WPŁYW WYBRANYCH CZYNNIKÓW NA CHARAKTERYSTYKI PRZETWORNICY BOOST

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
Tranzystory Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne bipolarny
Advertisements

Stabilizatory impulsowe
Układy RLC Technika Cyfrowa i Impulsowa
Układy RLC Technika Cyfrowa i Impulsowa
Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego.
Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania
Cz. II. Przetwornice tranzystorowe
Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania
WARYSTORY, TERMISTORY, DIODY.
Przetworniki C / A budowa Marek Portalski.
OPTOELEKTRONIKA Temat:
Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania
Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania
Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania
Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania
Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania
Badanie elementów optoelektronicznych
Zjawiska szkodliwe w układach cyfrowych.
PARAMETRY WZMACNIACZY
Wzmacniacze Wielostopniowe
Zasilacze i Prostowniki
Technika CMOS Tomasz Sztajer kl. 4T.
Generatory napięcia sinusoidalnego
WZMACNIACZE PARAMETRY.
Impulsowy przekształtnik energii z tranzystorem szeregowym
Problemy nieliniowe Rozwiązywanie równań nieliniowych o postaci:
Wzmacniacze – ogólne informacje
Sprzężenie zwrotne Patryk Sobczyk.
Wykonał: Ariel Gruszczyński
Autor: Dawid Kwiatkowski
Właściwości energetyczne sygnałów
TRANZYSTOR BIPOLARNY.
Fotodiody MPPC Michał Dziewiecki Politechnika Warszawska
Zasilacze.
Zastosowania komputerów w elektronice
1. Materiały galwanomagnetyczne hallotron gaussotron
SPRZĘŻENIE ZWROTNE.
Parametry rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych
Diody półprzewodnikowe
Krótko o…. Historia Działanie Sterowniki a automatyka Dobór
WYŚWIETLANIE INFORMACJI NUMERYCZNEJ
TRANZYSTORY POLOWE – JFET
Krzysztof Górecki Katedra Elektroniki Morskiej Akademia Morska w Gdyni
Wzmacniacz operacyjny
Regulacja impulsowa z modulacją szerokości impulsu sterującego
Tyrystory.
1 Investigations of Usefulness of Average Models for Calculations Characteristics of the Boost Converter at the Steady State Krzysztof Górecki, Janusz.
Półprzewodnikowe źródła światła
1 Influence of Cooling Conditions on DC Characteristics of the Power MOS Transistor IRF840 Janusz Zarębski, Krzysztof Górecki Katedra Elektroniki Morskiej,
Dana jest sieć dystrybucji wody w postaci: Ø      m- węzłów,
Krzysztof Górecki Katedra Elektroniki Morskiej Akademia Morska w Gdyni
Seminarium dyplomowe magisterskie
Przykład 5: obiekt – silnik obcowzbudny prądu stałego
Zawory rozdzielające sterowane bezpośrednio i pośrednio.
Mobilny układ do ładowania kondensatora wyrzutni elektromagnetycznej
3. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone c.d.
Lekcja 6: Równoległe łączenie diod
 1. Projektowanie instalacji elektrycznych, sieci elektrycznych 2. Montaż instalacji elektrycznych zgodnie z dokumentacją techniczną.
Wzmacniacze akustyczne Podstawy, układy i parametry
Kłodzka Grupa EME SP6JLW SP6OPN SQ6OPG
Wzmacniacz operacyjny
IX Konferencja "Uniwersytet Wirtualny: model, narzędzia, praktyka" „Laboratorium Wirtualne Fotoniki Mikrofalowej„ Krzysztof MADZIAR, Bogdan GALWAS.
Modulatory amplitudy.
Podstawy automatyki I Wykład 3b /2016
dr inż. Łukasz Więckowski Wydział EAIiIB
Elektronika.
Elektronika WZMACNIACZE.
WZMACNIACZ MOCY.
Sprzężenie zwrotne M.I.
Układy zasilające. Prostowniki
Zapis prezentacji:

WPŁYW WYBRANYCH CZYNNIKÓW NA CHARAKTERYSTYKI PRZETWORNICY BOOST KRZYSZTOF GÓRECKI, JANUSZ ZARĘBSKI, ANDRZEJ JÓŹWIK Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni

Plan referatu Wprowadzenie Wpływ samonagrzewania na charakterystyki diody i tranzystora Wyniki pomiarów przetwornicy boost Podsumowanie

Wprowadzenie Przy analizie i projektowaniu układów impulsowych typowo stosuje się wyidealizowane modele półprzewodnikowych elementów kluczujących Na właściwości rzeczywistych elementów wpływa m.in. samonagrzewanie W pracy – wyniki pomiarów wpływu wybranych czynników na charakterystyki przetwornicy boost

Wpływ samonagrzewania na charakterystyki diody Charakterystyki izotermiczne Charakterystyki nieizotermiczne

Wpływ samonagrzewania na charakterystyki tranzystora MOS Charakterystyki izotermiczne Charakterystyki nieizotermiczne

Badany układ

Wyniki pomiarów – wpływ częstotliwości

Wyniki pomiarów – wpływ diody

Wyniki pomiarów – wpływ tranzystora

Wyniki pomiarów – wpływ rezystancji obciążenia

Podsumowanie słaby wpływ częstotliwości sygnału sterującego tranzystor MOS w przetwornicy boost, w typowo stosowanym zakresie jej wartości, na sprawność i napięcie wyjściowe przetwornicy bardzo istotny jest wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na wartości rozważanych parametrów Wybór diody o większej wartości napięcia przewodzenia lub tranzystora MOS o większej wartości rezystancji włączenia powodują spadek wartości napięcia wyjściowego i sprawności przetwornicy Przez umieszczenie tranzystora na radiatorze uzyskuje się szerszy zakres dopuszczalnych wartości współczynnika wypełnienia, w którym uzyskuje się bezpieczne warunki pracy elementów półprzewodnikowych, a dzięki temu możliwe jest uzyskanie wyższych wartości napięcia wyjściowego i sprawności energetycznej Wpływ samonagrzewania jest najwyraźniej obserwowany w zakresie małych wartości rezystancji obciążenia i dużych wartości współczynnika wypełnienia sygnału sterującego Obserwowane różnice między wartościami napięć uzyskanymi w układzie z tranzystorem umieszczonym na radiatorze i bez radiatora dochodzą nawet do 40%