INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Opracowanie spektrometrycznych metod badania nanostruktur warstwowych oraz nanocząstek. Zastosowania techniki próżniowej sprawozdanie za okres 01.01.2010 - 31.12.2010 Piotr Konarski, Aleksander Zawada, Krzysztof Kaczorek, Irena Marczakowska, Iwonna Iwanejko

Zastosowania techniki próżniowej INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Plan prezentacji: Opracowanie procedur badawczych SIMS i GDMS oraz wykonanie analiz profilowych układów warstwowych Układ warstwowy Ti/Al/Ti/Al/SiC Stop CuMnNi – manganin Stop TiAlV wygrzewany w próżni Stop γ-TiAl wygrzewany w próżni Stal 316L elektropolerowana – badanie zawartości wodoru Pyły zanieczyszczające środowisko Opracowanie procedur przesuwu i pozycjonowania badanych struktur w analizie profilowej GDMS Opracowanie układu sterowania próbki silnikami krokowymi w analizatorze GDMS Zastosowania techniki próżniowej Prace nad budową próżniomierza hydrostatycznego w oparciu o stop galu Opracowanie projektu układu ciśnieniowo próżniowego służącego do polaryzacji cząstek 3He. Zastosowanie wiązki jonów ksenonu w analizie profilowej SIMS Publikacje naukowe i prezentacje konferencyjne Opracowanie wniosku o finansowanie projektu badawczego - rozwojowego Podziękowania

INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Opracowanie procedur badawczych SIMS i GDMS oraz wykonanie analiz profilowych układów warstwowych Parametry trawienia jonowego Rodzaj jonów i energia Ciśnienie gazu Średnica wiązki Gęstość prądu Kąt padania Pole przemiatania wiązki Szybkość trawienia Parametry detekcji jonów Masy jonów (interferencja mas) Energia jonów Czas zliczania Napięcie powielacza „Bramka elektroniczna” Parametry obróbki danych Procedura normalizacji Próbki wzorcowe Wzorce wewnętrzne Redukcja tła SIMS GDMS 11000 A = 1100 nm 1450 µm = 1,45 mm nm

Układ warstwowy 50 nmTi/ 50nmAl/ 50nmTi/ 50nmAl/SiC INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Układ warstwowy 50 nmTi/ 50nmAl/ 50nmTi/ 50nmAl/SiC 50 nm Ti 50 nm Al podłoże SiC Próbka Ti/Al/Ti/Al/SiC ITME Publikacja w przygotowaniu

Stop CuMnNi – manganin deuteryzowany INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Stop CuMnNi – manganin deuteryzowany Cu86/Mn12/Ni2 Spektrum mas SIMS (-) Analiza profilowa GDMS Próbki stopu CuMnNi – Instytut Energii Atomowej, Świerk Publikacja – w przygotowaniu

Stop CuMnNi – manganin implantowany C, Ti, Nb, Kr PN – EN ISO 9001:2001 INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 Stop CuMnNi – manganin implantowany C, Ti, Nb, Kr Próbki stopu CuMnNi – Instytut Energii Atomowej, Świerk Publikacja złożona do druku w Acta Physica Polonica A, 06.2010

Stop TiAlV wygrzewany w próżni INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY PN – EN ISO 9001:2001 INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 Stop TiAlV wygrzewany w próżni Próbki stopu TiAlV – Instytut Inżynierii Produkcji Politechnika Warszawska Publikacja w przygotowaniu

Stop TiAl - wygrzewany w próżni INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Stop TiAl - wygrzewany w próżni Próbki stopu TiAl – Instytut Inżynierii Produkcji, Politechnika Warszawska Publikacja w przygotowaniu

INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Stal 316L elektropolerowana – badanie zawartości wodoru w warstwie wierzchniej Publikacja w przygotowaniu: SIMS analysis of hydrogen content in near surface layers of AISI 316L SS after electrolytic polishing under different conditions Tadeusz Hryniewicz, Piotr Konarski, Krzysztof Rokosz, Ryszard Rokicki

INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Drobiny pyłów zawieszonych – pobrane w środowisku pracy (Huta Sendzimira) badanie struktury „rdzeń – warstwa” metodą analizy profilowej SIMS Mn, Fe, Pb, F, Cl Zastosowanie procedury normalizacyjnej w oparciu o wyniki analizy SSMS Publikacja w przygotowaniu

Mechanizm pozycjonowania próbki w projektowanym analizatorze GDMS INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 do spektrometru mas anoda katoda Mechanizm pozycjonowania próbki w projektowanym analizatorze GDMS izolator

Opracowanie procedur przesuwu i pozycjonowania INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Opracowanie procedur przesuwu i pozycjonowania badanych struktur w analizie profilowej GDMS x y z

Opracowanie układu sterowania próbki INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Opracowanie układu sterowania próbki silnikami krokowymi w analizatorze GDMS uchwyt próbki pole przemiatania 0,8 – 1,5 mm

Zastosowania techniki próżniowej INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Zastosowania techniki próżniowej - Prace nad budową próżniomierza hydrostatycznego w oparciu o stop galu Opracowanie projektu układu ciśnieniowo próżniowego służącego do polaryzacji cząstek 3He - Zastosowanie wiązki jonów ksenonu w analizie profilowej SIMS

Galinstan vs. rtęć Gdzie jest rtęć, a gdzie jest galinstan? INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Galinstan vs. rtęć Gdzie jest rtęć, a gdzie jest galinstan?

Właściwości galinstanu INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Właściwości galinstanu Skład: -68,5% Ga -21,5% In -10% Sn -temperatura krzepnięcia -19 ºC. -prężność pary <10-8hPa @500 ºC -gęstość 6,44 g/cm3 Galinstan Rtęć Właściwości rtęci: -temperatura krzepnięcia ok. -38 ºC. -prężność pary ca. 2x10-3 hPa @ 20 ºC. -gęstość: ca. 13,58 g/cm3

Prace nad budową próżniomierza hydrostatycznego w oparciu o stop galu INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Prace nad budową próżniomierza hydrostatycznego w oparciu o stop galu Wada: Zwilżanie szkła przez stop, o ile nie jest pokryty tlenkiem galu

Próżniomierz hydrostatyczny - podsumowanie INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Próżniomierz hydrostatyczny - podsumowanie -Dobre właściwości próżniowe stopu -Możliwość uzyskania większej czułości niż dla rtęci -Zwilżanie szkła przez stop -Trudność z pokryciem szkła tlenkiem galu

Połączenie rozbieralne metal – metal VCR INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Opracowanie projektu układu ciśnieniowo próżniowego służącego do polaryzacji cząstek 3He – Współpraca z Instytutem Radioelektroniki PW Połączenie metal - szkło Pompa próżni wstępnej Pompa turbo Butle N2 i He4 Butla He3 Manowakuometr Próżniomierz Strzykawka Przewód metalowy Przewód szklany Zawór metalowy Zawór szklany Z1 Z2 Z7 Z9 Z11 Z6 Z5 ZS4 Z4 Z8 Z10 Z12 „by-pass” VCR Wymrażarka Z13 V1 ZS1 V2 ZS2 V3 ZS3 V4 ZS5 Z3 Z14 Połączenie rozbieralne metal – metal VCR Przewód metalowy (opcjonalny)

Zastosowanie wiązki jonów ksenonu w analizie profilowej SIMS INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Zastosowanie wiązki jonów ksenonu w analizie profilowej SIMS Butla szklana z Xe Porównanie rozpylania Ar+ i Xe+. Wyższy współczynnik rozpylania dla Xe+, wyższe prądy jonów wtórnych.

3 prace – „Surface and Interface Analysis” 2 prace – „Elektronika” INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Publikacje naukowe 3 prace – „Surface and Interface Analysis” 2 prace – „Elektronika”

Prezentacje konferencyjne INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Prezentacje konferencyjne 4 prezentacje – ION 2010, Kazimierz Dolny, czerwiec 2010 r. 1 prezentacja – XVI Międzynarodowa Konferencja Naukowa – Zdrowie dzieci a czynniki środowiskowe, Legnica, maj 2010 r. 3 prezentacje - Seminarium Środowiskowe Polskiego Towarzystwa Fizycznego, UMCS Lublin, październik 2010 r. Wniosek o finansowanie projektu badawczego – rozwojowego pt. Bezrtęciowa lampa fluorescencyjna Opracowanie: A. Zawada, K. Kaczorek, P. Konarski Wniosek o finansowanie projektu badawczego – rozwojowego złożony w lutym 2010 r. w Ministerstwie Nauki i Szkolnictwa Wyższego Nawiązanie współpracy ze Zjednoczonym Instytutem Badań Jądrowych w Dubnej. Przygotowano i podpisano protokół o współpracy z ITR

Podziękowania INSTYTUT TELE- i RADIOTECHNICZNY założony w 1956 roku 03-450 Warszawa, ul. Ratuszowa 11 PN – EN ISO 9001:2001 Podziękowania Prof. dr hab. J. Senkara - Wydział Inżynierii Produkcji, Politechnika Warszawska Prof. dr hab. R. Wiśniewski - Instytut Energii Atomowej, Świerk Dr T. Wilczyńska - Instytut Energii Atomowej, Świerk Prof. dr hab. T. Hryniewicz - Wydział Mechaniczny, Politechnika Koszalińska Dr R. Diduszko - P4 ITR, ITME Mgr inż. P. Firek - IMiO, Politechnika Warszawska Dr hab. Z. Wroński - Instytut Fizyki, UMCS Lublin