TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Operacja litografii umożliwia przeniesienie rysunku, zdefiniowanego na masce na określony poziom struktury

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Warstwa SiO 2 Kontakt „górny” (Al) Kontakt dolny (Al) n+ p+ p Struktura krzemowej diody n+-p-p+

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Warstwa SiO 2 Kontakt rezystora (Al) n+ p+ p Struktura krzemowego rezystora n+-p-p+

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Struktura krzemowego ogniwa fotowoltaicznego n+-p-p+ Warstwa SiO 2 Elektroda zbierająca (Al) Kontakt dolny (Al) n+ p+ p

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Maska definiująca kształt obszarów dyfuzyjnych REZYSTOR OGNIWO SŁONECZNE DIODA PÓŁPRZEWOD- NIKOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Maska definiująca kształt warstw kontaktowych REZYSTOR OGNIWO SŁONECZNE DIODA PÓŁPRZEWOD- NIKOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA MOŻLIWOŚCI LITOGRAFII KIERUNKI ROZWOJU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA – KIERUNKI ROZWOJU DRAM DRAM wymiary chipu (mm ) MIKRO- PROCESOR wymiary chipu (mm ) Minimalny wymiar (  m) Pierwszy rok pojawienia się produktu 256 Mb170÷280180÷ Gb240÷400220÷ Gb360÷560260÷ Gb480÷790310÷ Gb670÷ ÷ Gb950÷ ÷ Zaczerpnięto z: „The National Technology Roadmap for Semiconductors 1997 Edition”, Semiconductor Industry Association, San Jose, 1997

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA – KIERUNKI ROZWOJU µm 0.10µm

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA RODZAJE LITOGARFII

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Zasadniczym etapem procesu litografii jest przeniesienie rysunku z maski na warstwę kopiową (warstwę rezystu, emulsji ) MASKA Z RYSUNKIEM PODŁOŻE WARSTWA KOPIOWA WARSTWA STRUKTURY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Warstwy kopiowe (rezysty, emulsje) – substancje zmieniające swoje właściwości pod wpływem oddziaływania różnych czynników WARSTWY KOPIOWE NEGATYWOWEPOZYTYWOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY NEGATYWOWE REZYST NEGATYWOWY POLIMERYZACJA (UTWARDZENIE) POD WPŁYWEM CZYNNIKA MODYFIKUJĄCEGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY NEGATYWOWE FRAGMENTY REZYSTU ŁATWE DO USUNIĘCIA POLIMERYZACJA (UTWARDZENIE) POD WPŁYWEM CZYNNIKA MODYFIKUJĄCEGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY NEGATYWOWE FRAGMENTY REZYSTU ŁATWE DO USUNIĘCIA POLIMERYZACJA (UTWARDZENIE) POD WPŁYWEM CZYNNIKA MODYFIKUJĄCEGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY POZYTYWOWE REZYST POZYTYWOWY MODYFIKACJA (OSŁABIENIE) STRUKTURY REZYSTU POD WPŁYWEM CZYNNIKA MODYFIKUJĄCEGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY POZYTYWOWE FRAGMENTY REZYSTU ŁATWE DO USUNIĘCIA MODYFIKACJA (OSŁABIENIE) STRUKTURY REZYSTU POD WPŁYWEM CZYNNIKA MODYFIKUJĄCEGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY POZYTYWOWE FRAGMENTY REZYSTU ŁATWE DO USUNIĘCIA MODYFIKACJA (OSŁABIENIE) STRUKTURY REZYSTU POD WPŁYWEM CZYNNIKA MODYFIKUJĄCEGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA CZYNNIKI MODYFIKUJĄCE WŁASNOŚCI WARSTWY REZYSTU RODZAJE LITOGARFII

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA - RODZAJE Czynnikiem zmieniającym własności rezystu jest światło widzialne FOTOLITOGRAFIA PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY ŚWIATŁOPOWIETRZE Obszar oddziały- wania na rezyst

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA - RODZAJE Czynnikiem zmieniającym własności rezystu są promienie rentgena RENTGENOLITOGRAFIA PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY PROMIENIE RENTGENA POWIETRZE Obszar oddziały- wania na rezyst

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA - RODZAJE Czynnikiem zmieniającym własności rezystu jest wiązka (strumień) elektronów ELEKTRONOLITOGRAFIA PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY WIĄZKA ELEKTRONÓW PRÓŻNIA Obszar oddziały- wania na rezyst

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA - RODZAJE Czynnikiem zmieniającym własności rezystu jest wiązka (strumień) jonów JONOLITOGRAFIA PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY WIĄZKA JONÓW PRÓŻNIA Obszar oddziały- wania na rezyst

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA FOTOLITOGRAFIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA Czynnikiem zmieniającym własności rezystu jest światło (fala elektromagnetyczna) DŁUGOŚĆ FALI ELEKTROMAGNETYCZNEJ [m] 0.4  m0.7  m światło widzialne podczerwień nadfiolet promieniowanie rentgenowskie mikrofale

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA ETAPY PROCESU POKRYWANIE POWIERZCHI PŁYTKI PODŁOŻOWEJ WARSTWĄ FOTOREZYSTU NAŚWIETLANIE WARSTWY FOTOREZYSTU PRZEZ MASKĘ WYWOŁYWANIE FOTOREZYSTU – USUNIĘCIE NIEUTWARDZONEJ WARSTWY FOTOREZYSTU TRAWIENIE WARSTWY CHRONIONEJ PRZEZ UTWARDZONY FOTOREZYST USUWANIE ZBĘDNEJ WARSTWY FOTOREZYSTU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 1 POKRYWANIE POWIERZCHI PŁYTKI PODŁOŻOWEJ WARSTWĄ FOTOREZYSTU REZYST PODŁOŻE WARSTWA STRUKTURY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 2 NAŚWIETLANIE WARSTWY FOTOREZYSTU PRZEZ MASKĘ PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY MASKA KLISZA Z RYSUNKIEM ŚWIATŁO ULTRAFIOLET

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 2 PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY NAŚWIETLONY FOTOREZYST REZYST NIENAŚWIETLONY FOTOREZYST NAŚWIETLANIE WARSTWY FOTOREZYSTU PRZEZ MASKĘ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 3 WYWOŁYWANIE – USUWANIE NIEUTWARDZONEJ WARSTWY REZYSTU PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY UTWARDZONY FOTOREZYST REZYST NIEUTWARDZONY FOTOREZYST

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 3 WYWOŁYWANIE – USUWANIE NIEUTWARDZONEJ WARSTWY REZYSTU PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY REZYST WYWOŁYWACZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 3 WYWOŁYWANIE – USUWANIE NIEUTWARDZONEJ WARSTWY REZYSTU PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY REZYST WYWOŁYWACZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 4 TRAWIENIE OKREŚLONEJ WARSTWY STRUKTURY PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY REZYST UTWARDZONA WARSTWA REZYSTU OCHRANIA WYBRANE FRAGMENTY STRUKTURY PRZED ODDZIAŁYWANIEM CZYNNIKA TRAWIĄCEGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 4 TRAWIENIE OKREŚLONEJ WARSTWY STRUKTURY PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY REZYST TRAWIENIE „MOKRE” W WODNYCH ROZTWORACH KWASÓW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 4 TRAWIENIE OKREŚLONEJ WARSTWY STRUKTURY PODŁOŻE REZYST TRAWIENIE „MOKRE” W WODNYCH ROZTWORACH KWASÓW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 4 TRAWIENIE OKREŚLONEJ WARSTWY STRUKTURY PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY REZYST TRAWIENIE „SUCHE” POPRZEZ BOMBARDOWANIE JONAMI WIĄZKA JONÓW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 4 TRAWIENIE OKREŚLONEJ WARSTWY STRUKTURY TRAWIENIE „SUCHE” POPRZEZ BOMBARDOWANIE JONAMI PODŁOŻE REZYST WIĄZKA JONÓW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 4 STRUKTURA PO PROCESIE TRAWIENIA PODŁOŻE REZYST TRAWIENIE OKREŚLONEJ WARSTWY STRUKTURY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 5 USUWANIE ZBĘDNEJ WARSTWY REZYSTU ZMYWANIE REZYSTU W SPECJALNYCH ODCZYNNIKACH PODŁOŻE REZYST

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 5 USUWANIE ZBĘDNEJ WARSTWY REZYSTU ZMYWANIE REZYSTU W SPECJALNYCH ODCZYNNIKACH PODŁOŻE REZYST

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 5 USUWANIE ZBĘDNEJ WARSTWY REZYSTU ZMYWANIE REZYSTU W SPECJALNYCH ODCZYNNIKACH PODŁOŻE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA 5 USUWANIE ZBĘDNEJ WARSTWY REZYSTU STRUKTURA PO ZMYCIU REZYSTU PODŁOŻE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA GOTOWA STRUKTURA RYSUNEK ZDEFINIOWANY NA MASCE ZOSTAŁ PRZENIESIONY NA OKREŚLONY POZIOM STRUKTURY PODŁOŻE UFORMOWANY W PROCESIE LITOGRAFII POZIOM STRUKTURY MASKA RYSUNEK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA NAKŁADANIE EMULSJI FOTOLITOGRAFICZNEJ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAKŁADANIE EMULSJI WIRÓWKA PŁYTKA POKRYWANA WARSTWĄ REZYSTU DOZOWNIK FOTOREZYSTU FOTOREZYST

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAKŁADANIE EMULSJI WIRÓWKA PŁYTKA POKRYWANA WARSTWĄ REZYSTU DOZOWNIK FOTOREZYSTU FOTOREZYST

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAKŁADANIE EMULSJI A – stała  – lepkość  [obr/min] grubość naniesionej warstwy rezystu h [µm] Wzrost lepkości

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – SUSZENIE EMULSJI TYP REZYSTU TEMPERATURA SUSZENIA WSTĘPNEGO [°C] PRZED NAŚWIETL. TEMPERATURA SUSZENIA KOŃCOWEGO [°C] PO NAŚWIETLANIU AZ AZ M-POSIT M-POSIT KODAK KODAK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – SUSZENIE EMULSJI Tunel grzewczy – piec elektryczny

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – SUSZENIE EMULSJI Tunel grzewczy – promienniki IR

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – SUSZENIE EMULSJI Suszenie w polu w.cz. [( )W, 2.45 GHz]

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA NAŚWIETLANIE EMULSJI PRZEZ MASKĘ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA Etap naświetlania emulsji fotolitograficznej przez maskę musi być poprzedzony: ZGRYWANIEM (JUSTOWANIEM) MASEK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Struktura n+-p-p+ - maskowanie rezystor ogniwo słoneczne dioda

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Struktura n+-p-p+ - maskowanie rezystor? ogniwo słoneczne? dioda?

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Znaki „BAZOWE” dd

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Znaki „BAZOWE”

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA Znaki „BAZOWE”

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA - NAŚWIETLANIE Metody naświetlania KONTAKTOWA ZBLIŻENIOWA PROJEKCYJNA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA - NAŚWIETLANIE Metoda kontaktowa W metodzie kontaktowej maska styka się bezpośrednio z naświetlaną emulsją PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY

( )nm ŚWIATŁO WIDZIALNE TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE – METODA KONTAKTOWA Do naświetlania jest wykorzystywane promieniowanie „wysokoenergetyczne” 700nm 400nm 600nm 500nm 300nm 200nm 100nm ( )nm( )nm ULTRA FIOLET ULTRA VIOLET - UV GŁEBOKI ULTRA FIOLET DEEP ULTRA VIOLET - DUV

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE – METODA KONTAKTOWA Niedokładne odwzorowanie rysunku maski – półcień – efekty dyfrakcyjne

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE – METODA KONTAKTOWA INTENSYWNOŚĆ OŚWIETLENIA OBSZAR NIEOŚWIETLONYOBSZAR OŚWIETLONY SYTUACJA MODELOWA EMULSJA FOTOLITOGRAFICZNA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE – METODA KONTAKTOWA INTENSYWNOŚĆ OŚWIETLENIA OBSZAR NIEOŚWIETLONYOBSZAR OŚWIETLONY SYTUACJA RZECZYWISTA EMULSJA FOTOLITOGRAFICZNA OBSZAR PÓŁCIENIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE Metoda zbliżeniowa W metodzie zbliżeniowej maska znajduje się w pewnym oddaleniu od naświetlanej emulsji PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE – METODA ZBLIŻENIOWA DYFRAKCJA Dyfrakcja (ugięcie) – zjawisko polegające na ugięciu promieni świetlnych przechodzących w pobliżu przegrody.

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE – METODA ZBLIŻENIOWA DYFRAKCJA a – szerokość szczeliny - długość fali a=12 a

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE – METODA ZBLIŻENIOWA DYFRAKCJAa a=5 a – szerokość szczeliny - długość fali

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE – METODA ZBLIŻENIOWA DYFRAKCJA a a=3 a – szerokość szczeliny - długość fali

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – NAŚWIETLANIE – METODA ZBLIŻENIOWA DYFRAKCJA a a= a – szerokość szczeliny - długość fali

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA -NAŚWIETLANIE Metoda projekcyjna W metodzie projekcyjnej obraz zdefiniowany na masce jest rzutowany na wybrany fragment podłoża PROJEKTOR REZYST WARSTWA STRUKTURY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA –NAŚWIETLANIE – SYSTEM PROJEKCYJNY ZWIERCIADŁO LAMPA ŁUKOWA RTĘCIOWA FILTR SOCZEWKA KONDENSORA MASKA SOCZEWKA POMNIEJ- SZAJĄCA PŁYTKA POKRYTA EMULSJĄ FOTOLITOGRAFICZNĄ Zwierciadlany układ projekcyjny

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA –NAŚWIETLANIE – SYSTEM PROJEKCYJNY ZWIERCIADŁO LAMPA ŁUKOWA RTĘCIOWA FILTR SOCZEWKA KONDENSORA MASKA SOCZEWKA POMNIEJ- SZAJĄCA Pozwala na pomniejszenie obrazu maski od 4 do 10 razy

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA –NAŚWIETLANIE – METODA PROJEKCYJNA SYSTEM PROJEKCYJNY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA –NAŚWIETLANIE – METODA PROJEKCYJNA SYSTEM PROJEKCYJNY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA –NAŚWIETLANIE – METODA PROJEKCYJNA SYSTEM PROJEKCYJNY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA –NAŚWIETLANIE – METODA PROJEKCYJNA SYSTEM PROJEKCYJNY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA –NAŚWIETLANIE – METODA PROJEKCYJNA SYSTEM PROJEKCYJNY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA WYWOŁYWANIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA - WYWOŁYWANIE Wywoływanie – proces usuwania nieutwardzonych fragmentów emulsji (rezystu) EMULSJA POZYTYWOWA EMULSJA NEGATYWOWA Monomery związków organicznych, które pod wpływem naświetlania ultrafioletem ulegają polimeryzacji Substancje wielocząsteczkowe, które pod wpływem naświetlania rozpadają się ułatwiając usuwanie

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – WYWOŁYWANIE REZYSTY NEGATYWOWE REZYST NEGATYWOWY POLIMERYZACJA (UTWARDZENIE) POD WPŁYWEM PROMIENI ULTRA- FIOLETOWYCH

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY NEGATYWOWE Promieniowanie ultrafioletowe inicjujące proces proces polimeryzacji rezystu

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY NEGATYWOWE UTWARDZONY FRAGMENT FOTOREZYSTU NIEUTWARDZONY USUWALNY W WYWOŁYWACZU FRAGMENT FOTOREZYSTU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY NEGATYWOWE UTWARDZONY FRAGMENT FOTOREZYSTU NIEUTWARDZONY USUWALNY W WYWOŁYWACZU FRAGMENT FOTOREZYSTU WYWOŁYWACZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY POZYTYWOWE REZYST POZYTYWOWY MODYFIKACJA (OSŁABIENIE) STRUKTURY REZYSTU POD WPŁYWEM PROMIENIOWANIA ULTRAFIOLETOWEGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY NEGATYWOWE Promieniowanie ultrafioletowe inicjujące proces proces polimeryzacji rezystu

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY NEGATYWOWE ROZPAD ZWIĄZKU POD WPŁYWEM PROMIENIOWANIA ULTRAFIOLETOWEGO FRAGMENT ZWIĄZKU O NIENARUSZONEJ STRUKTURZE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA REZYSTY NEGATYWOWE ROZPAD ZWIĄZKU POD WPŁYWEM PROMIENIOWANIA ULTRAFIOLETOWEGO FRAGMENT ZWIĄZKU O NIENARUSZONEJ STRUKTURZE WYWOŁYWACZ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA TRAWIENIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA -TRAWIENIE PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY REZYST PODŁOŻE REZYST W TRAKCIE TRAWIENIA REZYST OCHRANIA WYBRANE FRAGMENTY WARSTWY PRZED TRAWIENIEM PO TRAWIENIU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA -TRAWIENIE TRAWIENIE IZO- TROPOWE ANIZO- TROPOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA -TRAWIENIE TRAWIENIE IZOTROPOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA -TRAWIENIE TRAWIENIE IZOTROPOWE Zasadniczą cechą trawienia IZOTROPOWEGO jest brak wyróżnionego kierunku lub kierunków, w których szybkość roztwarzania materiału byłaby inna niż w jakimkolwiek dowolnym kierunku

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA -TRAWIENIE TRAWIENIE ANIZOTROPOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA -TRAWIENIE TRAWIENIE ANIZOTROPOWE Zasadniczą cechą trawienia anizotropowego (kierunkowego) jest możliwość roztwarzania materiału z różną szybkością trawienia w różnych kierunkach

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA TRAWIENIE W WODNYCH ROZTWORACH KWASÓW TRAWIENIE „MOKRE”

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – TRAWIENIE MOKRE PODŁOŻE REZYST WARSTWA STRUKTURY REZYST

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – TRAWIENIE MOKRE ROZTWÓR TRAWIĄCY PODTRAWIENIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – TRAWIENIE MOKRE ROZTWÓR TRAWIĄCY Efekt „zniknięcia lini”

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA TRAWIENIE POPRZEZ „BOMBARDOWANIE” WIĄZKĄ CZĄSTEK TRAWIENIE „SUCHE”

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – TRAWIENIE SUCHE ROZTWÓR TRAWIĄCY Ar+

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – TRAWIENIE SUCHE Wykorzystanie metod suchego trawienia pozwoliło na kształtowanie struktur niemożliwych do uzyskania w procesie trawienia mokrego

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( Ar+ FOTOLITOGRAFIA – TRAWIENIE SUCHE Ar+

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( FOTOLITOGRAFIA – TRAWIENIE SUCHE SUCHE TRAWIENIE METODY PLAZMOWE METODY WIĄZKI JONOWEJ REAKTOR TUNELOWY REAKTOR Z WIĄZKĄ JONÓW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRAWIENIE SUCHE – REAKTOR TUNELOWY ELEKTRODY PŁYTKI KRZEMOWE CYLINDER ALUMINIOWY KASETA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRAWIENIE SUCHE – REAKTOR TUNELOWY „ZAPALENIE” WYŁADOWANIA JARZENIOWEGO PLAZMA DO POWIERZCHNI PŁYTKI DOCIERAJĄ CZĄSTKI LUB ATOMY NEUTRALNE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRAWIENIE SUCHE – REAKTOR DO TRAWIENIA WIĄZKĄ JONÓW ELEKROMAGNESY TERMO- KATODA WLOT GAZU SIATKITRAWIONE PODŁOŻA DO UKŁADU POMPOWEGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRAWIENIE SUCHE – REAKTOR DO TRAWIENIA WIĄZKĄ JONÓW WLOT GAZU DO UKŁADU POMPOWEGO OBSZAR JONIZACJI OBSZAR FORMOWA- NIA WIĄZKI JONOWEJ OBSZAR PRZYS- PIESZANIA JONÓW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRAWIENIE SUCHE – REAKTOR DO TRAWIENIA WIĄZKĄ JONÓW WLOT GAZU OBSZAR JONIZACJI OBSZAR FORMOWANIA WIĄZKI JONOWEJ OBSZAR PRZYS- PIESZANIA JONÓW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( SUCHE TRAWIENIE ODDZIAŁYWANIE WIĄZKI JONÓW Z CIAŁEM STAŁYM

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ODDZIAŁYWANIE WIĄZKI JONÓW Z CIAŁEM STAŁYM + + ADSORPCJA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ODDZIAŁYWANIE WIĄZKI JONÓW Z CIAŁEM STAŁYM + + IMPLANTACJA JONÓW + +

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ODDZIAŁYWANIE WIĄZKI JONÓW Z CIAŁEM STAŁYM + + ROZPYLANIE MATERIAŁU PODŁOŻA + BINGO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA RENTGENO- LITOGRAFIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA Czynnikiem zmieniającym własności rezystu są promienie rentgena (fala elektromagnetyczna) DŁUGOŚĆ FALI ELEKTROMAGNETYCZNEJ [m] twarde nadfiolet promieniowanie rentgenowskie nm0.01nm10nm średniemiękkie 0.1nm

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA Wykorzystanie promieni rentgena pozwala na dokładniejsze odwzorowanie rysunku zdefiniowanego na masce. Ze względu na mniejszą długość fali elektromagnetycznej efekty dyfrakcyjne występują przy odwzorowywaniu znacznie „węższych” linii

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA =(0.2 ÷ 0.3)  m =(0.4 ÷5)nm NADFIOLETPROMIENIE RENTGENA W1W1 W1W1 W2W2 W2W2 W 2 > W 1 W 2 = W 1

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA MASKA Z WARSTWĄ TŁUMIĄCĄ PROMIENIOWANIE RENTGENOWSKIE LAMPA RENTGENOWSKA KATODA EMITUJĄCA WIĄZKĘ ELEKTRONÓW ANTYKATODA PŁYTKA PODŁOŻOWA Z WARSTWĄ REZYSTU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA 1. Emisja elektronów z katody 2. Wyhamowanie elektronów na antykatodzie 3. Emisja promieniowania rentgenowskiego

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA Maski dla rentgenolitografii PODŁOŻE PRZEZROCZYSTE DLA PROMIENIOWANIA RENGENOWSKIEGO Si, SiO 2, Al 2 O 3 MATERIAŁ TŁUMIĄCY PROMIENIOWANIE RENGENOWSKIE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA Materiały pochłaniające promieniowanie rentgenowskie DŁUGOŚĆ FALI [nm] WSPÓŁCZYNNIK ABSORPCJI PROMIENIOWANIA RENGENOWSKIEGO [dB/  m] Si Al Au

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA Maski dla rentgenolitografii PODŁOŻE KRZEMOWE WARSTWA ZŁOTA MEMBRANA KRZEMOWA ZNAKI BAZOWE RYSUNEK PRZYRZĄDU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA Naświetlanie rezystu – problemy justowania OKNO DO CENTROWANIA OKNO Z RYSUNKIEM STRUKTURY REZYST MASKA PODŁOŻE DETEKTOR PROMIENIOWANIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA Naświetlanie rezystu – problemy justowania REZYST PODŁOŻE MASKA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( RENTGENOLITOGRAFIA Naświetlanie rezystu – problemy justowania REZYST PODŁOŻE MASKA X

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA ELEKTRONO- LITOGRAFIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKRONOLITOGRAFIA W metodzie elektrono- wiązkowej czynnikiem modyfikującym własności rezystu jest wiązka elektronów

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKRONOLITOGRAFIA Czym jest elektron?

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKRONOLITOGRAFIA Z każdym obiektem „materialnym” skojarzona jest fala o długości: h – stała Plancka m – masa elektronu  – prędkość elektronu Hipoteza de Broglie`a

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKRONOLITOGRAFIA Z każdym obiektem „materialnym” skojarzona jest fala o długości: h – stała Plancka m – masa elektronu  – prędkość elektronu Hipoteza de Broglie`a

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKRONOLITOGRAFIA Długość fali skojarzonej z elektronem zależy od energii elektronu DŁUGOŚĆ FALI [m] ENERGIA ELEKTRONU [eV] WZROST ENERGIIWZROST DŁUGOŚCI FALI

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKTRONOLITOGRAFIA DŁUGOŚĆ FALI ELEKTROMAGNETYCZNEJ [m] twarde nadfiolet promieniowanie rentgenowskie 1nm0.01nm10nm średniemiękkie 0.1nm DŁUGOŚĆ FALI [m] ELEKTRON

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKTRONOLITOGRAFIA - APARATURA UKŁAD STEROWANIA MAGNETYCZNY SYSTEM OCHYLANIA ŹRÓDŁO ELEKTRONÓW STEROWANIE WŁĄCZANIEM I WYŁĄCZANIEM WIĄZKI RUCHOMY STOLIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKTRONOLITOGRAFIA - APARATURA UKŁAD STEROWANIA MAGNETYCZNY SYSTEM OCHYLANIA ŹRÓDŁO ELEKTRONÓW STEROWANIE WŁĄCZANIEM I WYŁĄCZANIEM WIĄZKI RUCHOMY STOLIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKTRONOLITOGRAFIA - APARATURA UKŁAD STEROWANIA MAGNETYCZNY SYSTEM OCHYLANIA ŹRÓDŁO ELEKTRONÓW STEROWANIE WŁĄCZANIEM I WYŁĄCZANIEM WIĄZKI RUCHOMY STOLIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKTRONOLITOGRAFIA - APARATURA UKŁAD STEROWANIA MAGNETYCZNY SYSTEM OCHYLANIA ŹRÓDŁO ELEKTRONÓW STEROWANIE WŁĄCZANIEM I WYŁĄCZANIEM WIĄZKI RUCHOMY STOLIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKTRONOLITOGRAFIA - APARATURA UKŁAD STEROWANIA MAGNETYCZNY SYSTEM OCHYLANIA ŹRÓDŁO ELEKTRONÓW STEROWANIE WŁĄCZANIEM I WYŁĄCZANIEM WIĄZKI RUCHOMY STOLIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( ELEKTRONOLITOGRAFIA - APARATURA UKŁAD STEROWANIA MAGNETYCZNY SYSTEM OCHYLANIA ŹRÓDŁO ELEKTRONÓW STEROWANIE WŁĄCZANIEM I WYŁĄCZANIEM WIĄZKI RUCHOMY STOLIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( LITOGRAFIA JONOLITOGRAFIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( JONOLITOGRAFIA W metodzie jonowiązkowej czynnikiem modyfikującym własności rezystu jest wiązka jonów

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( JONOLITOGRAFIA Z każdym obiektem „materialnym” skojarzona jest fala o długości: h – stała Plancka m – masa protonu  – prędkość elektronu Hipoteza de Broglie`a

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( JONOLITOGRAFIA Z każdym obiektem „materialnym” skojarzona jest fala o długości: h – stała Plancka m – masa protonu  – prędkość elektronu Hipoteza de Broglie`a

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( JONOLITOGRAFIA Długość fali skojarzonej z elektronem oraz protonem zależy od energii DŁUGOŚĆ FALI [m] ENERGIA ELEKTRONU, PROTONU [eV] ENERGIA ELEKTRON PROTON

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( JONOLITOGRAFIA SKANUJĄCY UKŁAD JONO- WIĄZKOWY EMITER JONÓWELEKTRODA EKSTRAKCYJNA DIAFRAGMAUKŁAD PRZYSPIESZANIA JONÓW ELEKTRODY FORMUJĄCE WIĄZKĘ STOLIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( JONOLITOGRAFIA SKANUJĄCY UKŁAD JONO- WIĄZKOWY EMITER JONÓWELEKTRODA EKSTRAKCYJNA DIAFRAGMAUKŁAD PRZYSPIESZANIA JONÓW ELEKTRODY FORMUJĄCE WIĄZKĘ STOLIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( JONOLITOGRAFIA SKANUJĄCY UKŁAD JONO- WIĄZKOWY EMITER JONÓWELEKTRODA EKSTRAKCYJNA DIAFRAGMAUKŁAD PRZYSPIESZANIA JONÓW ELEKTRODY FORMUJĄCE WIĄZKĘ STOLIK

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( PORÓWNANIE METOD LITOGRAFII

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( PORÓWNANIE METOD LITOGRAFII µm1µm 100nm 10nm 1nm 100pm 10pm 1pm 100fm 10fm ENERGIA CZĄSTEK [eV] DŁUGOŚĆ FALI [m] fotony elektrony protony FOTOLITOGRAFIA RENTGENO- LITOGRAFIA ELEKTRONO- LITOGRAFIA JONOLITOGRAFIA