Elektryczność i Magnetyzm

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
Równanie Schrödingera
Advertisements

Tranzystory Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne bipolarny
Cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: konfiguracji połączeń,
Elementy Elektroniczne
Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny, FET
Wykład III ELEKTROMAGNETYZM
kontakt m-s, m-i-s, tranzystory polowe
Przepływ prądu elektrycznego
Materiały pochodzą z Platformy Edukacyjnej Portalu
Prezentację wykonała: mgr inż. Anna Jasik
Tak było, jak będzie? Lampy próżniowe. Komputery lampowe – 15 kW – zasilanie bloku mieszkalnego. Tranzystor – – Wiliam Shockley, John Bardeen,
Mateusz Wieczorkiewicz
Wykonał Artur Kacprzak kl. IVaE
Podstawy teorii przewodnictwa
Kiedy półprzewodniki stają się przewodnikami i izolatorami?
Wykład VIIIa ELEKTROMAGNETYZM
Wykład 10.
Złącza półprzewodnikowe
TRANZYSTOR BIPOLARNY.
Wykład Półprzewodniki Pole magnetyczne
Wykład Zależność oporu metali od temperatury.
Wykład Siła elektromotoryczna
Parametry układów cyfrowych
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Elektryczność i Magnetyzm
Tranzystory FET.
Elektrochemia.
TRANZYSTORY POLOWE – JFET
Miłosz Andrzejewski IE
Fizyka Elektryczność i Magnetyzm
Połączenia rezystorów
Tranzystory z izolowaną bramką
AGH-WIMiR, wykład z chemii ogólnej
Przewodniki, półprzewodniki i izolatory prądu elektrycznego
Treści multimedialne - kodowanie, przetwarzanie, prezentacja Odtwarzanie treści multimedialnych Andrzej Majkowski informatyka +
Treści multimedialne - kodowanie, przetwarzanie, prezentacja Odtwarzanie treści multimedialnych Andrzej Majkowski informatyka +
Elektryczność i Magnetyzm
567.Jakie prądy płyną przez poszczególne opory na schemacie poniżej, jeśli R 1 =3 , R 2 =7 , R 3 =20 , U=20V, a galwanometr wskazuje i G =0? B R1R1.
Prąd Elektryczny Szeregowe i równoległe łączenie oporników Elżbieta Grzybek Michał Hajduk
603.Baterię o SEM E=12V i oporze wewnętrznym r=1  zwarto dwoma oporami R 1 =10  i R 2 =20  połączonymi równolegle. Jakie prądy płyną przez te opory?
3. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone c.d.
3. Elementy półprzewodnikowe i układy scalone
Półprzewodniki r. Aleksandra Gliniany.
Metale i izolatory Teoria pasmowa ciał stałych
Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe Elżbieta Podgórska Zarządzanie i Inżynieria Produkcji Wydział Górnictwa i Geoinżynierii Gr 3, rok 4
Fizyka Prezentacja na temat: „Półprzewodniki i urządzenia półprzewodnikowe” MATEUSZ DOBRY Kraków, 2015/2016.
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice (
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
4.2. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
Zapis prezentacji:

Elektryczność i Magnetyzm Wykład: Jan Gaj Pokazy: Tomasz Kazimierczuk/Karol Nogajewski, Tomasz Jakubczyk Wykład dziewiąty 16 marca 2010

Z ostatniego wykładu Przewodnictwo różnych materiałów Metale, półprzewodniki i izolatory, nadprzewodniki, przewodzenie szkła Półprzewodniki samoistne, typu n i typu p Wpływ oświetlenia na przewodnictwo Pomiary natężenia i napięcia, przy dużym i małym oporze Łączenie oporów, dzielnik napięcia Dioda półprzewodnikowa, także lawinowa

Tranzystor polowy FET (JFET) junction field effect transistor William Shockley John Bardeen Nobel 1956 Walter Brattain

Tranzystor polowy FET (unipolarny) V p G Warstwa zubożona bramka S D kanał n źródło dren V 1. Zmiana oporności kanału 2. Nasycenie

Warstwa zubożona (depletion layer) metal + Energia elektronów Pasmo przewodnictwa + + Przerwa energetyczna + + położenie dziury - - - + - Pasmo walencyjne + + d

Warstwa inwersyjna (inversion layer) metal + + Energia elektronów Pasmo przewodnictwa + + + Przerwa energetyczna + + + + położenie dziury + elektrony + Pasmo walencyjne + + + + +

Tranzystor polowy MOSFET metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Elektroliza

Prawa elektrolizy Faradaya I m = kQ II k  r r = /w równoważnik chemiczny = masa molowa/wartościowość albo: r/k = F Stała Faradaya F = NAe = 96500 C Stała Faradaya: ładunek, który wydziela na elektrodzie równoważnik chemiczny substancji Przykłady: wodór r = 1 g, tlen r = 8 g

Polaryzacja elektrolityczna V W wyniku elektrolizy powstało ogniwo gazowe

Ogniwo Volty Polaryzacja szkodzi!

Bateryjka (ogniwo) paluszkowa jak zwalczyć polaryzację?

Termopara mała i duża Cu konstantan

Zjawisko termoelektryczne Znak napięcia zimnego końca ujawnia znak ładunku nośników

Wykrywamy elektrony i dziury Znak zimnego spojenia! Cu Cu Si

Siła elektromotoryczna E Źródło prądu stałego Siła elektromotoryczna E czy ? U (V) I (A) U (V) U = E – Rw I Prąd zwarcia Iz I (A) Przybliżenie stałego oporu wewnętrznego nie zawsze spełnione!

Źródło napięciowe i prądowe I (A) U (V) I (A) U (V) Rw = 0 Rw  

Mostek Wheatstone’a - historia Czułość galwanometru warunkuje dokładność wyznaczenia oporu! Rx R1 G I1 I2 R3 R2 Warunki równowagi Stąd

Mostek Wheatstone’a – po co? Czujnik GMR (gigantyczny magnetoopór): mniejsza wrażliwość na temperaturę R0 R0+R Uwy U0

Mostek Wheatstone’a – po co? Czujnik GMR (gigantyczny magnetoopór): mniejsza wrażliwość na temperaturę R0 R0+R Uwy I0