Pamięci flash.

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
PAMIĘĆ RAM.
Advertisements

BUDOWA WEWNĘTRZNA KOMPUTERA
Zapis danych.
System przechowywania danych
ELEMENTY SKŁADOWE JEDNOSTKI CENTRALNEJ
Jednostki pamięci komputera
Pamięci RAM Brodziak Czubak.
Magistrala & mostki PN/PD
Systemy operacyjne Bibliografia:
Komputer, procesor, rozkaz.
Budowa Komputera.
Systemy plików.
OPRACOWANIE: Orsik Mirosław, Paweł Hajduk, Bożena
DYSK TWARDY.
ZESTAW KOMPUTEROWY.
Budowa komputera
Komputer a system komputerowy
TRANZYSTORY POLOWE – JFET
Magazyny pamięci.
Tranzystory z izolowaną bramką
Budowa wnętrza komputera
Pamięci Operacyjne Pamięć Operacyjna jest to przestrzeń robocza
Zasada działania komputera
Budowa systemu komputerowego
BUDOWA KOMPUTERA AUTOR: ROMAN ROŻEK.
Elementy składowe komputera
Urządzenia wewnętrzne komputera
Budowa komputera.
ATA - dyski Advanced Technology Attachments - interfejs systemowy PC przeznaczony do komunikacji z dyskami twardymi. Stosowane początkowo oznaczenia ATA-1,
Budowa i organizacja zapisu danych na dysku twardym
Bazy danych rezydujące w pamięci operacyjnej komputera (in-memory)
Mikroprocesory.
Mikroprocesory mgr inż. Sylwia Glińska.
Rodzaje komputerowych nośników danych
Systemy plików FAT, FAT32, NTFS
Pamięć komputerowa S t r u k t u r a p a m i ę c i.
Nośniki informacji i akcesoria komputerowe
Budowa komputera.
Jednostki używane w informatyce
Architektura PC.
Budowa komputera ProProgramer.
SPRZET KOMPUTEROWY.
Pamięci RAM i ROM R. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation", Wiley-IEEE Press, 2 wyd
Nośniki pamięci zewnętrznej
Budowa wewnętrzna KOMPUTERA
System plików.
QIC: Quarter Inch Cartridge Travan: TR1-TR5 MLR: Multi Channel Linear Recording DAT: Digital Audio Tape DLT: Digital Linear Tape AIT: Advanced Intelligent.
Procesor, pamięć, przerwania, WE/WY, …
Pamięć DRAM.
Pamięci magnetyczne. Parametry dysków Pojemność wyrażana w GB lub TB, Transfer danych – szybkość przesyłania danych, zależy głównie od rodzaju interfejsu.
Struktura wewnętrzna mikrokontrolera zamkniętego
Pamięć RAM Pamięć RAM.
Pamięć SRAM.
Rodzaje pamięci komputerowej
Budowa (wewnętrzna) komputera
Jednostka centralna.
BUDOWA WEWNĘTRZNA KOMPUTERA
Powtórzenie Zadania systemu operacyjnego… Rodzaje i jednostki pamięci…
PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE
SYSTEM PLIKÓW Źródło: Systemy operacyjne i sieci komputerowe - HELION.
Budowa komputera.
Do czego służy arkusz kalkulacyjny, jego budowa
BUDOWA KOMPUTERA.. -płyta główna -procesor -ram-y -dysk twardy -karta graficzna -karta muzyczna -karta sieciowa -wentylator -cd-rom -stacja dyskietek.
Maciej Romanowski. Wirusy komputerowe to programy tworzone specjalnie do zakłócania pracy komputera, rejestrowania, uszkadzania lub rozprzestrzeniania.
mysz drukarka Jednostka centralna monitor klawiatura.
BUDOWA KOMPUTERA I JEGO FUNKCJE
Jednostki pamięci komputera
Lekcje z komputerem-wprowadzenie
Budowa komputera..
Budowa Komputera Sebastian Basara 1AT. Menu Karta graficzna\ budowa Karta graficznabudowa CPU Pamięć RAM Pamięć ROM Pamięć HDD Płyta Główna.
Zapis prezentacji:

Pamięci flash

Komórka flash Komórka flash używa dwóch tranzystorów polowych. Jeden jest nazywany bramką sterującą (ang. control gate), drugi zaś bramką pływającą (ang. floating gate). Bramka pływająca tworzy swoistą pułapkę, która przy przyłożonym napięciu potrafi łapać i przetrzymywać na stałe elektrony – także po odłączeniu napięcia. Wspomniana pułapka jest odizolowana warstwą tlenku krzemu, a elektrony przenikają do niej poprzez efekt tunelowy. Elektrony schwytane w bramce pływającej oddziałują na pole elektryczne sąsiadującej z nią bramki sterującej, a więc na przewodność komórki pamięci Flash. Mierzalne napięcie progowe, które służy do zainicjowania przewodzenia w komórce (tranzystorze), wzrasta wraz z ładunkiem bramki pływającej i pozwala odróżnić nienaładowaną komórkę pamięci od naładowanej. Opisany efekt da się odwrócić. Doprowadzenie napięcia kasującego (wyższego od normalnego) wyrzuca elektrony z bramki pływającej, wskutek czego wzrasta przewodność komórki. Jeden układ pamięci Flash składa się z miliardów takich komórek.

Pamięci NOR i NAND Komórki w układzie Flash mogą być ułożone i połączone na dwa różne sposoby. Stosownie do tego wyróżnia się dwa typy pamięci Flash – NAND i NOR. W obu zastosowano technologię bramki pływającej, lecz odmienną strukturę logiczną, a także sposób odczytywania i zapisywania bitów. W najprostszej organizacji komórek pamięci są one uporządkowane w wierszach i kolumnach. Kanały łączące ze sobą komórki jednego wiersza są zwane liniami poziomymi lub liniami słowa (ang. word line), natomiast komórki jednej kolumny są ze sobą połączone poprzez linie pionowe, tzw. linie bitu (ang. bit line).

Pamięć NOR Możliwe jest adresowanie i odczytywanie pojedynczej komórki. Jeśli do linii słowa jest doprowadzone napięcie w celu odczytania zawartości danej komórki, zależnie od jej ładunku pojawi się napięcie na odpowiedniej linii bitu. Operator logiczny NOR pozwala ustalić, jaka wartość bitowa jest zapisana w konkretnej komórce – 0 czy 1 (0 NOR 0 = 1; 1 NOR 0 = 0). Opisany układ NOR ma jednak poważną wadę, która utrudnia jego wdrażanie w układach pamięci. Linie poziome i pionowe zajmują dużo miejsca, a ponadto wymuszają bardzo złożoną strukturę układu pamięci. Dodatkową wadą technologii okazują się wysokie koszty produkcji.

Bramka NAND Do wytwarzania nośników pamięci masowej niewymagających adresowania pojedynczych bitów nadaje się inny typ pamięci Flash, w którym odwołuje się do całych bloków wielkości od 512 do 4096 bajtów. Stosuje się w nim bramkę logiczną NAND (z połączenia NOT i AND). W pamięci tego rodzaju komórki poszczególnych kolumn są połączone ze sobą szeregowo poprzez linię bitu. Natomiast poziome linie słowa przebiegają wiersz za wierszem, łącząc się kolejno z każdą komórką. Odczyt odbywa się więc całymi wierszami zwanymi stronami pamięci (ang. memory page). Po przyłożeniu napięcia odczytu do linii słowa linie bitu podają jako wynik zawartość wszystkich komórek znajdujących się w danym wierszu.

MLC i SLC Można zwiększać gęstość zapisu poprzez zastosowanie różnych poziomów napięcia co prowadzi do uzyskania w jednej komórce pamięci kilka stanów naładowania. W tym celu dzieli się ładunek bramki pływającej na kilka poziomów i zależnie od przyłożonego napięcia zapisu gromadzi w niej określoną liczbę elektronów. Takie komórki są określane mianem komórek wielopoziomowych (MLC, ang. Multi Level Cell). W komórce, która potrafi rozróżnić osiem poziomów naładowania, można zapisać aż trzy bity informacji. Tymczasem zwyczajna komórka znana pod pojęciem komórki jednopoziomowej (SLC, ang. Single Level Cell) potrafi przechowywać tylko jeden bit. Technologia MLC znajduje zastosowanie w ogólnie dostępnych dyskach twardych SSD, kartach pamięci i kieszonkowej pamięci USB (pendrive). Tanie nośniki MLC mają jednak znacznie krótszą żywotność – maksymalna liczba cykli zapisu jest w nich znacznie niższa niż w pamięci SLC. Komórka jednopoziomowa wytrzymuje ok. 100 000 operacji zapisu. Zależnie od producenta komórka wielopoziomowa znosi tylko kilka tysięcy cykli zapisu. Potem warstwa tlenku traci swoje właściwości izolacyjne, staje się przepuszczalna, a komórki pamięci gubią zapisane w nich informacje.

MLC Aby zwiększyć żywotność dysków SSD stosuje się technologię Zalety MLC Bardzo pojemne Tanie w produkcji Wady MLC Mała żywotność Aby zwiększyć żywotność dysków SSD stosuje się technologię równomiernego rozsiewania informacji po całej przestrzeni adresowej pamięci flash. Technologia ta nazywa się wear levelling.

SLC Zalety Duża niezawodność Możliwość adresowanie jednoczesnego wielu bloków Do 10 razy trwalsze od MLC Wady Przynajmniej czterokrotnie droższe od MLC

Porównanie SLC i MLC SLC prędkość odczytu: 250 - 300 MB/s; prędkość zapisu: 170 - 200 MB/s; MLC prędkość odczytu: 150 - 200 MB/s; prędkość zapisu: 75 - 100 MB/s

Karty pamięci Karta firmy SanDisk. Stosuje Magistralę SPI do transmisji danych. Karta xD

Karty pamięci SD SDHC (SD High Capacity - ang. karta SD o dużej pojemności) są dostępne w pojemnościach od 4 do 32 GB. Karta SDXC (SD eXtended Capacity - karta SD o rozszerzonej pojemności) o pojemności 32 GB i większej. Klasa karty SD określa szybkość zapisu: Klasa 2 – 2MB/s (16Mb/s) Klasa 4 – 4MB/s (32Mb/s) Klasa10 – 10MB/s (80Mb/s)

Udział kart pamięci

Pendrive 1 - Łącze USB 2 – Kontroler pamięci 3 – Styki serwisowe 4 – Kość pamięci 5 – Rezonator kwarcowy 6 – Dioda LED, określa tryb pracy 7 – Blokada zapisu 8 – Miejsce na dodatkową kość pamięci

Zalety dysków SSD (ang. Solid State Drive) Bezgłośne Małe zużycie energii Małe wydzielanie ciepła

Dysk SSD 1 – Pamięci flash 2 – Kontroler dysku 3 – Interfejs 4 – Bufor DRAM

SSHD Oznaczenie SSHD lub HDD+xxGB flash. Dysk Hybrydowy jest połączeniem dysku magnetycznego i półprzewodnikowego w jednej obudowie. Magnetyczny dysk twardy zazwyczaj o dużej pojemności jest doposażony o kości pamięci Flash. Pełni ona rolę szybkiego bufora w którym są przechowywane najczęściej używane pliki systemowe. Obecnie montowane układy mają pojemność około 4 - 32 GB i ta przestrzeń nie jest dostępna dla użytkownika. Działanie takiego dysku opiera się na inteligentnym algorytmie, decyduje on o tym, które pliki mają zostać przeniesione do szybkiej pamięci flash. Ponadto posiada on możliwość dodatkowego uczenia się które pliki są dla użytkownika najistotniejsze i powinny być dostępne maksymalnie szybko. To rozwiązanie znacznie przyspiesza uruchamianie systemu operacyjnego oraz usprawnia jego działanie i innych najczęściej używanych programów.

SSHD Adaptive Memory – polega na monitorowaniu często używanych plików i zapisywania ich w pamięci flash, dzięki czemu dysk ma do nich szybszy dostęp.