Lasery półprzewodnikowe kontra lasery argonowe. Aneta Antczak Iwona Wieczorek
Laser argonowy Gazowo-jonowy Możliwość pracy w krótkofalowym zakresie widma Generacja kilku linii widmowych Duże wzmocnienie (szczególnie dla linii: 488,514.5 i 476.5 nm) Parametry rury wyładowczej: Prąd wyładowania łukowego (do 60A) Napięcie rzędu 300-600V
Zastosowanie: Wady: badanie zjawisk rozpraszania światła pompowanie laserów barwnikowych holografia medycyna (okulistyka, mikroskopia) Wady: trudności z technologią wykonania rury wyładowczej duża moc wejściowa (od kilowata do kilu kilowatów)
Laser półprzewodnikowy Zalety: małe wymiary – średnie wymiary pojedynczego emitera wynoszą 1x10x10 μm3; największa sprawności generacji dochodzącej do 70% (lasery gazowe ≈ 0,1%, lasery ciała stałego ≈ 1%, lasery molekularne CO2 ≈ 30%); prostoty zasilania ( ), gdzie: U- napięcie stałe źródła zasilania, hυ-energia; możliwości budowy wieloelementowych macierzy emiterów (zasadnicza metoda powiększania mocy lub energii wyjściowej)
Wady: asymetria wiązki (kąty rozbieżności wiązki w laserach krawędziowych w płaszczyznach równoległych i prostopadłych nie są jednakowe) stosunkowo silna zależność generowanej długości fali od temperatury
Budowa lasera półprzewodnikowego Sapphire – optycznie pompowany laser półprzewodnikowy.
Schematyczny przekrój poprzeczny lasera półprzewodnikowego
„Photonics spectra” (September 2003) Źródła „Photonics spectra” (September 2003) E.Brunner, W.Radloff „Elektronika kwantowa”