Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytwarzanie tranzystora NMOS.

Slides:

Advertisements

Podobne prezentacje

Cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: konfiguracji połączeń,

Advertisements

Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny, FET

Zaawansowane metody analizy sygnałów

Cz. II. Przetwornice tranzystorowe

Instytut Metrologii i Automatyki Elektrotechnicznej

Oczyszczanie wody w zamkniętych obiegach

kontakt m-s, m-i-s, tranzystory polowe

Wykonał Artur Kacprzak kl. IVaE

Podstawy teorii przewodnictwa

Uniwersytet Rzeszowski

Źródła ciepła i chłodu ĆWICZENIA PROJEKT. Źródła ciepła i chłodu Zadanie 1.

Zaawansowane metody analizy sygnałów

WŁAŚCIWOŚCI STOPÓW Pd90/Ag10

Elektrochemiczne właściwości metalicznego renu

Powłoki cienkowarstwowe

Metale i stopy metali.

mgr inż. Sebastian Molin Katedra Inżynierii Biomedycznej WETI PG

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów

Powłoki ochronne i dekoracyjne

Spawanie i Lutowanie zakończenie.

Parametry układów cyfrowych

Marcin Miczek [マルチン・ミツェク]

Właściwości mechaniczne materiałów

Tranzystory FET.

INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY

Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego ciśnieniomierza

Czujniki do pomiaru ciśnień Mierzy się:a) nadciśnienie b) ciśn. absolutne c) różnicę ciśnień Metoda pomiaru : Mierzy się odkształcenie elementu sprężystego.

Przetworniki ciśnienia. Elementy odkształcalne rurkowe JednorodnaBourdona Z wewnętrznym trzpieniemAsymetryczna.

Autor: Tomasz Ksiądzyk

TRANZYSTORY POLOWE – JFET

Aula IChF PAN, W-wa, ul. Kasprzaka 44/52

Tranzystory z izolowaną bramką

Tworzenie sieci dostaw Katedra Logistyki i Transportu

Tlenkowe Ogniwo Paliwowe Zbudowane na Interkonektorze

Przygotowanie podłoża

METALE NIEŻELAZNE I ICH STOPY

Estetyczna odbudowa bez metalu : Seria ParaPost

O technikach graficznych

KN Inżynierii Powierzchni Powierzchnia Wydział Inżynierii Metali i Informatyki Przemysłowej.

Pamięci RAM i ROM R. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation", Wiley-IEEE Press, 2 wyd

Główne zastosowania laserów w mechanice i mikromechanice Znakowanie – główne zastosowanie Cięcie Wypalanie Spawanie Modelowanie kształtu.

KINETYKA UTLENIANIA METALI

TRANSPORT REAGENTÓW PRZEZ ZWARTĄ WARSTWĘ ZGORZELINY

Samoloty A zanieczyszczenie powietrza.

3. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone c.d.

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Proces ze studnią typu n.

Wybrane zagadnienia inteligencji obliczeniowej Zakład Układów i Systemów Nieliniowych I-12 oraz Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych proponują.

PROCESY SPAJANIA Opracował dr inż. Tomasz Dyl

Budowa i działanie lutownicy

CZYNNIKI KLIMATOTWÓRCZE PRĄDY MORSKIE SZEROKOŚĆ GOGRAFICZNA UKSZTAŁTOWANIE POWIERZCHNI WYSOKOŚĆ NAD POZIOMEM MORZA DZIAŁALNOŚĆ.

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

Węglan wapnia CaCO 3. Otrzymywanie Reakcja metalu i kwasu węglowego. Ca + H 2 CO 3  CaCO 3 + H 2 Reakcja wodorotlenku wapnia i kwasu węglowego. Ca(OH)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

Korozja -Korozja chemiczna, Korozja elektrochemiczna,

Dlaczego niektóre metale ulegają niszczeniu – korozji?

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (

Grupa bloków Układy i systemy scalone Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych.

Wytwarzanie układów Lab-on-a-Chip do zastosowań w inżynierii komórkowej WSTĘP Jedną z najbardziej dynamicznie rozwijających się dyscyplin nowoczesnej nauki.

Lutowanie twarde - prezentacja

Grupa bloków Układy i systemy scalone

TRAWIENIE KRZEMU TEKSTURYZACJA

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU

4.2. TRANZYSTORY UNIPOLARNE

POWTÓRZENIE CHEMIA.

Prof. Krzysztof Jemielniak Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Produkcji, Instytut.

Zapis prezentacji:

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytwarzanie tranzystora NMOS

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Utlenianie powierzchni

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Nałożenie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Maska 1

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wywołanie

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie tlenku

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Usunięcie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Nałożenie cienkiego tlenku

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Nałożenie polikrzemu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Nałożenie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Maska 2

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wywołanie

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie polikrzemu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Usunięcie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Dyfuzja drenu i źródła

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Nałożenie warstwy izolacyjnej

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Nałożenie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Maska 3

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wywołanie

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Trawienie tlenku

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Usunięcie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pokrycie warstwą metalu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pokrycie warstwą fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Maska 4

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wywołanie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie metalizacji

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Usunięcie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Warstwa pasywacyjna

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pokrycie warstwą fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Maska 5

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wywołanie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie tlenku

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Usunięcie fotorezystu