WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU

SiO2 TLENKI WYKORZYSTYWANE WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TLENKI WYKORZYSTYWANE W BUDOWIE I KONSTRUKCJI STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH SiO2 TLENEK KOBALTU Co3O4 TLENEK GALU Ga2O3 TLENEK ALUMINIUM AL2O3 REZYSTANCYJNA STRUKTURA SENSOROWA Atmosfera, gazy toksyczne TLENEK KADMU CdO (SnO2) TLENEK CERU CeO2 (Pt) (TiO2) DWUTLENEK KRZEMU SiO2 TLENEK IRYDU IrO2 (Pt) (TiO2) KRZEMOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY 300m 10m emiter kolektor baza Si(EPI) Si n+ n P TLENEK ZELAZA Fe2O3 (Zn, Au, Pt, Pd inne) TLENEK INDU In2O3 (Pt) TLENEK MOLIBDENU MoO3 (In2O3) TLENEK MIEDZI CuO (SnO2) TLENEK NIOBU Nb2O5 (Pt, Pd, RuO2) KRZEMOWA STRUKTURA CMOS TLENEK NIKLU NiO Si typ p SiO2 Si typ n FOX BPSG SOG Szkliwo pasywujące TLENEK WOLFRAMU WO3 (domieszki) TLENEK TELLURU TeO2 (domieszki) TLENEK CYNY SnO2 (Ag, F, In, Ru, Rh, Pt, Pd ,inne ) TLENEK TYTANU TiO2 (Pd, Al, Nb, Pt, WO3, inne ) TLENEK CYNKU ZnO 6

WARSTW ZABEZPIECZAJĄCYCH WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Warstwy dielektryczne spełniają ważną rolę w konstrukcji i technologii wytwarzania struktur półprzewodnikowych. Warstwy te pełnią rolę: WARSTW PASYWUJĄCYCH WARSTW MASKUJĄCYCH WARSTW IZOLUJĄCYCH WARSTW ZABEZPIECZAJĄCYCH

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WARSTWY PASYWUJĄCE Pasywacja powierzchni, poprzez wytworzenie na monokrysztale dielektrycznej warstwy pasywującej poprawia jakość i powtarzalność wytwarzanych struktur półprzewodnikowych SiO2 Si

ATMOSFERA DOMIESZKOWA WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WARSTWY MASKUJĄCE Si Warstwa dielektryczna ma na celu skuteczną ochronę wybranych obszarów półprzewodnika przed penetracją domieszki w czasie procesu domieszkowania. Warstwa musi być podatna na obróbkę fotolitograficzną ATMOSFERA DOMIESZKOWA SiO2 n+ Si p

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WARSTWY IZOLUJĄCE SiO2 Warstwa dielektryczna pełni rolę warstwy izolującej elektrycznie obszary pełniące określone funkcje w strukturze przyrządu półprzewodnikowego Si C E B p+ p n+

WARSTWY ZABEZPIECZAJĄCE WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WARSTWY ZABEZPIECZAJĄCE SiO2 E B C Rolą warstwy dielektrycznej jest ochrona: przed oddziaływaniem czynników atmosferycznych, przed uszkodzeniami mechanicznymi, przed oddziaływaniem niektórych typów promieniowania n+ p p n n+ p

WARSTWY DIELEKTRYCZNE - RODZAJE WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WARSTWY DIELEKTRYCZNE - RODZAJE DWUTLENEK KRZEMU SZKLIWO FOSFOROKRZEMOWE SZKLIWO BOROKRZEMOWE AZOTEK KRZEMU TLENEK ALUMINIUM

STRUKTURA KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) STRUKTURA KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Ag Si3N4 SiO2 Si-n+ Si-p Si-p+ Ag/Al

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) W technologii krzemowej w prosty sposób możliwe jest wytworzenie doskonałej jakości warstwy dielektrycznej jakim jest dwutlenek krzemu SiO2

UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM”

UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM”

UTLENIANIE W TLENIE „MOKRYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE W TLENIE „MOKRYM”

UTLENIANIE METODĄ „HYDROX” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE METODĄ „HYDROX”

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Si

T = (800÷1200)°C Si WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) T = (800÷1200)°C CZYNNIK UTLENIAJĄCY Si

T = (800÷1200)°C SiO2 Si xo WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) T = (800÷1200)°C CZYNNIK UTLENIAJĄCY SiO2 Si xo

T = (800÷1200)°C SiO2 Si xo WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) T = (800÷1200)°C Si xo SiO2 CZYNNIK UTLENIAJĄCY

T=20°C SiO2 Si xo WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) T=20°C SiO2 Si xo

Si 0.44xo SiO2 Si xo WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Si 0.44xo SiO2 Si xo

A B τ x0 – grubość narastającej warstwy tlenkowej WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) A B τ x0 – grubość narastającej warstwy tlenkowej t – czas procesu utleniania A, B, - parametr zależny od warunków prowadzenia procesu

Utlenianie w tlenie „suchym” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Utlenianie w tlenie „suchym” 1.0 10 100 0.1 0.01 x0 [m] 0.2µm 1200°C GRUBOŚĆ WARSTWY SiO2 1100°C 1000°C 900°C 800°C t [h] CZAS UTLENIANIA

Utlenianie w tlenie „mokrym” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Utlenianie w tlenie „mokrym” 1.0 10 100 0.1 x0 [m] GRUBOŚĆ WARSTWY SiO2 1200°C 0.2µm 1100°C 1000°C 900°C 800°C t [h] 24min 90min CZAS UTLENIANIA

Porównanie szybkości narostu tlenku w tlenie „suchym” i „mokrym” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Porównanie szybkości narostu tlenku w tlenie „suchym” i „mokrym” 1.0 10 100 0.1 0.01 x0 [m] 0.4µm MOKRY SUCHY GRUBOŚĆ WARSTWY SiO2 80nm 1000°C t [h] CZAS UTLENIANIA

Utlenianie w tlenie „suchym” i „mokrym” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Utlenianie w tlenie „suchym” i „mokrym” DOZOWNIK GAZÓW WODA DI SATURATOR N2 O2 TERMOSTAT

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU SATURATOR – „POWIERZCHNIOWY” z o WODA DI TERMOSTAT WODA GRZAŁKA T=20°C 230V

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU SATURATOR – „POWIERZCHNIOWY” Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU SATURATOR – „POWIERZCHNIOWY” o z 230V T=95°C WODA DI WODA TERMOSTAT GRZAŁKA

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU SATURATOR – „POWIERZCHNIOWY” Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU SATURATOR – „POWIERZCHNIOWY” O2+H2O O2 o z 230V T=95°C WODA DI WODA TERMOSTAT GRZAŁKA

WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU O2, TH2O = 95°C 1.0 T=1200°C O2, TH2O = 85°C 0.8 0.6 x0 [m] 0.4 O2, TH2O = 25°C 0.2 „suchy” O2 2.0 4.0 6.0 8.0 10 (t) (min) 1/2

UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” DOZOWNIK GAZÓW T x (800÷1200)°C N2 O2

UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” DOZOWNIK GAZÓW (800÷1200)°C T N2 O2 x

UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” DOZOWNIK GAZÓW (800÷1200)°C T N2 O2 x

UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” DOZOWNIK GAZÓW (800÷1200)°C T N2 O2 x

UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” DOZOWNIK GAZÓW T x (800÷1200)°C N2 O2

UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) UTLENIANIE W TLENIE „SUCHYM” I „MOKRYM” DOZOWNIK GAZÓW T x (800÷1200)°C N2 O2

BARWA DWUTLENKU KRZEMU KOLOROWY ŚWIAT TECHNOLOGII KRZEMOWEJ WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) BARWA DWUTLENKU KRZEMU Si-SiO2 (d = 280 nm) KOLOROWY ŚWIAT TECHNOLOGII KRZEMOWEJ Si-SiO2 (d = 200 nm) Si-SiO2 (d = 100 nm) Si-SiO2 (d = 97 nm) Si-SiO2 (d = 53 nm) „czysta” pow. Si

Tranzystor n-p-n EMITER KOLEKTOR BAZA WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Tranzystor n-p-n p n n+ SiO2 E B C EMITER KOLEKTOR C BAZA B E

REZYSTOR BAZA EMITER KOLEKTOR REZYSTOR TRANZYSTOR TRANZYSTOR WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) REZYSTOR BAZA EMITER E B C KOLEKTOR REZYSTOR TRANZYSTOR TRANZYSTOR

x01 x02 SiO2 Si WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) BARWA DWUTLENKU KRZEMU WIĄZKA ŚWIATŁA BIAŁEGO ŚWIATŁO O BARWIE FIOLETOWO-CZERWONEJ O BARWIE ZÓŁTEJ ŚWIATŁO x01 x02 SiO2 Si

ŁADUNKI ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE SiO2 WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Obszar przejściowy SiO2 SiOx Si ŁADUNKI ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE SiO2

ŁADUNEK STANÓW POWIERZCHNIOWYCH ŁADUNKI ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE SiO2 WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Przerwanie ciągłości sieci krystalicznej powoduje pojawianie się ładunków elektrycznych ulokowanych w stanach powierzchniowych SiO2 SiOx + + + + + + + ŁADUNEK STANÓW POWIERZCHNIOWYCH Qit Si ŁADUNKI ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE SiO2

ŁADUNKI ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE SiO2 WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) Defekty sieci związane z niedoborem tlenu powodują pojawianie się ładunków elektrycznych ŁADUNEK STAŁY TLENOWY Qf SiO2 + + + + + + SiOx + + + + + + + Si ŁADUNKI ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE SiO2

ŁADUNEK PUŁAPEK RUCHOMYCH ŁADUNKI ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE SiO2 WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) ŁADUNEK PUŁAPEK RUCHOMYCH Qot + + + - - - SiO2 + + + + + + SiOx + + + + + + + Si ŁADUNKI ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE SiO2

ŁADUNEK JONÓW RUCHOMYCH WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) SiO2 SiOx Si + - K Na ŁADUNEK JONÓW RUCHOMYCH Qm Jony wbudowane w termiczny tlenek ŁADUNKI ELEKTRYCZNE W STRUKTURZE SiO2

ŁADUNKI W TLENKU „BRAMKOWYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) ŁADUNKI W TLENKU „BRAMKOWYM” +UDD +UGG Al S D G SiO2 n SiO2 n+ n+ Si typ p TLENEK BRAMKOWY

ŁADUNKI W TLENKU „BRAMKOWYM” WYTWARZANIE WARSTW DWUTLENKU KRZEMU Dr hab. inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) ŁADUNKI W TLENKU „BRAMKOWYM” +UGG Na + Na + K + Na + K + n+ n+