Pobierz prezentację
Pobieranie prezentacji. Proszę czekać
OpublikowałMalina Sobkiewicz Został zmieniony 10 lat temu
1
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
2
Półprzewodnikowe układy w.cz. prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski
Politechnika Warszawska Instytut Systemów Elektronicznych ul. Nowowiejska 15/19, Warszawa tel: (48-22) fax: (48-22) Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
3
Przyrządy półprzewodnikowe stosowane w zakresie w.cz. i mikrofal
Wzmacnianie: tranzystory bipolarne – BJT tranzystory bipolarne heterozłączowe – HBT tranzystory unipolarne MESFET MOSFET HEMT diody tunelowe (historia) Mieszanie i detekcja: diody z kontaktem ostrzowym (fale mm) diody Schottky’ego (fale mm) tranzystory bipolarne tranzystory polowe Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
4
Przyrządy półprzewodnikowe stosowane w zakresie w.cz. i mikrofal cd.
Generowanie sygnałów: dioda tunelowa (historia) dioda lawinowa (fale mm) dioda Gunna (fale mm) tranzystory bipolarne tranzystory polowe Kontrolowanie sygnałów (przestrajanie częstotiwości, przełączniki, przesuwniki fazy, tłumiki): dioda waraktorowa dioda Schottky’ego dioda PIN tranzystor polowy FET Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
5
Przyrządy półprzewodnikowe stosowane w zakresie w.cz. i mikrofal cd.
Powielanie częstotliwości: diody waraktorowe tranzystory bipolarne tranzystory polowe (unipolarne) Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
6
Odbiornik superheterodynowy
Sygnał pośredniej częstotliwości p.cz. (IF) Sygnał pasma podstawowego (Base Band) Sygnał wielkiej częstotliwości w.cz. (RF) Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
7
Konwersja wejściowego sygnału w. cz. na sygnał p. cz
Konwersja wejściowego sygnału w.cz. na sygnał p.cz. w odbiorniku superheterodynowym Amplituda sygnału Filtr pasmowo- przepustowy IF Sygnał oscylatora lokalnego Rys1-4 Sygnał o częstotliwości pośredniej Sygnał o częstotliwości lustrzanej fIF fS fLO fI f Sygnał odbierany w.cz. Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
8
Nadajnik mikrofalowy z przemianą częstotiwości
Do anteny Mieszacz fp ± f0 Nadawany sygnał w.cz. (RF) Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
9
Realizacja funkcji układowych
Wzmacnianie sygnałów Mieszanie sygnałów Generacja sygnałów Modulacja sygnałów Detekcja sygnałów Powielanie częstotliwości sygnałów Regulacja i kontrola sygnałów (tłumienie amplitudy, zmiana przesunięcia fazy, przełączanie sygnałów) Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
10
Funkcje układowe Sygnał wejściowy: Sygnał wyjściowy: Wzmacnianie
Funkcja przenoszenia układu lub charakterystyka przyrządu: Sygnał na wyjściu: Sygnał wejściowy: Sygnał wyjściowy: Wzmacnianie sygnału Detekcja amplitudy sygnału lub mieszanie sygnałów Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
11
Sygnał dwutonowy na wejściu:
Wyraz kwadratowy charakterystyki układu Sygnał na wyjściu: Składnik kwadratowy sygnału: Zniekształcenia nieliniowe Mieszanie sygnałów !!! Częstotliwości – różnicowa i sumacyjna Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
12
Detektory AM Detektory diodowe diody Schottky’ego
diody z kontaktem ostrzowym diody tunelowe Charakterystyka I(U) Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
13
Dioda p-n, dioda Schotky’ego – obwód zastępczy dla wcz
Nieliniowe elementy Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
14
Charakterystyka dynamiczna diodowego detektora AM
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
15
a) Czułość prądowa detektora:
PARAMETRY DETEKTORA a) Czułość prądowa detektora: Przyrost składowej stałej zwarciowego prądu wyjściowego detektora Moc sygnału wejściowego w.cz. b) WFS na wejściu detektora c) Rezystancja wyjściowa Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
16
Mieszacze sygnałów w.cz.
Mieszacze diodowe Mieszacze tranzystorowe Mieszacze pojedyńcze Mieszacze zrównoważone Mieszacze podwójnie zrównoważone Mieszacze jednowstęgowe (z eliminacją sygnału lustrzanego) Mieszacz kwadratowy Mieszacz mnożący Typ przyrządu Typ układu Zasada pracy Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
17
Właściwości mieszaczy
Mieszacz pojedyńczy: brak izolacji między wejściem sygnału w.cz. i wejściem heterodyny oraz wyjściem p.cz., na wyjściu obecność wszystkich sygnałów Mieszacz zrównoważony: izolacja między wejściem sygnału w.cz. i wejściem heterodyny, izolacja między wyjściem p.cz. i wejściem sygnału w.cz. lub między wyjściem p.cz. i wejściem heterodyny Mieszacz podwójnie zrównoważony: izolacja między wszystkimi wejściami i wyjściem p.cz. Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
18
b) Współczynnik szumów
PARAMETRY MIESZACZA: a) Straty mieszania: PSA - dysponowana moc źródła sygnału w.cz., P0 - moc czynna sygnału wyjściowego o częstotliwości pośredniej b) Współczynnik szumów Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
19
W definicji współczynnika szumów mieszacza:
Pn1 = kT0df to dysponowana moc szumów cieplnych generowanych w impedancji wewnętrznej ZS generatora sygnału znajdującej się w standardowej temperaturze odniesienia T0 = 290 K, Pn2 = GT Pn1 + Pni = GT kT0 df + Pni to całkowita moc szumów na wyjściu składająca się z mocy szumów cieplnych generatora sygnału znajdującego się w standardowej temperaturze odniesienia T0 wzmocnionych GT razy przez układ oraz z mocy szumów własnych układu Pni generowanych wewnątrz układu. Szumy na wejściu mieszacza są szumami mieszczącymi się w paśmie df, wokół częstotliwości fS sygnału wejściowego mieszacza, natomiast szumy na wyjściu mieszacza są szumami mieszczącymi się w paśmie df ulokowanym wokół częstotliwości pośredniej fo sygnału wyjściowego mieszacza. !!!! Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
20
PARAMETRY MIESZACZA cd.
c) WFS na wejściu sygnałowym mieszacza d) WFS na wejściu heterodyny e) Impedancja wyjściowa mieszacza f) Izolacja między wejściem sygnału w. cz. i wejściem heterodyny g) Izolacja między wejściem sygnału w.cz. na wyjściu p.cz. h) Izolacja między wejściem sygnału heterodyny i wejściem sygnału w.cz. i) Izolacja między wejściem sygnału heterodyny i wyjściem p.cz. j) Zakres liniowy charakterystyki dynamicznej mieszacza Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
21
Diodowy mieszacz pojedynczy (kwadratowy)
Sygnał p.cz. (IF) Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
22
Tranzystorowy mieszacz pojedyńczy (kwadratowy)
Wyjście p.cz. Sygnał wejściowy – suma sygnału w.cz. i sygnału pompy Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
23
Obwód zastępczy tranzystora polowego dla w.cz.
Elementy nieliniowe Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
24
Schemat blokowy diodowego mieszacza zrównoważonego
Sygnał w.cz. (przetwarzany) Sygnał p.cz. Sygnał pompy Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
25
Wyjście p.cz. f0 f0 fp fp fs fs Dwubramkowe FET Układ Gilberta
Schematy mieszaczy zrównoważonych z tranzystorami FET (zrównioważenie dla sygnału w.cz.) Wyjście p.cz. f0 f0 3 dB/1800 3 dB/1800 3 dB/1800 3 dB/1800 fp fp fs fs Dwubramkowe FET Układ Gilberta Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
26
Schemat blokowy diodowego mieszacza podwójnie zrównoważonego
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
27
Schemat blokowy podwójnie zrównoważonego mieszacza z tranzystorami FET
Wyjście p.cz. Wejście sygnału pompy Wejście sygnału w.cz. Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
28
Schemat blokowy jednostopniowego wzmacniacza tranzystorowego
Źródło sygnału Obciążenie Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
29
Wzmocnienie i stabilność wzmacniacza
Skuteczne wzmocnienie mocy: Współczynnik odbicia na wejściu: Współczynnik odbicia na wyjściu: Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
30
W obwodzie wzmacniacza możliwe są oscylacje (niestabilność),
gdy albo impedancja wejściowa, albo impedancja wyjściowa, albo obie jednocześnie, posiadają ujemną część rzeczywistą, co w dziedzinie współczynnika odbicia jest równoważne nierównościom |Γwe |> 1 i/lub |Γwe|> 1 a) stabilność bezwarunkowa, gdy warunki |Γwe|< 1 oraz |Γwy| < 1 są spełnione dla dowolnych, pasywnych impedancji źródła sygnału i impedancji obciążenia (tzn. dla dowolnych Γs i ΓL, co do modułu mniejszych od jedności); b) stabilność warunkowa, gdy warunki Γwe < 1 oraz Γwy < 1 mogą być spełnione tylko dla współczynników odbicia Γs i ΓL (impedancji) źródła sygnału i obciążenia mieszczących się w pewnych zakresach wartości. Przypadek taki nazywany jest także potencjalną niestabilnością. Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
31
Warunki stabilności wzmacniacza:
Konieczne i wystarczające warunki bezwarunkowej stabilności wzmacniacza: oraz Δ = S11S22 – S21S12 Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
32
Tylko gdy tranzystor jest przyrządem bezwarunkowo
stabilnym możliwe jest uzyskanie w układzie wzmacniacza maksymalnego skutecznego wzmocnienia mocy GTmax. Wzmocnienie GTmax uzyskuje się przy zrealizowaniu na wejściu i na wyjściu tranzystora dopasowania energetycznego (dopasowania na impedancję sprzężoną), które jest równoważne spełnieniu jednocześnie warunków oraz Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
33
Wartość maksymalnego skutecznego wzmocnienia mocy:
gdzie: Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
34
W przypadku wzmacniacza potencjalnie niestabilnego:
równania |Γwe| = 1 oraz |Γwy| = 1 określają okręgi stabilności, które są granicami rozdzielającymi obszary stabilności i niestabilności na płaszczyznach ΓS i ΓL. Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
35
Przykłady położenia okręgów stabilności na płaszczyźnie ΓL obciążenia wzmacniacza
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
36
Obwody dopasowujące wzmacniacza w postaci linii mikropaskowych
Layout metalowych pasów linii mikropaskowych Wy We Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
37
Punkt przecięcia trzeciego rzędu
Zależność mocy sygnału wyjściowego o częstotliwości podstawowej i o częstotliwości zniekształceń intermodulacyjnych trzeciego rzędu Punkt przecięcia trzeciego rzędu PWY Kompresja 1 dB IP3 Zakres dynamiczny bez zniekształceń Sygnał o częstot. podstaw. Zakres dynamiczny Minimalny sygnał detekowalny Szumy tła WE Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
38
Wzmacniacz o minimalnym współczynniku szumów
F = Fmin , gdy Γs = Γsopt , a na wyjściu ΓL = Γ*wy Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
39
Wzmacniacz zrównoważony
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
40
Wzmacniacz zrównoważony:
wzmocnienie mocy wzmacniacza zrównoważonego jest takie samo jak wzmocnienie wzmacniacza pojedynczego z dokładnością do strat mocy w sprzęgaczach kierunkowych na wejściu i na wyjściu układu, b) wzmacniacz zrównoważony ma współczynnik szumów równy współczynnikowi szumów wzmacniacza pojedynczego z dokładnością do składnika związanego z szumami cieplnymi stratnego sprzęgacza kierunkowego na wejściu, c) maksymalna moc wyjściowa wzmacniacza zrównoważonego jest dwa razy większa (minus moc tracona w sprzęgaczach kierunkowych) od maksymalnej mocy wyjściowej wzmacniacza pojedynczego, d) uszkodzenie jednego ze wzmacniaczy pojedynczych nie oznacza całkowitego uszkodzenia wzmacniacza zrównoważonego; przy uszkodzeniu jednego ze wzmacniaczy pojedynczych wzmocnienie wzmacniacza zrównoważonego maleje o 6 dB, e) zniekształcenia intermodulacyjne we wzmacniaczu zrównoważonym są mniejsze w porównaniu do zniekształceń wnoszonych przez wzmacniacz pojedynczy (przy tym samym poziomie mocy sygnału wejściowego). Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
41
Wzmacniacz rozłożony Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
42
W układzie rzeczywistym: straty Rwe tranzystorów i w liniach
n - liczba tranzystorów FET, gm - transkonduktancja tranzystorów, Z0g i Z0d - impedancje charakterystyczne linii transmisyjnych wzmacniacza, odpowiednio, bramki i drenu oraz θg i θd - odpowiednio, przesunięcia fazy wnoszone przez jedno ogniwo linii transmisyjnej bramki i linii transmisyjnej drenu Gdy θg = θd W układzie rzeczywistym: straty Rwe tranzystorów i w liniach transmisyjnych Nopt = Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
43
Generatory sygnałów w.cz.
Analiza liniowa: Warunek amplitudy generacji – start oscylacji Warunek fazy generacji – częstotliwość oscylacji Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
44
Generator jako system z dodatnim sprzężeniem zwrotnym
Wzmocnienie systemu ze sprzężeniem zwrotnym: Warynek generacji: Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
45
Warunki generacji czwórnikowego
układu generatora Warunek amplitudy: Warunek fazy: Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
46
Obwód generatora z dwójnikowym przyrządem czynnym z ujemną rezystancją
Zd + ZL = 0 Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
47
Warunek generacji – w dziedzinie impedancji:
Warunek amplitudy: Warunek fazy: Warunek generacji – w dziedzinie współczynnika odbicia: Warunek amplitudy: Warunek fazy: Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
48
Obwód zastępczy generatora z wielowrotowym przyrządem czynnym
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
49
Macierz M musi być macierzą osobliwą, tzn:
M = Sd(U, ω) SL(ω) - I Warunek generacji: Macierz M musi być macierzą osobliwą, tzn: det (M) = 0 Warunek amplitudy: Re { det (M) } = 0 Warunek fazy: Im {det (M) } = 0 Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
50
Generatory o dużej stałości częstotliwości
z rezonatorami kwarcowymi, f < 100 MHz z rezonatorami dielektrycznymi, f> 1 GHz Generatory przestrajane z diodami waraktorowymi (przestrajanie wąskopasmowe) z rezonatorami YIG (przestrajania szerokopasmowe) Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
51
Schemat oscylatora tranzystorowego z rezonatorem dielektrycznym
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
52
Obwód zastępczy diody waraktorowej
Γ = 0,5 – 1,5 Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
53
Generator Clappa przestrajany diodą waraktorową
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
54
Dodatnie sprzężene zwrotne stosowane w oscylatorach w.cz.
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
55
Kulka YIG jako przestrajany rezonator w.cz.
Obwód zastępczy Konstrukcja układu Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
56
Uproszczony schemat generatora przestrajanego rezonatorem YIG
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
57
Przełączniki sygnałów w.cz.
Z diodami PIN Z tranzystorami FET Typy: SPST - 1WE1WY SPDT – 1WE2WY SPMT - 1WEkWY Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
58
Parametry przełączników
a) Straty wnoszone – w stanie włączenia i w stanie wyłączenia b) Dopasowanie na wejściu c) Dopasowanie na wyjściu d) Częstotliwościowy zakres pracy Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
59
Obwód zastępczy diody PIN a) stan rozwarcia b) stan zwarcia
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
60
Tranzystor FET jako element przełączający
Stan rozwarcia Stan zwarcia Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
61
Uproszczony obwód zastępczy przełącznika sygnału w.cz. 1WE1WY (SPST)
Przełącznik szeregowy Przełącznik równoległy Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
62
Uproszczony obwód zastępczy przełącznika sygnału w.cz. 1WE2WY (SPDT)
Szeregowe włączenie elementów kontrolujących λ Równoległe włączenie elementów kontrolujących Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
63
Przesuwniki fazy Przesuwniki fazy analogowe Przesuwniki fazy cyfrowe
1-no bitowy (dwustanowy 00, 1800) 2-wu bitowy (czterostanowy 00, 900, 1800, 2700) 3-ro bitowy (ośmiostanowy 00, 450, 900, 1350, 1800, 2250, 2700, 3150) 4-ro bitowy 5-cio bitowy 6-cio bitowy Dopasowanie na wejściu i na wyjściu Częstotliwościowe pasmo pracy Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
64
Przesuwniki fazy, wersje układowe:
1)z przełączanymi liniami transmisyjnymi 2) z linią transmisyjną obciążoną 3) odbiciowe 4) z przełączanymi filtrami 5) typu wzmacniacz Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
65
Jednobitowy przesuwnik fazy z przełączanymi liniami
Przesunięcie fazy: Opóźnienie czasowe: Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
66
Czterobitowy przesuwnik fazy z przełączanymi liniami
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
67
Przesuwnik fazy z linią transmisyjną obciążoną
Z dwoma elementami reaktancyjnymi Z jednym elementem reaktancyjnym Współczynnik odbicia: Przesunięcie fazy: Współczynnik transmisji: b = B/Y0 unormowanej susceptancji Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
68
Odbiciowy przesuwnik fazy
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
69
Odbiciowe przesuwniki fazy
Z rozgałęzieniem hybrydowym Z cyrkulatorem Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
70
Przesuwnik fazy z przełączanymi filtrami
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
71
Regulowane tłumiki sygnałów w.cz.
Typ T Typ π Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
72
Tłumik typu T: Tłumik typu π: Wartości rezystancji k = U2/U1
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
73
MMUS- mikrofalowy monolityczny układ scalony
Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska
Podobne prezentacje
© 2024 SlidePlayer.pl Inc.
All rights reserved.