Komorka elementarna: miedzi oraz krzemu

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
Tranzystory Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne bipolarny
Advertisements

Diody półprzewodnikowe i ich zastosowanie
Cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: konfiguracji połączeń,
Elementy Elektroniczne
Elementy Elektroniczne
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego.
Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny, FET
Metale Najczęstsze struktury krystaliczne : heksagonalna,
Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (LASER)
Diody świecące i lasery półprzewodnikowe
Powierzchnia – jak ją zdefiniować ?
kontakt m-s, m-i-s, tranzystory polowe
Złącze P-N.
Badanie elementów optoelektronicznych
Obwód elektryczny I U E R Przykład najprostrzego obwodu elektrycznego
Prezentację wykonała: mgr inż. Anna Jasik
Tak było, jak będzie? Lampy próżniowe. Komputery lampowe – 15 kW – zasilanie bloku mieszkalnego. Tranzystor – – Wiliam Shockley, John Bardeen,
Mateusz Wieczorkiewicz
Wykonał Artur Kacprzak kl. IVaE
1 Własności elektronowe amorficznych stopów Si/Me:H w pobliżu przejścia izolator-metal Gęste pary metali (wzrost gęstości -> I-M) niemetale poddane wysokiemu.
Podstawy teorii przewodnictwa
DIELEKTRYKI TADEUSZ HILCZER
Radosław Strzałka Materiały i przyrządy półprzewodnikowe
Kiedy półprzewodniki stają się przewodnikami i izolatorami?
Wykład XIII Laser.
Metale Najczęstsze struktury krystaliczne : heksagonalna,
Wykład 10.
Wykład IV Teoria pasmowa ciał stałych.
Złącza półprzewodnikowe
Wykład III.
Wykład II.
Wykład V Półprzewodniki samoistne i domieszkowe.
TRANZYSTOR BIPOLARNY.
Lasery i diody półprzewodnikowe
Praca dyplomowa inżynierska
Materiały Półprzewodnikowe
Materiały Półprzewodnikowe
Parametry układów cyfrowych
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Diody półprzewodnikowe
Tranzystory - cele wykładu
WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW
1 WYKŁAD WŁASNOŚCI PRZEJŚĆ WYMUSZONYCH 1.Prawdopodobieństwo przejść wymuszonych jest różne od zera tylko dla zewnętrznego pola o częstości rezonansowej,
Półprzewodniki Wykonał: Kamil Gręźlikowski kl. 1H.
Tyrystory.
WPŁYW WYBRANYCH CZYNNIKÓW NA CHARAKTERYSTYKI PRZETWORNICY BOOST
Oled.
Politechnika Rzeszowska
Politechnika Rzeszowska
Treści multimedialne - kodowanie, przetwarzanie, prezentacja Odtwarzanie treści multimedialnych Andrzej Majkowski informatyka +
3. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone c.d.
3. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone
Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (
występowanie, właściwości krzemu ważniejsze związki krzemu
Półprzewodniki r. Aleksandra Gliniany.
Metale i izolatory Teoria pasmowa ciał stałych
Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe Elżbieta Podgórska Zarządzanie i Inżynieria Produkcji Wydział Górnictwa i Geoinżynierii Gr 3, rok 4
Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe
Fizyka Prezentacja na temat: „Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe” MATEUSZ DOBRY Kraków, 2015/2016.
Ewa Popko 1.  1. Właściwości ciał stałych  2. Symetria kryształu  3. Wiązania w ciele stałym  4.Przybliżenie elektronów swobodnych. Metale  5. Model.
Dioda detekcyjna. Demodulator AM U wy U we Dioda impulsowa.
LED (Light Emitting Diode) dioda elektroluminescencyjna LASER
DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dioda detekcyjna.
Zapis prezentacji:

Komorka elementarna: miedzi oraz krzemu

Dwa atomy miedzi. Obsadzenie poziomow energetycznych

Uklad pasm I przerw tworzacych stukture energetyczna ciala stalego

Gestosc stanow

Prawdopodobienstwo obsadzenia P(E)

Uklad pasm I przerw energetycznych polprzewodnika

Schemat struktury krystalicznej czystego krzemu

Domieszkowany polprzewodnik typu n

Zlacze p-n

Charakterystyka pradowa zlacza p-n

Zlacze p-n jako zlacze prostujace

Zlacze p-n spolaryzowane w kierunku przewodzenia

Zlacze p=n spolaryzowane w kierunku przewodzenia

Przekroj diody swiecacej LED

Obwod elektryczny z tranzystorem polowym

Tranzystor MOSFET

Poziom Fermiego