU MODUŁ YOUNGA WYTRZYMAŁOŚĆ SZKŁO 4.9 - 7.8 10 N/m 10 2. ALUMINIUM 7 10 N/m 0,17 10 N/m 10292 ŻELAZO 10 10 N/m 0,710 N/m 10292 STAL 2010 N/m 2,110 N/m 10 2 92 KRZEM 1910 N/m 710 N/m 10292

21 WŁASNOŚCI MECHANICZNE KRZEMU Twardość w skali Mohsa 1. Talk - bardzo miękki minerał, można go łatwo zarysować ludzkim paznokciem 2. Gips - można go zarysować paznokciem aczkolwiek z trudem 3. Kalcyt - można go zarysować monetą 4. Fluoryt - można go łatwo zarysować ostrzem noża 5. Apatyt - można go z trudem zarysować ostrzem stalowym, zaś nim samym można z trudnością zarysować szkło 6. Ortoklaz - można nim łatwo zarysować szkło 7. Kwarc (tlenek krzemu) - można nim łatwo zarysować szkło i stal 8. Topaz - można nim łatwo zarysować kwarc 9. Korund - można nim łatwo zarysować kwarc oraz topaz 10. Diament - najtwardsza substancja spośród występujących w przyrodzie

22 PŁASZCZYZNY KRYSTALOGRAFICZNE x z y (100) x z y (111) x z y (110)

23 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE Si SiO 2

24 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ II etap FOTOLITOGRAFIA SiO 2 Maska Fotoresist Si

25 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ III etap FOTOLITOGRAFIA SiO 2 Maska Fotoresist Si

26 IV etap TRAWIENIE KRZEMU WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ Si

27 ROZTWORY TRAWIĄCE 100 C 2 NH (CH )NH 22 H O 2 C H (OH) 4 6 2 Si Szybkość trawienia dla : 0.05 m/min dla : 2 m/min

28 PROFILE TRAWIONEJ POWIERZCHNI (100) [110] [100] 111 110 100 110

29 ANIZOTROPOWE TRAWIENIE KRZEMU 1) 54.7 Si SiO 2 (rezyst)

30 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE Si SiO 2

31 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ II etap DOMIESZKOWANIE BOREM Si BOR SiO 2

32 III etap UTLENIANIE I FOTOLITOGRAFIA WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ Si warstwa p + SiO 2

33 IV etap TRAWIENIE KRZEMU WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ Si

34 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ V etap TRAWIENIE SiO I UTLENIANIE 2 Si SiO 2

35 Czujniki piezorezystywne ciśnienia oparte są na pomiarze naprężeń proporcjonalnych do różnicy ciśnień występujących po obu stronach membrany. Naprężenia mierzone są przy pomocy piezorezystorów (rezystorów dyfuzyjnych wykonanych w membranie). Efekt piezorezystywny jest silnie anizotropowy i mocno zależy od orientacji krystalograficznej.

36 Si warstwa p + FOSFOR WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA SiO 2

37 Si warstwa p + SiO 2 REZYSTOR WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA

38 STRUKTURA CZUJNIKA UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW 1 mm REZYSTOR

39 UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW R 1 R 3 R 2 R 4 U Z

40 PODŁOŻE SZKLANE Si CIŚNIENIE NIŻSZE Si CIŚNIENIE WYŻSZE

41 Si ZINTEGROWANY CZUJNIK CIŚNIENIA PODŁOŻE SZKLANE STRUKTURA TRANZYSTORA BIPOLARNEGO K E B STRUKTURA CZUJNIKA

42 POJEMNOŚCIOWY CZUJNIK CIŚNIENIA Si PODŁOŻE SZKLANE ELEKTRODY MEMBRANA

43 POJEMNOŚCIOWY CZUJNIK DOTYKOWY PODŁOŻE SZKLANE MEMBRANA ELEKTRODY Si A A

44 WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE Si SiO 2

45 II etap DOMIESZKOWANIE BOREM WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ Si BOR

46 III etap UTLENIANIE I FOTOLITOGRAFIA warstwa p + WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ Si

47 IV etap TRAWIENIE KRZEMU WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ Si

48 V etap TRAWIENIE SiO I UTLENIANIE 2 WYTWORZENIE BELKI KRZEMOWEJ Si SiO 2

49 WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA Si FOSFOR

50 WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA Si SiO 2 REZYSTOR

51 Si A A PIEZOREZYSTANCYJNY CZUJNIK DOTYKOWY PIEZOREZYSTOR

52 MASOWY CZUJNIK PRZYSPIESZEŃ PODŁOŻE SZKLANE BELKA Si MASA Złoty kontakt

53 Mikromechanika powierzchniowa, zasada procesu

54 Nowe możliwości softwerowe Wyświetlacze typu LCD, sygnały ostrzegawecze kompatybilne ze standardem NAMUR i możliwość nastawienia granic przekroczenia zakresu. Obudowa elektroniki Kompatybilna ze standardem Fieldbus, pozostawia dużo miejsca na przewody Moduł z czujnikiem Spawana metalowa obudowa Płytka z elektroniką Ma obudowaną konstrukcję typu plug-in i ulepszone zamocowanie Przetwornik ciśnienia 3051 Przyłącze procesowe Listwa zaciskowa Zawiera trzy zaciski w zwartej konstrukcji typu plug-in Przyciski do nastawienia zera i zakresu Bardzo prosta obsługa

55

56

57

58