Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego.

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
Przetworniki pomiarowe
Advertisements

Równanie Schrödingera
Celem jest przedstawienie zasadniczych treści wykładu: podstaw elektryczności, obwodów elektrycznych, elementów biernych, przyrządów półprzewodnikowych,
Tranzystory Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne bipolarny
Diody półprzewodnikowe i ich zastosowanie
Cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: konfiguracji połączeń,
Tranzystory - cele wykładu
Wzmacniacze operacyjne.
Elementy Elektroniczne
Elementy Elektroniczne
Elementy Elektroniczne
Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny, FET
Standardy przetwarzania analogowo- cyfrowego Część I „Jak to działa?”
kontakt m-s, m-i-s, tranzystory polowe
Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania
Badanie elementów optoelektronicznych
MICHAŁ CZAPLA 4T1.
Bartłomiej Ścibiorski
PARAMETRY WZMACNIACZY
Przygotował Paweł Szeląg
Wzmacniacze Wielostopniowe
Generatory napięcia sinusoidalnego
WZMACNIACZE PARAMETRY.
Prezentację wykonała: mgr inż. Anna Jasik
Wzmacniacze – ogólne informacje
Sprzężenie zwrotne Patryk Sobczyk.
Mateusz Wieczorkiewicz
Podstawy teorii przewodnictwa
TRANZYSTOR BIPOLARNY.
Elektronika Leszek P. Błaszkiewicz.
Fotodiody MPPC Michał Dziewiecki Politechnika Warszawska
Zastosowania komputerów w elektronice
Temat: Fotorezystor Fotodioda Transoptor.
Parametry układów cyfrowych
DETEKTORY I MIESZACZE.
Tranzystory FET.
Diody półprzewodnikowe
Tranzystory - cele wykładu
7. Generatory LC 7.1. Wstęp Generator Wzmacniacz YL YG Zasilanie IG
WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW
Mikroprocesory Patrycja Galik.
Wykłady z podstaw elektrotechniki i elektroniki Paweł Jabłoński
TRANZYSTORY POLOWE – JFET
Miłosz Andrzejewski IE
Tranzystor jest elementem półprzewodnikowym
Energoelektronika.
Tranzystory z izolowaną bramką
Miłosz Andrzejewski IE
Wzmacniacz operacyjny
FOTOWOLTAIKA -PRĄD ZE SŁOŃCA energia na dziś, energia na jutro
Tyrystory.
DIODA.
Analogowych Układów Elektronicznych I Pytania testowe z
W1. GENERATORY DRGAŃ SINUSOIDALNYCH
Temat lekcji: Badanie zależności natężenia prądu od napięcia dla odcinka obwodu. Małgorzata Mergo, Lidia Skraińska informatyka +
3. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone c.d.
Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe
Wzmacniacze akustyczne Podstawy, układy i parametry
Urządzenia półprzewodnikowe
Wzmacniacz operacyjny
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (
Fizyka Prezentacja na temat: „Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe” MATEUSZ DOBRY Kraków, 2015/2016.
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (
Dioda detekcyjna. Demodulator AM U wy U we Dioda impulsowa.
Dioda detekcyjna.
4. TRANZYSTORY Tranzystor - trójelektrodowy (lub czteroelektrodowy) przyrząd półprzewodnikowy posiadający właściwości wzmacniające (zastąpił lampy.
Fotodetektory Fotodetektor  Zmiana sygnału optycznego na elektryczny (I, U, ΔR) Istotne są trzy etapy absorpcja optyczna i generacja nośników transport.
Elektronika WZMACNIACZE.
Wzmacniacz operacyjny
Sprzężenie zwrotne M.I.
Zapis prezentacji:

Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu „TRANsfer reSISTOR", który oznacza element transformujący rezystancję.

Klasyfikacja tranzystorów Tranzystory bipolarne, w których prąd wyjściowy jest funkcją prądu wejściowego (sterowanie prądowe). Tranzystory unipolarne (tranzystory polowe), w których prąd wyjściowy jest funkcją napięcia (sterowanie napięciowe). 1. Krzemowe i germanowe 2. Małej i dużej mocy 3. Małej i wielkiej częstotliwości

Tranzystor bipolarny Tranzystor, który zbudowany jest z trzech warstw półprzewodników o różnym rodzaju przewodnictwa, tworzących dwa złącza PN; sposób polaryzacji złącz determinuje stan prac tranzystora. Tranzystor posiada trzy końcówki przyłączone do warstw półprzewodnika, nazywane: emiter (ozn. E), baza (ozn. B), kolektor (ozn. C).

n p UBC IC IE IB IEn IEp IR ICB0 αIEn UBE

n p UBC IC IE IB IEn IEp IR ICB0 αIEn IR - prąd rekombinacji elektronów z dziurami w obszarze bazy αIEn - część prądu emitera docierająca do kolektora ICB0 - prąd płynący przez zaporowo spolaryzowane złącze kolektor -baza

IC IE IB

Oznaczając: Otrzymujemy: Jeśli α≈1 to wzmocnienie prądowe β >> 1

IC IE IB UBE UCE Układ pracy o wspólnym emiterze OE

Charakterystyki statyczne tranzystora npn w układzie o wspólnym emiterze IC IE IB UBE UCE

Układ pracy o wspólnym emiterze OE