Lista zadań nr 3.

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
POMIAR NAPIĘĆ I PRADÓW STAŁYCH
Advertisements

I część 1.
Elementy Elektroniczne
Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego.
Czwórnik RC R U1 U2 C Układ całkujący Filtr dolnoprzepustowy C.
Wzmacniacze Operacyjne
Materiały pochodzą z Platformy Edukacyjnej Portalu
Redukcja sekwentu Huzar, str Dany jest sekwent (1) 1 a+/b+/c, /b+/c, d, b, c+/a+/b, c+/d, /a+/d+/b |- Do sekwentu 1 stosujemy regułę: +|-. Stąd:
Przetworniki C / A budowa Marek Portalski.
UKŁADY PRACY WZMACNIACZY OPERACYJNYCH
PARAMETRY WZMACNIACZY
Wzmacniacze Wielostopniowe
Generatory napięcia sinusoidalnego
WZMACNIACZE PARAMETRY.
Metody Numeryczne Wykład no 12.
Problemy nieliniowe Rozwiązywanie równań nieliniowych o postaci:
Materiały pochodzą z Platformy Edukacyjnej Portalu
Sprzężenie zwrotne Patryk Sobczyk.
Wykonał: Ariel Gruszczyński
STĘŻENIE PROCENTOWE.
KONKURS WIEDZY O SZTUCE
TRANZYSTOR BIPOLARNY.
Systemy dynamiczneOdpowiedzi systemów – modele różniczkowe i różnicowe Kazimierz Duzinkiewicz, dr hab. inż.Katedra Inżynierii Systemów Sterowania 1 Systemy.
Systemy dynamiczne – przykłady modeli fenomenologicznych
I T P W ZPT 1 Jak smakuje Espresso I T P W ZPT 2.
Rozdział XI -Kredyt ratalny
Zastosowania komputerów w elektronice
OPORNOŚĆ HYDRAULICZNA, CHARAKTERYSTYKA PRZEPŁYWU
UKŁADY SZEREGOWO-RÓWNOLEGŁE
Parametry rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych
Tranzystory FET.
Dyskretny szereg Fouriera
LOKOMOTYWA ELEKTRYCZNA Spis treści ET 22 Uruchamianie.
7. Generatory LC 7.1. Wstęp Generator Wzmacniacz YL YG Zasilanie IG
Teoria sterowania Wykład 3
Automatyka Wykład 3 Modele matematyczne (opis matematyczny) liniowych jednowymiarowych (o jednym wejściu i jednym wyjściu) obiektów, elementów i układów.
Modele matematyczne przykładowych obiektów i elementów automatyki
Wykład 12 Metoda linii pierwiastkowych. Regulatory.
TRANZYSTORY POLOWE – JFET
Wykład 5 Charakterystyki czasowe obiektów regulacji
Wzmacniacz operacyjny
Wykład VI Twierdzenie o wzajemności
Rozważaliśmy w dziedzinie czasu zachowanie się w przedziale czasu od t0 do t obiektu dynamicznego opisywanego równaniem różniczkowym Obiekt u(t) y(t) (1a)
MECHANIKA 2 Wykład Nr 11 Praca, moc, energia.
Rezystancja zastępcza, połączenie trójkąt-gwiazda
Teoria sterowania 2011/2012Sterowanie – metody alokacji biegunów III Kazimierz Duzinkiewicz, dr hab. in ż. Katedra In ż ynierii Systemów Sterowania 1 Sterowanie.
Sterowanie – metody alokacji biegunów
Podstawy automatyki 2011/2012Systemy sterowania - struktury –jakość sterowania Mieczysław Brdyś, prof. dr hab. inż.; Kazimierz Duzinkiewicz, dr hab. inż.
  Prof.. dr hab.. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska.
Sterowanie – metody alokacji biegunów II
Wytrzymałość materiałów Wykład nr 8
  Prof.. dr hab.. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska.
(C) Jarosław Jabłonka, ATH, 5 kwietnia kwietnia 2017
Materiały pochodzą z Platformy Edukacyjnej Portalu
Obwody elektryczne - podstawowe prawa
W.7. PRZEMIANA CZĘSTOTLIWOŚCI
Analogowych Układów Elektronicznych I Pytania testowe z
Kalendarz 2020.
W1. GENERATORY DRGAŃ SINUSOIDALNYCH
obowiązuje w przedziale napięć: U_GS>U_T i 0<U_DS<U_GS-U_T
Wzmacniacze akustyczne Podstawy, układy i parametry
Wzmacniacz operacyjny
Wybrane zagadnienia generatorów sinusoidalnych (generatorów częstotliwości)
Czyli wzory Viete’a. Jeżeli funkcja kwadratowa ma pierwiastki (miejsca zerowe), to zachodzą następujące wzory Viete’a:
4. TRANZYSTORY Tranzystor - trójelektrodowy (lub czteroelektrodowy) przyrząd półprzewodnikowy posiadający właściwości wzmacniające (zastąpił lampy.
Elektronika.
Elektronika WZMACNIACZE.
WZMACNIACZ MOCY.
Sprzężenie zwrotne M.I.
UKŁADY SZEREGOWO-RÓWNOLEGŁE
Zapis prezentacji:

Lista zadań nr 3

Zadanie 1 Oszacuj punkt pracy tranzystora (ICQ, UCEQ) pracującego w układzie wzmacniacza z rys.1. Do obliczeń należy przyjąć: RB = 220 kW, RC = 1 kW, RE = 510 W, EC = 10 V, UBE = 0,6 V, b = 100.

Zadanie 2 Oszacuj punkt pracy tranzystora (ICQ, UCEQ) pracującego w układzie wzmacniacza z rys.2. Do obliczeń należy przyjąć: RB = 133 kW, RC = 1,8 kW, EC = 10 V, UBE = 0,6 V, b = 100.

Zadanie 3 Oszacuj punkt pracy tranzystora (ICQ, UCEQ) pracującego w układzie wzmacniacza z rys.3. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 15 kW, RB2 = 8,2 kW, RC = 820 W, RE = 510 W, EC = 10 V, UBE = 0,6 V, b = 100.

To jest tożsame z (Rb = Rb1||Rb2, a Ub=URb2):

Zadanie 4 Oszacuj punkt pracy tranzystora (ICQ, UCEQ) pracującego w układzie wzmacniacza z rys.4. Do obliczeń należy przyjąć: RB = 100 kW, RC = 8,2 kW, RE = 10 kW, ±EC = 12 V, UBE = 0,6 V, b = 200.

Zadanie 5 Oszacuj punkt pracy tranzystora (IDQ, UDSQ) pracującego w układzie wzmacniacza z rys.5. Do obliczeń należy przyjąć: RD = 5 kW, RS = 1 kW, RG = 1 MW, ED = 10 V, IDSS = 4 mA, Up = -2 V.

jeżeli założymy, że ID=IS i IG=0 to , więc mamy równanie kwadratowe: Wstawiając dane, otrzymujemy:

Rozwiązujemy równanie kwadratowe i otrzymujemy 2 prawdopodobne wyniki: Z warunku, że UGS>UP odrzucamy wynik 2, więc Sprawdzenie z PSPICE

Zadanie 6 Oszacuj punkt pracy tranzystora (IDQ, UDSQ) pracującego w układzie wzmacniacza z rys.6. Do obliczeń należy przyjąć: RD = 2 kW, RS = 500 W, RG1 = RG2 = RG3 = 1 MW, ED = 12 V, IDSS = 4,5 mA, Up = 3 V.

jeżeli założymy, że ID=IS i IG=0 to , czyli otrzymujemy równanie:

Wstawiamy dane z zadania: I rozwiązując równanie otrzymujemy: Z warunku, że UGS>0 odrzucamy wynik 1, więc

Zadanie 7 Oszacuj punkty pracy tranzystorów (ICQ, UCEQ) pracujących w układzie wzmacniacza z rys.7. Do obliczeń należy przyjąć: RC1 = 10 kW, RC2 = 5 kW, RE1 = 5 kW, RE2 = 6,1 kW, RF = 100 kW, EC = 18 V, UBE1 = UBE2 = 0,6 V, b1 = b2 = 100.

A jeśli tak, to

Zadanie 8 Oszacuj punkty pracy tranzystorów (ICQ, UCEQ) pracujących w układzie wzmacniacza z rys.8. Do obliczeń należy przyjąć: RC1 = 15 kW, RC2 = 5 kW, RE2 = 1,2 kW, RF = 100 kW, EC = 18 V, UBE1 = UBE2 = 0,6 V, b1 = b2 = 100.

Zadanie 9 Narysuj małosygnałowe schematy zastępcze układów wzmacniacza z rysunku 9 w zakresie częstotliwości średnich, niskich i wysokich.

Model tranzystora npn w układzie WE.

wcz. wcz z twierdzeniem Millera:

Model tranzystora npn w układzie WC. 9b Model tranzystora npn w układzie WC.

Wcz dla WC

Model tranzystora npn w układzie WB. 9c Model tranzystora npn w układzie WB. Wcz dla WB

Zadanie 10 Narysuj małosygnałowe schematy zastępcze układów wzmacniacza z rysunku 10 w zakresie czestotliwości średnich.

Model tranzystora MOSFET w układzie WS

Model tranzystora MOSFET w układzie WD 10b Model tranzystora MOSFET w układzie WD

Model tranzystora MOSFET w układzie WG 10c Model tranzystora MOSFET w układzie WG

Zadanie 11 Oszacuj parametry zastępcze małosygnałowych modeli zastępczych tranzystora bipolarnego pracującego w punkcie pracy ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V. Do obliczeń przyjąć UA = 100 V. a) model typu hybryd p; b) model typu macierz h; c) model typu macierz y.

Dla modelu hybryd pi: Transkonduktancja: Kondunktancja wyjściowa: Kondunktancja wejściowa Transkonduktancja zwrotna: Pojemności:

Dla modelu h:

Dla modelu Y: Dla danych z zadania: Hybryd pi:

Model h: Model Y:

Zadanie 12 Oszacuj skuteczne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza z rys.9a. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 56 kW, RB2 = 20 kW, RC = 6,8 kW, RE = 3,3 kW, Rg = 1 kW, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V.

Punkt pracy tranzystora z treści zadania: ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V. Obliczamy wartości parametrów modelu: Na podstawie schematu zastępczego można wyznaczyć wzmocnienie napięciowe skuteczne: - można pominąć (w treści nie ma nic o UEY)

Obliczamy U1 pomijając rbb’, jest to wartość mała więc w porównaniu z kW można ją pominąć. Stąd: Obliczamy Ku: , gdzie gce można pominąć.

Wstawiając dane otrzymujemy: Więc

Zadanie 13 Oszacuj skuteczne wzmocnienie prądowe wzmacniacza z rys.9a. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 56 kW, RB2 = 20 kW, RC = 6,8 kW, RE = 3,3 kW, Rg = 1 kW, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V.

Ki można wyrazić wzorem:

Podstawiając otrzymujemy (gce pomijamy):

Zadanie 14 Oszacuj rezystancje wejściową oraz wyjściową wzmacniacza z rys.9a. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 56 kW, RB2 = 20 kW, RC = 6,8 kW, RE = 3,3 kW, Rg = 1 kW, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V.

Dla modelu hybryd pi: Jak widać na rysunku: jeżeli pomijamy gce.

Zadanie 15 Oszacuj dolną częstotliwość graniczną układu wzmacniacza z rys.9a. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 56 kW, RB2 = 20 kW, RC = 6,8 kW, RE = 3,3 kW, C1 = 1 mF, C2 = 1 mF, CE = 100 mF, Rg = 1 kW, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V.

Częstotliwość graniczna dolna wyraża się wzorem:

Zadanie 16 Oszacuj górną częstotliwość graniczną układu wzmacniacza z rys.9a. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 56 kW, RB2 = 20 kW, RC = 6,8 kW, RE = 3,3 kW, Cbc = 4,5 pF, fT = 150 MHz, Rg = 1 kW, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V.

Obliczamy wartości parametrów modelu: Do danych z zadania: Ku z zadania 12:

Więc:

Zadanie 17 Oszacuj skuteczne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza z rys.9b. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 570 kW, RB2 = 3,9 MW, RE = 10 kW, Rg = 5 kW, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V.

Obliczamy wartości parametrów modelu: - można pominąć (w treści nie ma nic o UEY) Na podstawie schematu zastępczego można wyznaczyć wzmocnienie napięciowe skuteczne: Pomijamy rbb’, jest to wartość mała więc w porównaniu z kW można pominąć.

Obliczamy Ku:

Wstawiając dane otrzymujemy: gce można pominąć. Obliczmy Rwe: Wstawiając dane otrzymujemy:

Zadanie 18 Oszacuj skuteczne wzmocnienie prądowe wzmacniacza z rys.9b. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 570 kW, RB2 = 3,9 MW, RE = 10 kW, Rg = 5 kW, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V.

Czyli

Zadanie 19 Oszacuj rezystancje wejsciowa oraz wyjsciowa wzmacniacza z rys.9b. Do obliczen naley przyjac: RB1 = 570 kW, RB2 = 3,9 MW, RE = 10 kW, Rg = 5 kW, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 5 V.

Zadanie 20 Oszacuj skuteczne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza z rys.9c. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 100 kW, RB2 = 20 kW, RC = 500 W, RE = 1 kW, Rg = 20 W, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 10 V.

Zadanie 21 Oszacuj skuteczne wzmocnienie prądowe wzmacniacza z rys.9c. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 100 kW, RB2 = 20 kW, RC = 500 W, RE = 1 kW, Rg = 20 W, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 10 V.

Zadanie 22 Oszacuj rezystancję wejściową oraz wyjściową wzmacniacza z rys.9c. Do obliczeń należy przyjąć: RB1 = 100 kW, RB2 = 20 kW, RC = 500 W, RE = 1 kW, Rg = 20 W, Robc = 10 kW, b = 200, punkt pracy tranzystora ICQ = 1 mA, UCEQ = 10 V.

Zadanie 23 Oszacuj parametry robocze (kUsk, RWE, RWY) układu wzmacniacza z rys.10a. Do obliczeń należy przyjąć: RG1 = 1 MW, RG2 = 1 MW, RD = 5 kW, RS = 500 W, Rg = 5 kW, Robc = 10 kW, gm = 2 mS, gds = 15 mS.

Zadanie 24 Oszacuj parametry robocze (kUsk, RWE, RWY) układu wzmacniacza z rys.10b. Do obliczeń należy przyjąć: RG1 = 1 MW, RG2 = 1 MW, RS = 5 kW, Rg = 5 kW, Robc = 10 kW, gm = 2 mS, gds = 15 mS.

Zadanie 25 Oszacuj parametry robocze (kUsk, RWE, RWY) układu wzmacniacza z rys.10c. Do obliczeń należy przyjąć: RG1 = 1 MW, RG2 = 1 MW, RD = 5 kW, RS = 500 W, Rg = 5 kW, Robc = 10 kW, gm = 2 mS, gds = 15 mS.