ELEKTRONICZNE PRZYRZĄDY I TECHNIKI POMIAROWE

1.Wybrane zagadnienia w procesie projektowania, kompatybilność, odporność na zakłócenia. 2.Organizacja i zarządzanie w procesie wytwarzania aparatury pomiarowej. 3.Mikrotechnologie w projektowaniu inteligentnych sensorów. 4.Narzędzia inżynierskie wspomagające projektowanie przyrządów 5.Dokumentacja konstrukcyjna, technologiczna i materiałowa 6.Procedura kontroli jakości, legalizacji urządzeń pomiarowych 7.Wdrażanie zmian w procesie produkcji Tematyka zajęć.

1.Sydenham P.H.: Podręcznik metrologii. WKŁ, Warszawa 1988r. 2.Jaworski J.M., Pomiar, model, eksperyment, identyfikacja., MKM Katalog, The new specification sheet, Omega, 1996r 4.Winiecki W., Organizacja komputerowych systemów pomiarowych Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej 1997r. 5.K.Krupa, Metody organizacji i zarządzania WSZ Rzeszów Norma ISO 31 7.Rylski A., Mikrowoltomierz napięcia stałego o czułości 10  V, praca dyplomowa, 8.Rylski A., Mikrowoltomierz wektorowy napięcia zmiennego o czułości 1  V, rękopis, 9.Instrukcja obsługi mikrowoltomierza V Gęślicki R., Atrakcyjność ekonomiczna 11.Jędrzejewska K.,Krok po kroku do własnej firmy, Rzeczpospolita 12.Wzór aktu notarialnego z założenia spółki, dokument własny 13.Wzór dokumentów do zwołania walnego zgromadzenia wspólników, dokument własny 14.Gęślicki R., Ryzyko inwestycyjne, Rzeczpospolita 15.Yamasaki H., Inteligent Sensors, 16.Nowosielska M., Wybrane nowe materiały i technologie, Projekt pilotażowy UE Leonardo da Vinci SENSORS,2003, 17.Instrukcja pakitu Office 18.Instrukcja programu Protel 19.NormaPN- ISO 9001 model zapewnienia jakości w projektowaniu, produkcji, instalowaniu i serwisie 20.Norma PN-ISO 9002, model zapewnienia jakości w produkcji, instalowaniu i serwisie 21.Norma PN-ISO 9003, model zapewnienia jakości w kontroli i badaniach końcowych 22.PN-EN :1999, Wymagania bezpieczeństwa elektrycznych przyrządów pomiarowych automatyki i urządzeń laboratoryjnych Polski Komitet Normalizacyjny. LITERATURA

Wybrane zagadnienia w procesie projektowania, kompatybilność, odporność na zakłócenia Zagadnienia: Szumy kondensatora, rezystora, indukcyjności i elementów czynnych Podstawowe źródła i drogi zakłóceń Metody kompensacji dryftu Wybrane problemy w konstruowaniu wzmacniaczy o dużej czułości Przedwzmacniacz Wzmacniacz selektywny Wzmacniacze stałoprądowe Przetworniki ac/dc Rozłożenie pozespołów w obudowie Literatura: Rylski A., Mikrowoltomierz napięcia stałego o czułości 1  V Rorat D., Mikrowoltomierz napięcia stałego o rozdzielczości 0,1  V Instrukcja woltomierza Kethley L. Hasse, Z. Karkowski, Zakłócenia w aparaturze elektronicznej, W-wa 1995 A. Chwaleba, B. Moeschke, G. Płoszajski, Elektronika, podręcznik dla technikum, WsiP, W-wa 1994 A. Rylski, Metrologia II

Rezystory węglowe Duża pojemność własna (0,2 – 1 pF). Rezystory węglowe kompozytowe Współczynnik temperaturowy rezystancji ( ppm/K), Duża zależność rezystancji od napięcia ( ppm/V). Duże szumy i małą stabilność czasową. Rezystory węglowe warstwowe. Współczynnik temperaturowy rezystancji – TWR, który wynosi od –200 do –1000 ppm/K. Produkowane z tolerancją 5%. Rezystory metalowe Mała pojemność własna (poniżej 0,2 pF). Współczynnik temperaturowy TWR wynosi 5 do 100 ppm/K (dodatni, tak jak dla metali). Zależność rezystancji od napięcia wynosi 1 ppmN. Poziom szumów jest niski, Dobra stabilność długotrwałą.

Tabela 2 Kod paskowy (dotyczy wszystkich rezystorów, nie tylko o tolerancji 5%)**

Naturalne środowisko elektromagnetyczne

. Zakłócenia pochodzące od urządzeń technicznych Zakłócenia w liniach niskiego napięcia.

Charakterystyki częstotliwościowe zakłóceń a – osiedle mieszkanioweb – duży zakład przemysłowy

Wyładowania elektrostatycznego. Przykład oddziaływania wyładowania elektrostatycznego na aparaturę drogą: a – promieniowania 9obudowa uziemiona), b – przewodzenia (obudowa nieuziemiona, przepływ prądu przez płytkę drukowaną)

Hipotetyczny wybuch jądrowy o mocy 1 Mt Impuls elektromagnetyczny pochodzący od wybuchu jądrowego może indukować tak duże napięcia i prądy w antenach, liniach sygnałowych, liniach zasilania itd., że prowadzi to do zniszczenia urządzeń telekomunikacyjnych, elektrycznych, elektronicznych, elektromechanicznych i innych na dużym obszarze. Czas narastania impulsu elektromagnetycznego przy wybuchu jądrowym na dużej wysokości wynosi 5 ns., a natężenie pola elektrycznego dochodzi do kV/m. Widmo impulsu jest znacznie szersze niż przy wybuchu na powierzchni Ziemi czy w atmosferze i rozciąga się do 100 MHz.