Technologia krzemowa. Półprzewodniki materiały o rezystywności pośredniej między dielektrykami a przewodnikami szerokość pasma zabronionego mniejsza od.

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
Wzmacniacz operacyjny
Advertisements

1 TREŚĆ UMOWY O PRACĘ : Umowa o pracę określa strony umowy, rodzaj umowy, datę jej zawarcia oraz warunki pracy i płacy, w szczególności: 1) rodzaj pracy,
© IEn Gdańsk 2011 Wpływ dużej generacji wiatrowej w Niemczech na pracę PSE Zachód Robert Jankowski Andrzej Kąkol Bogdan Sobczak Instytut Energetyki Oddział.
© IEn Gdańsk 2011 Technika fazorów synchronicznych Łukasz Kajda Instytut Energetyki Oddział Gdańsk Zakład OGA Gdańsk r.
Przekształcanie jednostek miary
PRĄD ELEKTRYCZNY.
Doświadczenia z pracy ze schładzarką szybową w fabryce Szerencs Zakopane, Zoltán TÓTH Mátra Cukor.
Blok I: PODSTAWY TECHNIKI Lekcja 7: Charakterystyka pojęć: energia, praca, moc, sprawność, wydajność maszyn (1 godz.) 1. Energia mechaniczna 2. Praca 3.
Równowaga chemiczna - odwracalność reakcji chemicznych
Światowy Dzień Zdrowia 2016 Pokonaj cukrzycę. Światowy Dzień Zdrowia 7 kwietnia 2016.
EFEKT FOTOELEKTRYCZNY ZEWNĘTRZNY I WEWNĘTRZNY KRZYSZTOF DŁUGOSZ KRAKÓW,
1 Dr Galina Cariowa. 2 Legenda Iteracyjne układy kombinacyjne Sumatory binarne Sumatory - substraktory binarne Funkcje i układy arytmetyczne Układy mnożące.
Blok I: PODSTAWY TECHNIKI Lekcja 6: Zjawisko tarcia i jego wpływ na pracę ciągników i maszyn rolniczych (1 godz.) 1. Zjawisko tarcia 2. Tarcie ślizgowe.
 Wzmacniacz słuchawkowy służy do wzmacniania sygnału audio i przesyłania go do słuchawek. Ma zadanie zapobiegać niedoborowi mocy, która powoduje spadek.
Tworzenie odwołania zewnętrznego (łącza) do zakresu komórek w innym skoroszycie Możliwości efektywnego stosowania odwołań zewnętrznych Odwołania zewnętrzne.
Budowa Instalacji Prosumenckich. Program prezentacji  Definicje  Instalacje prosumenckie – fotowoltaika i kolektory słoneczne  Doświadczenia, realizacje.
Mechanika płynów. Prawo Pascala (dla cieczy nieściśliwej) ( ) Blaise Pascal Ciśnienie wywierane na ciecz rozchodzi się jednakowo we wszystkich.
© Kazimierz Duzinkiewicz, dr hab. inż. Katedra Inżynierii Systemów Sterowania 1 Metody optymalizacji - Energetyka 2015/2016 Metody programowania liniowego.
Spektroskopia Ramana dr Monika Kalinowska. Sir Chandrasekhara Venkata Raman ( ), profesor Uniwersytetu w Kalkucie, uzyskał nagrodę Nobla w 1930.
Excel 2007 dla średniozaawansowanych zajęcia z dnia
MIESZACZE CZĘSTOTLIWOŚCI. Przeznaczenie – odbiorniki, nadajniki, syntezery częstotliwości Podstawowy parametr mieszacza = konduktancja (nachylenie) przemiany.
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (
Cel analizy statystycznej. „Człowiek –najlepsza inwestycja”
Przemiany energii w ruchu harmonicznym. Rezonans mechaniczny Wyk. Agata Niezgoda Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego.
Czy spalanie biomasy jest neutralne w kontekście CO 2 ? Wydział Przyrodniczo-Technologiczny Instytut Inżynierii Rolniczej Studenckie Koło Naukowe BioEnergia.
Tydzień zdrowia i bezpieczeństwa pracy pod hasłem „Dźwigaj mniej” Październik 2007.
Szkoła Letnia STC — Łódź Dr inż. Krystyna Lisik Zmiany wskaźników jakościowych cukru białego podczas składowania.
Dlaczego boimy się promieniotwórczości?
 Czasem pracy jest czas, w którym pracownik pozostaje w dyspozycji pracodawcy w zakładzie pracy lub w innym miejscu wyznaczonym do wykonywania pracy.
autor dr inż. Andrzej Rylski TECHNIKA SENSOROWA 6.Producenci sensorów i urządzeń do pomiaru temperatury.
 Głośnik – przetwornik elektroakustyczny (odbiornik energii elektrycznej) przekształcający prąd elektryczny w falę akustyczną. Idealny głośnik przekształca.
Podstawowe pojęcia termodynamiki chemicznej -Układ i otoczenie, składniki otoczenia -Podział układów, fazy układu, parametry stanu układu, funkcja stanu,
MOŻLIWOŚCI EKSPERYMENTALNO- TEORETYCZNEGO MODELOWANIA PROCESU SPALANIA ODPADÓW W WARSTWIE RUCHOMEJ ORAZ OPTYMALIZACJI PRACY SPALARNI ODPADÓW Realizowane.
Woda to jeden z najważniejszych składników pokarmowych potrzebnych do życia. Woda w organizmach roślinnych i zwierzęcych stanowi średnio 80% ciężaru.
Historia telefonu Aleksandra Adamczyk. Alexander Gaham Bell  fizyk i fizjolog amerykański. Urodził się w 1842 roku w Szkocji. Gdy miał 34 lata, w roku.
ENERGIA to podstawowa wielkość fizyczna, opisująca zdolność danego ciała do wykonania jakiejś pracy, ruchu.fizyczna Energię w równaniach fizycznych zapisuje.
Przygotowały: Laura Andrzejczak oraz Marta Petelenz- Łukasiewicz z klasy 2”D”
Równowaga rynkowa w doskonałej konkurencji w krótkim okresie czasu Równowaga rynkowa to jest stan, kiedy przy danej cenie podaż jest równa popytowi. p.
Laboratorium Elastooptyka.
Radosław Stefańczyk 3 FA. Fotony mogą oddziaływać z atomami na drodze czterech różnych procesów. Są to: zjawisko fotoelektryczne, efekt tworzenie par,
Promieniowanie rentgenowskie Fizyka współczesna Dawid Sekta WGiG IV gr. 4 Kraków,
Autor dr inż. Andrzej Rylski MIERNICTWO PRZEMYSŁOWE 1. K A R T A P R Z E D M I O T U 2. Analiza metrologiczna modelu fizycznego toru pomiarowego.
 PODSUMOWANIE PROJEKTU „POSTAW NA SŁOŃCE”. Energia konwencjonalna : ● - spalanie paliw kopalnych ● - promieniowanie pierwiastków Energia Odnawialna:
Materiały pochodzą z Platformy Edukacyjnej Portalu Wszelkie treści i zasoby edukacyjne publikowane na łamach Portalu
Stała gęstość prądu wynikająca z prawa Ohma wynika z ustalonej prędkości a nie stałego przyspieszenia. Nośniki ładunku nie poruszają się swobodnie – doznają.
Zjawisko fotoelektryczne zewnętrzne i wewnętrzne
Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe Elżbieta Podgórska Zarządzanie i Inżynieria Produkcji Wydział Górnictwa i Geoinżynierii Gr 3, rok 4
Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe
Model warstwowy OSI Model OSI (Open Systems Interconnection) opisuje sposób przepływu informacji między aplikacjami programowymi w jednej stacji sieciowej.
- nie ma własnego kształtu, wlana do naczynia przybiera jego kształt, - ma swoją objętość, którą trudno jest zmienić tzn. są mało ściśliwe (zamarzając.
Analiza spektralna. Laser i jego zastosowanie.
WYKŁAD 6 Regionalizacja 1. Regionalizm a regionalizacja 2 Proces wyodrębniania regionów nazywany jest regionalizacją, w odróżnieniu od regionalizmu, który.
Teoria masowej obsługi Michał Suchanek Katedra Ekonomiki i Funkcjonowania Przedsiębiorstw Transportowych.
Pole magnetyczne Magnes trwały – ma dwa bieguny - biegun północny N i biegun południowy S.                                                                                                                                                                     
Własności elektryczne materii
NAJCZĘSTSZYCH CHORÓB UKŁADU KRĄŻENA 5. Nadciśnienie tętnicze.
Informacja na temat projektu informatycznego „Centralizacja przetwarzania danych” V Krajowa Konferencja System Informacji Przestrzennej w Lasach Państwowych.
Rozwiązywanie zadań tekstowych przy pomocy układów równań. Opracowanie: Beata Szabat.
Izolatory i metale – teoria pasmowa ciał stałych
Energia słoneczna i ogniwa paliwowe Patryk Iwan ZiIP I mgr Gr III.
Budżetowanie kapitałowe cz. III. NIEPEWNOŚĆ senesu lago NIEPEWNOŚĆ NIEMIERZALNA senesu strice RYZYKO (niepewność mierzalna)
Dlaczego wybraliśmy zasilacz?  Chcieliśmy wykonać urządzenia, które będzie pamiątką po naszym pobycie w gimnazjum i będzie użyteczne.  Po zastanowieniu.
Mikroprocesory.
Wykład IV Zakłócenia i szumy.
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Microsoft Excel Praktyczne sytuacje.
Tensor naprężeń Cauchyego
Dwutranzystorowe stopnie wzmacniające
Prawa ruchu ośrodków ciągłych c. d.
Zapis prezentacji:

Technologia krzemowa

Półprzewodniki materiały o rezystywności pośredniej między dielektrykami a przewodnikami szerokość pasma zabronionego mniejsza od 5eV (generacja – rekombinacja) półprzewodniki samoistne – czyste, nośniki swobodne powstają na skutek zrywania wiązań w sieci krystalicznej Półprzewodniki domieszkowane

Domieszkowanie donorowe (n) Domieszkowanie pierwiastków grupy V Niewielka ilość energii umożliwia przeskok elektronu do pasma przewodzenia Ilość elektronów w paśmie przewodzenia  ilość domieszkowanych atomów Koncentracja elektronów >> koncentracja dziur

Domieszkowanie akceptorowe (p) Domieszkowanie pierwiastków grupy III Zrywanie wiązań kowalencyjnych Si-Si, które są zastępowane wiązaniem Si-atom domieszkowany – generacja dziur w paśmie walencyjnym Ilość dziur w paśmie walencyjnym  ilość domieszkowanych atomów Koncentracja dziur >> koncentracja elektronów

MOSFET Metal-oxide-semiconductor FET Technologia wytwarzania tranzystorów polowych (sterowanie polem elektrycznym)

CMOS Technologia wytwarzania układów scalonych Complementary MOS – układ dwóch tranzystorów o przeciwnym typie przewodnictwa (N/P) Brak statycznych strat energii Dynamiczne straty energii w momencie przełączenia

PMOS Nośnikami sygnału są dziury – brak elektronów Przewodnictwo w przypadku wystąpienia na źródle stanu niskiego (logiczne 0)

NMOS Nośnikami sygnału są elektrony Przewodnictwo w przypadku wystąpienia na źródle stanu wysokiego (logiczne 1)

Inwerter Bramka NOT, 0  1, 1  0 Statycznie zerowy pobór mocy Dynamicznie, w momencie przełączenia następuje:  chwilowe zwarcie układu  przeładowanie pojemności bramki

Wymiar charakterystyczny Minimalna rozdzielczość procesu litograficznego i procesu trawienia wykorzystanych przy produkcji układu Przeważnie zbieżny z długością bramki tranzystora

Parametry układów cyfrowych Czas propagacji Moc strat Współczynnik dobroci Marginesy szumowe Obciążalność Napięcie zasilania Zakres napięć stanów logicznych Inne

Czas propagacji Niezależnie od technologii wykonania układu, elementy składowe – tranzystory – pracują dwustanowo Czas propagacji określa rozbieżność między momentem zmiany stanu wejścia a uzyskaniem wyniku na wyjściu Opóźnienie sygnału decyduje o maksymalnej częstotliwości pracy układu Czynniki  Przeładowanie pojemności bramka-kanał  Pojemności pasożytnicze (połączenia wew.)  inne

Moc strat Moc strat = moc statyczna + moc dynamiczna Straty statyczne – w stanie ustalonym Straty dynamiczne – w momencie zmiany stanu układu Dynamiczna moc strat rośnie liniowo z częstotliwością przełączania Wraz ze wzrostem czasu propagacji sygnału, rośnie moc dynamiczna moc strat

Pożytki płynące z miniaturyzacji INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS

Miniaturyzacja Miniaturyzacja zawdzięcza swój sukces „prostocie” zmniejszania wymiaru charakterystycznego tranzystorów układów CMOS Zmniejszanie wymiaru charakterystycznego jest równoznaczne ze zmniejszaniem długości kanału Konsekwencje:  ok. 20% wzrost prędkości przełączenia (w stosunku do układów poprzedniej generacji)  zmniejszenie warstwy izolatora kanał-bramka  Kilkuatomowa warstwa SiO 2 staje się niewystarczająca – występują przebicia Pushing limits, a layer only 1.5 nanometers thick (15 angstroms, Ĺ) of silicon dioxide (SiO 2 ), which has a dielectric constant of 4, separates the silicon from the gate

Miniaturyzacja Miniaturyzacja pozwala na zwiększenie częstotliwości pracy tranzystorów, nie zwiększając ich zużycia energii Miniaturyzacja pozwala na zwiększenie „upakowania” tranzystorów Wniosek – dwukrotne zmniejszenie wymiaru tranzystora powoduje czterokrotny wzrost ilości wydzielanego ciepła (zależność kwadratowa) Zależność poboru mocy od napięcia jest również kwadratowa – zwiększanie „upakowania” kompensowane zmniejszeniem napięcia zasilania Ale...

Miniaturyzacja Zmniejszanie napięcia powoduje wydłużenie czasu przełączenia tranzystora – zmniejszanie taktowania układu Efekt ten można osłabić zmniejszając napięcie graniczne  Zmniejszanie napięcia granicznego jest limitowane technologia CMOS  1V

Miniaturyzacja Załóżmy, że wymiar charakterystyczny zredukowano do warstwy jednoatomowej ~0.27nm  w takich okolicznościach, tranzystor mógłby „komunikować się” z innymi, oddalonymi na nie więcej niż 2*10 -2 cm – zakładając maksymalną szybkość dystrybucji sygnału zegarowego, światła  emisja energii w postaci ciepła wyniosłaby 18MW/ 2 cm  zakładając, że napięcie zasilania malało proporcjonalnie wraz ze zmniejszaniem wymiaru charakterystycznego, emisja ciepła wyniosłaby 30KW/ 2 cm Problemy: dystrybucja sygnału zegarowego  dystrybucja sygnału zegarowego  emisja energii (straty)

Miniaturyzacja Łączna długość połączeń wewnętrznych we współczesnym wynosi kilka kilometrów Aby zmieścić połączenia na niewielkiej kawałku krzemu wymagane jest zmniejszenie ich przekroju  mniejszy przekrój – większa oporność na jednostkę długości Długość połączeń wewnętrznych przypadająca na 1 tranzystor rośnie szybciej niż ilość tranzystorów Konsekwencje  wzrost czasu propagacji sygnału (~RC)

Litografia Współczesne procesory wytwarzane są w procesie litograficznym, wykorzystującym fale o długości 193 i 157nm Dalsze zmniejszanie wymiaru charakterystycznego sprawia, że „tradycyjna” fotolitografia, wykorzystująca zjawiska dyfrakcyjne, straci użyteczność Litografia EUV – długość fali ~13nm

Bariery "green brick wall" – bariery finansowe Semiconductor Industry Associations "the red brick wall” – pozostałe

Przewidywania

Intel® Core™2 Duo Technologia 65nm 143mm 2, 291mln tranzystorów Technologia SOI II generacji 8 warstw połączeń wewnętrznych SOI - silicon on insulator Podłoże – izolator – krzem ok. 10x droższe niż wafle z czystego krzemu

Strained Silicon Wzrost wydajności o 10~25% Warstwa Si wytworzona na substracie SiGe

Tri-Gate Transistor Kanał o długości 30nm Przepływ swobodnych nośników wzdłuż trzech ścian kanału Przestrzenna konstrukcja zapewnia lepsze parametry elektryczne oraz redukcję upływności Simulation of a cross-section of silicon channel shows much more current flow (indicated by red) in a tri-gate transistor than in a planar transistor. Current flows into/out of the paper.

Terahertz Transistor W przeciwieństwie do tradycyjnego klasycznego tranzystora, gdzie na wyjściu może pojawić się stan wysoki lub niski, w tranzystorze terahercowym odchylane pod wpływem pola elektrycznego elektrony kierowane są do dwóch niezależnych ujść In a ballistic deflection transistor, electrons are guided by an electric field and bounced off a central triangle

SiP – System in package Koncepcja wytwarzania układów w taki sposób, aby eliminować urządzenia zewnętrzne Zgromadzenie „całej funkcjonalności” urządzenia w jednym, możliwie małym układzie Minimalizacja ilości połączeń zewnętrznych Eliminacja/redukcja stopnia skomplikowania PCB

SiP – System in package Zmniejszenie rozmiaru Wyższa wydajność, lepsza jakość – redukcja ilości połączeń zewnętrznych, izolacja całego układu Eliminacja wielokrotnego „pakowania” odrębnych IC Redukcja stopnia skomplikowania PCB Możliwość szybkiej modyfikacji układu bez konieczności przeprojektowywania np. PCB