Tranzystory FET
Tranzystory unipolarne normalnie załączone normalnie wyłączone S – źródło elektroda z której wypływają nośniki ładunku do kanału D – dren elektroda do której dochodzą nośniki ładunku z kanału G – bramka elektroda sterująca B – podłoże Tranzystory MOSFET mają często wyprowadzoną czwartą końcówkę B podłączoną do podłoża . Elektroda ma podobne działanie jak bramka i jest izolowana od kanału warstwą zaporową. Jednak na ogół nie wykorzystuje się jej właściwości i jest ona łączona ze źródłem.
Tranzystory unipolarne - zasada działania EG = - UGS = 0V, VG = VS = 0V, Kanał n – otwarty, gdy ED>0V między DRENEM a ŹRÓDŁEM płynie największy ID (o takim tranzystorze mówimy, że jest normalnie załączony) EG = - UGS > 0V, VG < VS Kanał n – dalej otwarty, gdy ED>0V między DRENEM a ŻRÓDŁEM płynie ID EG = - UGSgr, VG < VS Kanał n – zamknięty, gdy ED>0V między DRENEM a ŻRÓDŁEM nie płynie ID
Tranzystory unipolarne KONFIGURACJE PRACY TRANZYSTORA WS WD WG POLARYZACJA TRANZYSTORA kanał n kanał p
Tranzystory unipolarne CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA kanał n ID = f(UGS) WEJŚCIOWA (PRZEJŚCIOWA) Up – napięcie odcięcia kanału UGS > Up : Q Nachylenie charakterystyki: Tranzystory normalnie załączone: ID = IDSS gdy UGS = 0V Tranzystory normalnie wyłączone: ID = IDSS gdy UGS = 2Up
Tranzystory unipolarne 2. ID = f(UDS) dla UGS = const. WYJŚCIOWA Uk = UGS – Up Uk = |Up| przy: ID = IDSS
Wzmacniacz WS
Wzmacniacz WS
Wzmacniacz WD – wtórnik źródłowy