Metale Najczęstsze struktury krystaliczne : heksagonalna,

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
Równanie Schrödingera
Advertisements

Równanie Schrödingera
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
Atom wieloelektronowy
Wykład IV.
Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER)
Wykład IV 1. Rekombinacja 2. Nośniki nadmiarowe w półprzewodnikach
dr inż. Monika Lewandowska
PROMIENIOWANIE X, A ENERGETYCZNA STRUKTURA ATOMÓW
ATOM WODORU, JONY WODOROPODOBNE; PEŁNY OPIS
WYKŁAD 6 ATOM WODORU W MECHANICE KWANTOWEJ (równanie Schrődingera dla atomu wodoru, separacja zmiennych, stan podstawowy 1s, stany wzbudzone 2s i 2p,
Wykład III ELEKTROMAGNETYZM
Fizyka Ciała Stałego Ciała stałe można podzielić na:
Przepływ prądu elektrycznego
Mateusz Wieczorkiewicz
1 Własności elektronowe amorficznych stopów Si/Me:H w pobliżu przejścia izolator-metal Gęste pary metali (wzrost gęstości -> I-M) niemetale poddane wysokiemu.
Podstawy teorii przewodnictwa
DIELEKTRYKI TADEUSZ HILCZER
Kiedy półprzewodniki stają się przewodnikami i izolatorami?
Luminescencja w materiałach nieorganicznych Wykład monograficzny
Budowa atomów i cząsteczek.
Wykład III Nośniki nadmiarowe w półprzewodnikach Rekombinacja bezpośrednia i pośrednia Quazi-poziomy Fermiego.
Wykład V Laser.
Metale Najczęstsze struktury krystaliczne : heksagonalna,
Wykład VIIIa ELEKTROMAGNETYZM
Wykład 10.
Nośniki nadmiarowe w półprzewodnikach cd.
1.Absorpcja światła w półprzewodnikach
Wykład IV Teoria pasmowa ciał stałych.
Złącza półprzewodnikowe
Wykład III.
Wykład II.
Wykład V Półprzewodniki samoistne i domieszkowe.
Wykład Półprzewodniki Pole magnetyczne
Wykład Zależność oporu metali od temperatury.
FIZYKA dla studentów POLIGRAFII Kwantowa natura promieniowania
FIZYKA III MEL Fizyka jądrowa i cząstek elementarnych
Podstawy fotoniki wykład 6.
Lasery i diody półprzewodnikowe
Wykład 10 Proste zastosowania mechaniki statystycznej
Materiały Półprzewodnikowe
Materiały Półprzewodnikowe
RÓWNOWAGA WZGLĘDNA PŁYNU
ZASTOSOWANIE NISKICH TEMPERATUR
WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW
Prąd elektryczny Wiadomości ogólne Gęstość prądu Prąd ciepła.
Ciało doskonale czarne
ODDZIAŁYWANIE PROMIENIOWANIA Z MATERIĄ
Elementy mechaniki kwantowej w ujęciu jakościowym
Politechnika Rzeszowska
Politechnika Rzeszowska
Politechnika Rzeszowska
Politechnika Rzeszowska
Treści multimedialne - kodowanie, przetwarzanie, prezentacja Odtwarzanie treści multimedialnych Andrzej Majkowski informatyka +
Politechnika Rzeszowska
"P OST - GRAFENOWA ERA ELEKTRONIKI DWUWYMIAROWEJ - FOSFOR NIEBIESKI I INNE PÓŁPRZEWODNIKI ” Adrian Michalczuk I Liceum Ogólnokształcące im. Jana Zamoyskiego.
Kwantowa natura promieniowania
3. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone
Andrzej J. Wojtowicz wyklad monograficzny 1 Luminescencja w materiałach nieorganicznych Wykład monograficzny AJ Wojtowicz Instytut Fizyki UMK Zakład Optoelektroniki.
KRYSZTAŁY – RODZAJE WIĄZAŃ KRYSTALICZNYCH
Kryształy – rodzaje wiązań krystalicznych
Budowa atomu.
Efekt fotoelektryczny
Półprzewodniki r. Aleksandra Gliniany.
Metale i izolatory Teoria pasmowa ciał stałych
Izolatory i metale – teoria pasmowa ciał stałych
Fizyka II, lato Statystyki klasyczne i kwantowe.
Ewa Popko 1.  1. Właściwości ciał stałych  2. Symetria kryształu  3. Wiązania w ciele stałym  4.Przybliżenie elektronów swobodnych. Metale  5. Model.
2. ZJAWISKA KONTAKTOWE Energia elektronów w metalu
Treści multimedialne - kodowanie, przetwarzanie, prezentacja Odtwarzanie treści multimedialnych Andrzej Majkowski informatyka +
Zapis prezentacji:

Metale Najczęstsze struktury krystaliczne : heksagonalna, objętościowo centrowana powierzchniowo centrowana listopad 2002

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca Dla T = 0 K, f(E) = 1 E < EF 0 E > EF W T=0 zapełnione są wszystkie stany o energiach poniżej EF Dla dowolnej temperatury prawdopodobieństwo zapełnienia stanu o energii EF wynosi 0.5 f(E) = 0.5 dla E = EF listopad 2002

Gęstość stanów gęstość stanów g(E) dana jest wyrażeniem 8 ) ( E h m g g(E)dE jest liczbą stanów w jednostce objętości mających energię od E do E+dE gęstość stanów g(E) dana jest wyrażeniem 2 1 3 8 ) ( E h m g p = W 1cm3 miedzi liczba stanów o energiach od 5.0 eV do 5.5 eV wynosi: listopad 2002

Gęstość stanów zajętych elektronami no(E)dE jest ilością elektronów w jednostce objętości o energiach od E do E+dE w stanie równowagi w temperaturze T. listopad 2002

Gęstość stanów zajętych elektronami Ze wzrostem temperatury elektrony z poziomów leżących poniżej EF przechodzić będą na wyższe poziomy energetyczne. W procesie tym bierze udział jedynie niewielka ilość elektronów o energiach w pobliżu energii EF. Dla T=1200K 3/2kT=154.8meV Prędkość elektronów o energiach bliskich EF Energia potencjalna elektronu w metalu U=0 więc Dla porównania w gazie klasycznym dla T=1200K <v>=2.3x105 m/s listopad 2002

Funkcja rozkładu Fermiego - Diraca Ilość elektronów w jednostce objętości zajmujących stany od energii E=0 do EF skąd Dla miedzi =8.4x1028 m-3, a energia Fermiego EF=7.0 eV listopad 2002

Wartość średnia energii elektronu w metalu Energia Fermiego dla miedzi: EF=7.0 eV, energia średnia 4.2 eV Dla T=300 K 3/2kT=0.039 eV Ze wzrostem temperatury elektrony z poziomów leżących poniżej EF przechodzić będą na wyższe poziomy energetyczne. Prawdopodobieństwo tego, że na poziomie o energii E znajduje się elektron określa funkcja rozkładu Fermiego-Diraca listopad 2002

Struktura pasmowa ciał stałych Ciało stałe N1023 atomów/cm3 Dwa atomy Sześć atomów listopad 2002

(częściowo zapełnione) Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca T > 0 E funkcja Fermiego EF Pasmo przewodnictwa (częściowo zapełnione) E = 0 Dla T = 0, wszystkie stany o energii poniżej energii Fermiego EF są zapełnione elektronami, a wszystkie o energiach powyżej EF są puste. Dowolnie małe pole elektryczne może wprawić w ruch elektrony z poziomu EF dostarczając im energii DE=eFEx prowadząc do bardzo dużego przewodnictwa elektrycznego. w temperaturach T > 0, elektrony są termicznie wzbudzane do stanów o energiach powyżej energii Fermiego. listopad 2002

Struktura pasmowa ciał stałych -metale pasma energetyczne Na częściowo zapełnione pasmo Sód - orbitale 1s, 2s and 2p są całkowicie zapełniane elektronami a 3s ma tylko jeden elektron. Pasmo powstałe ze stanów 3s będzie zapełnione do połowy. Dobry przewodnik - metal listopad 2002

Struktura pasmowa ciał stałych- metale listopad 2002

Struktura pasmowa ciał stałych- półprzewodniki i izolatory listopad 2002

Struktura pasmowa ciał stałych –półprzewodniki i izolatory listopad 2002

Struktura pasmowa ciał stałych Przewodnik Izolator Półprzewodnik listopad 2002

Struktura pasmowa ciał stałych- półprzewodniki listopad 2002

Przewodnictwo samoistne ln(s) 1/T listopad 2002

Przewodnictwo domieszkowe – półprzewodnik typu n ln(s) 1/T listopad 2002

Przewodnictwo domieszkowe – półprzewodnik typu p listopad 2002

Zależność przewodnictwa od temperatury ln(s) 1/T listopad 2002