Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

TRANZYSTORY POLOWE – JFET unipolarne. Tranzystory polowe Tranzystory polowe, nazywane również tranzystorami unipolarnymi, stanowią grupę kilku rodzajów.

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "TRANZYSTORY POLOWE – JFET unipolarne. Tranzystory polowe Tranzystory polowe, nazywane również tranzystorami unipolarnymi, stanowią grupę kilku rodzajów."— Zapis prezentacji:

1 TRANZYSTORY POLOWE – JFET unipolarne

2 Tranzystory polowe Tranzystory polowe, nazywane również tranzystorami unipolarnymi, stanowią grupę kilku rodzajów elementów, które są sterowane polem elektrycznym co oznacza, że nie pobierają mocy na wejściu. W działaniu elementu udział bierze tylko jeden rodzaj nośników ładunku, stąd nazwa polowy (unipolarny). 2

3 3 Tranzystory polowe, zwane w skrócie FET (ang. Field Effect Transistor), mają kanał typu P lub kanał typu N, który może być wzbogacony lub zubożony. W tranzystorach z kanałem typu N nośnikami prądu są elektrony, a w tranzystorach z kanałem typu P nośnikami prądu są dziury.

4 W tranzystorach polowych między elektrodami płynie prąd nośników jednego rodzaju, prąd nośników większościowych. Wartość prądu przepływającego przez tranzystor polowy jest zależna od wartości napięcia przyłożonego między źródłem a drenem oraz od wartości rezystancji kanału. 4

5 Tranzystory polowe złączowe – JFET (ang. Junction FET), Tranzystory polowe z izolowaną bramką – IGFET lub MOSFET (ang. Insulated Gate FET lub Metal Oxide Semiconductor FET). Tranzystory polowe cienkowarstwowe TFT (ang. Thin Film Transistor). Tranzystorów polowe dzielimy na: 5

6 W tranzystorach polowych elektrody mają swoją nazwę i określony symbol: Źródło (ang. Source), oznaczone literą S. Jest elektrodą z której wypływają nośniki ładunku do kanału. Prąd źródła oznacza się jako Is. Dren (ang. Drain), oznaczone literą D. Jest elektrodą do której dochodzą nośniki ładunku. Prąd drenu – ID, napięcie dren-źródło – UDS. Bramka (ang. Gate), oznaczone literą G. Jest elektrodą sterującą przepływem ładunków. Prąd bramki – IG, napięcie bramka-źródło – UGS.

7 TRANZYSTORY POLOWE Działanie tranzystora polowego polega na sterowaniu przepływem prądu przez kanał za pomocą pola elektrycznego wytwarzanego przez napięcie doprowadzone do bramki. Ponieważ w tranzystorze polowym nie ma żadnych przewodzących złącz więc do bramki nie wpływa ani z niej nie wypływa żaden prąd i jest to chyba najważniejsza cecha tranzystorów polowych. 7

8 Zasada działania tranzystora polowego 8 W tranzystorze polowym JFET elektrody D (dren) i S (źródło) dołączone są do płytki półprzewodnika, a złącze pn występuje między tą płytką obszarem bramki G co pokazane jest na rys. Jednorodny obszar półprzewodnika występujący między drenem i źródłem stanowi kanał, przez który płynie prąd i którego rezystancję można zmieniać przez zmianę przekroju kanału.

9 Zasada działania tranzystora polowego 9 Zmianę przekroju kanału uzyskuje się przez rozszerzenie lub zwężenie warstwy zaporowej złącza pn, a więc przez zmianę napięcia U GS polaryzującego to złącze w kierunku zaporowym. Pod wpływem napięcia U GS polaryzującego zaporowo złącze pn, warstwa zaporowa rozszerzy się tak, jak to pokazane jest na rysunku przekrój kanału tym samym zmniejszy się, a jego rezystancja wzrośnie. Dalsze zwiększanie napięcia U GS w kierunku zaporowym spowoduje, że warstwy zaporowe połączą się i kanał zostanie zamknięty, a jego rezystancja będzie bardzo duża.

10 Zasada działania tranzystora polowego 10 Na rysunkach 1 i 2 przedstawiona jest sytuacja gdy doprowadzone jest napięcie U DS między dren i źródło, przy zachowaniu tego samego potencjału bramki i źródła. Jak widać na rys. 1 w pobliżu drenu warstwa zaporowa jest szersza niż w pobliżu źródła. Jest to spowodowane tym, że złącze pn wzdłuż kanału jest polaryzowane różnymi napięciami. Do stałego napięcia U GS dodaje się spadek napięcia występujący między danym punktem kanału a źródłem S. Dalszy wzrost napięcia U DS powoduje dalsze rozszerzanie warstwy zaporowej aż do zamknięcia kanału, co powoduje stan nasycenia.

11 Symbole 11

12 Typowe parametry tranzystorów polowych TypBF245BIRF530 TechnologiaZłączowyMOS RodzajKanał typu n zubożany Kanał typu n wzbogacan y Parametry graniczne Napięcie dren-źródło U DSmax Prąd drenu I Dmax Napięcie bramka-źródło U GSmax Moc strat P strmax 30V 25mA -30V 300mW 100V 10A ±20V 75W Parametry charakterystyczne Napięcie progowe U P Prąd drenu przy U GS =0 I DSS Transkonduktancja g mm Rezystancja w stanie włączenia r dson Maksymalny prąd bramki I Gmax Prąd drenu w stanie odcięcia I Dmax Pojemność wejściowa C weS Pojemność wyjściowa C wyS Pojemność zwrotna C wS Pole wzmocnienia f S Czas włączenia t on Czas wyłączenia t off -1, ,5V 6..15mA 5mA/V 200 5nA 10nA 4pF 1,6pF 1,1pF 700MHz 1,5...3,5V 5A 5A/V 0,14 0,5mA 1mA 750pF 300pF 50pF 30ns 50ns


Pobierz ppt "TRANZYSTORY POLOWE – JFET unipolarne. Tranzystory polowe Tranzystory polowe, nazywane również tranzystorami unipolarnymi, stanowią grupę kilku rodzajów."

Podobne prezentacje


Reklamy Google