Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Charakterystyka powierzchni przewodzących i półprzewodnikowych wybranymi metodami fizykochemicznymi Zespół: A. Jabłoński, J. Sobczak, M. Krawczyk, W. Lisowski,

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "Charakterystyka powierzchni przewodzących i półprzewodnikowych wybranymi metodami fizykochemicznymi Zespół: A. Jabłoński, J. Sobczak, M. Krawczyk, W. Lisowski,"— Zapis prezentacji:

1 Charakterystyka powierzchni przewodzących i półprzewodnikowych wybranymi metodami fizykochemicznymi Zespół: A. Jabłoński, J. Sobczak, M. Krawczyk, W. Lisowski, I. Flis-Kabulska, O. Chernyayeva, K. Nikiforow Seminarium Sprawozdawcze programu Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie, Warszawa, 24 czerwca 2009 r. Zadania: 1.Przygotowanie infrastruktury laboratoryjnej do charakteryzacji powierzchni 2.Charakterystyka niemodyfikowanych powierzchni GaN uzyskanych w IWC oraz powierzchni niemodyfikowanych elektrod (AFM, XPS) 3.Charakterystyka powierzchni przewodzących (elektrod) i półprzewodnikowych (GaN) modyfikowanych ligandami (AFM/STM, XPS, FTiR, Raman, SPR)

2 Zad. 1Przygotowanie infrastruktury laboratoryjnej do charakteryzacji powierzchni: -prace związane z uruchomieniem, kalibracją i testowaniem elementów komory preparatywnej: napylarek, wagi kwarcowej, spektrometru LEED. Przeprowadzono testy warunków napylania Au z naparowywarki efuzyjnej (grzanej oporowo) oraz Cu z naparowywarki wykorzystującej bombardowanie elektronami, ustalając optymalne parametry napylania. Przeprowadzono testy pracy analizatora gazów resztkowych RGA 300 (dr M. Krawczyk).

3 - prace związane z uruchomieniem, kalibracją i testowaniem mikroskopu tunelowego STM, przygotowaniem układu wykonywania tipów wolframowych (dr K. Nikiforow) -rozszerzono zakresy parametrów pracy spektrometru XPS, zwiększając intensywność i powierzchnię skanowania wiązką monochromatyczną (dr hab. W. Lisowski, dr J. Sobczak)

4 - testowano działo fullerenowe w komorze analitycznej spektrometru XPS (dr hab. W. Lisowski, dr J. Sobczak) - przeprowadzono kalibrację szybkości trawienia jonowego na wzorcach SiO 2 /Si dla dwu energii jonów Ar keV ( 1,4 nm/min) i 2 keV (10 nm/min) (dr hab. W. Lisowski)

5 - testy walizki próżniowej – przenośnej komory wysokopróżniowej, umożliwiającej bezpieczny transport próbek w warunkach UHV (dr J. Sobczak)

6 - przetarg na spektrometr FTIR z komorą próżniową oraz przystawką umożliwiającą zastosowanie metody IRRAS, umożliwiającą identyfikację orientacji molekuł na powierzchni. W wyniku przetargu zawarto umowę na zakup spektrometru BRUKER Vertex 80V z przystawką PEM, zawierającą fotoplastyczny modulator i polaryzator za sumę zł (dr K. Noworyta, dr J. Sobczak).

7 Zadanie 2 - Charakterystyka niemodyfikowanych powierzchni GaN uzyskanych w IWC oraz powierzchni niemodyfikowanych. - pomiary profili wgłębnych metodą XPS warstw In x Ga 1-x N na podłożu szafir/GaN, o grubości około 200 nm i różnej zawartości In, dostarczonych przez Instytut Wysokich Ciśnień PAN (doc.dr hab. C. Skierbiszewski, prof. S. Porowski). - pomiary składu powierzchni warstw GaN na szafirze, o różnej szorstkości powierzchni, otrzymywanych techniką MOVPE w Instytucie Fizyki PAN (prof. Z.R. Zytkiewicz, prof. A. Kozanecki). Warstwy takie używane są jako podłoża do wzrostu struktur techniką MBE.

8 Prowadzono również badania serii warstw ZnO otrzymywanych w Instytucie Fizyki przez dr E. Guziewicz, określając poziom zanieczyszczeń powierzchniowych w zależności od warunków preparatyki. Zadanie 3 - Charakterystyka powierzchni przewodzących (elektrod) i półprzewodnikowych (GaN) modyfikowanych ligandami. -prowadzono serie analiz modelowych warstw ligandów organicznych, na różnych etapach preparatyki, w celu potwierdzenia oczekiwanego przebiegu reakcji lub oczekiwanego składu syntezowanego ligandu dla zespołów Instytutu Chemii Fizycznej: np.: obecnośc Tb i Eu w zwiazkach zakotwiczonych na powierzchni nanorurek

9 - potwierdzenie obecności określonych stanów chemicznych azotu i fosforu na kolejnych etapach preparatyki molekularnie wdrukowanych polimerów (MIP)

10 - Potwierdzenie dołączenia bromopirydyny do zakotwiczonego na powierzchni kompleksu kobaltowo- pofirynowego, określenie stosunku atomowego Br:Co

11 Potwierdzenie struktury kompozytu polimerowego na bazie 2- (ferocenylo)fulereno[C60] pirolidyny oraz Pd i nanorurek węglowych

12 XPS, AES and EPES studies of thick InGaN layers M. Krawczyk, W. Lisowski, J. W. Sobczak, A. Kosiński, A. Biliński, O. Chernyayeva A. Jablonski, C. Skierbiszewski, M. Siekacz, S. Wierzchowska (IChF PAN – IWC PAN). Characterization of InGaN Layers: XPS/AES Analysis Combined with EPES Measurements Characterization of InGaN Layers: XPS/AES Analysis Combined with EPES Measurements M. Krawczyk, W. Lisowski, J. W. Sobczak,*, A. Kosiński, A. Biliński, O. Chernyayeva, A. Jablonski, C. Skierbiszewski, M. Siekacz, S. Wierzchowska (IChF PAN – IWC PAN). Prezentacje konferencyjne 13 th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis Publikacje The backscattering factor for systems with a non-uniform surface region: Definition and calculations A. Jabłoński Surface Science 603, (2009)

13 Oferowane metody i techniki powierzchniowe: ESCALAB-210 – - spektroskopia fotoelektronów ze źródłem achromatycznym promieniowania rentgenowskiego, anoda Al i Mg - komora preparatywna do reakcji/adsorpcji gazów w zakresie temperatur 100K- 1000K - linie gazowe H 2, D 2, CO, NO, N 2 O, O 2, Ar - termodesorpcja programowana w komorze analitycznej, z detekcją kwadrupolowym spektrometrem masowym (200 amu) PHI 5000 VersaProbe - - spektroskopia fotoelektronów ze źródłem achromatycznym promieniowania rentgenowskiego, anoda Al i Mg - spektroskopia fotoelektronów ze skanującym źródłem monochromatycznym promieniowania rentgenowskiego, anoda Al, mikroogniskowanie wiązki w zakresie 10 – 100 nm - możliwość pomiaru w zakresie temperatur K - spektroskopia fotoelektronów ze źródłem promieniowania UV (UPS) - spektroskopia elektronów Augera - profilowanie z wykorzystaniem skanującego działa argonowego o energii do 5 keV - profilowanie delikatnych materiałów (polimery, struktury biologiczne) skanującym działem fullerenowym C 60 o energii do 10 keV. komora preparatywna z napylarkami: - celka efuzyjna pracująca w zakresie temperatur °C - z bombardowaniem elektronowym, do zakresu temperatur 160 – 2300°C - plazmowe działo azotowe ze wzbudzeniem mikrofalowym - dyfrakcja powolnych elektronów (LEED) - linie gazowe H 2, CO, NO, N 2 O, O 2, Ar - termodesorpcja programowana w komorze preparatywnej, z detekcją kwadrupolowym spektrometrem masowym (300 amu) komora mikroskopu tunelowego z kriostatem, pomiary STM/ AFM przepływowy reaktor chemiczny z liniami gazowymi H 2, CO, NO, do prowadzenia reakcji w zakresie temperatur 90 – 1000 K


Pobierz ppt "Charakterystyka powierzchni przewodzących i półprzewodnikowych wybranymi metodami fizykochemicznymi Zespół: A. Jabłoński, J. Sobczak, M. Krawczyk, W. Lisowski,"

Podobne prezentacje


Reklamy Google