DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA Dyfuzja - samorzutne wyrównywanie stężeń (koncentracji) składników w układzie wieloskładnikowym powodowane bezładnym ruchem cieplnym cząsteczek (jonów, atomów). „Nowa encyklopedia powszechna PWN” tom2, Wyd.Naukowe PWN, Warszawa 1995

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA B A B A x x x

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA C Si POWIERZCHNIA KRZEMU KONCENTR. DOMIESZKI x x

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA C POWIERZCHNIA KRZEMU KONCENTR. DOMIESZKI Si typ p NA x x

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA C KONCENTR. DOMIESZKI SZKLIWO FOSFOROKRZEM. Si typ p NA x x

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA T=(800÷1200)°C C t1 ND SZKLIWO FOSFOROKRZEM. KONCENTR. DOMIESZKI Si typ p n NA x xj1 x

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA T=(800÷1200)°C C t2 > t1 ND SZKLIWO FOSFOROKRZEM. KONCENTR. DOMIESZKI n Si typ p NA x xj2 x

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA T=(800÷1200)°C C t3 >t2 > t1 ND SZKLIWO FOSFOROKRZEM. KONCENTR. DOMIESZKI n Si typ p NA x xj3 x

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA C ND SZKLIWO FOSFOROKRZEM. KONCENTR. DOMIESZKI n Si typ p NA x xj3 x

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA PRAWA FICKA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA I PRAWO FICKA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA - I PRAWO FICKA Ilość substancji dyfundującej w określonym czasie przez daną powierzchnię (ustawioną prostopadle do kierunku dyfuzji) jest proporcjonalna do pola tej powierzchni, gradientu koncentracji (stężenia) i czasu przepływu „Nowa encyklopedia powszechna PWN” tom2, Wyd.Naukowe PWN, Warszawa 1995

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA - I PRAWO FICKA I PRAWO FICKA J – gęstość strumienia cząstek [1/m ·s] 2 D – współczynnik dyfuzji [m /s] dC/dx – gradient koncentracji [1/m ] 4

k – stała Boltzmanna[eV/K] Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA I PRAWO FICKA WSPÓŁCZYNNIK DYFUZJI D – dyfuzyjność [m /s] 2 EA – energia aktywacji [eV ] T– temperatura[K] k – stała Boltzmanna[eV/K]

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA II PRAWO FICKA

DYFUZJA – II PRAWO FICKA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA – II PRAWO FICKA Drugie prawo Ficka pozwala na określenie zmian koncentracji dyfundujących cząstek po określonym czasie dyfuzji

DYFUZJA – II PRAWO FICKA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA – II PRAWO FICKA Drugie prawo Ficka

DYFUZJA – II PRAWO FICKA Drugie prawo Ficka - postać ogólna Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA – II PRAWO FICKA Drugie prawo Ficka - postać ogólna Postać rozwiązania tego równania zależy od warunków brzegowych (warunków w jakich prowadzony jest proces dyfuzji)

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny n-p-n Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny n-p-n p n n+ emiter kolektor baza

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny n-p-n Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny n-p-n baza kolektor emiter n+ n+ p p p n n n n+ x p

n p Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C ND NA x Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji Warstwa epitaksjalna Krzem podłożowy C n p KONCENTRACJA DOMIESZKI ND NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

n n+ p Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C ND ND NA x Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji Warstwa epitaksjalna Krzem podłożowy C n n+ p ND KONCENTRACJA DOMIESZKI ND NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

p n n+ p Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C ND NA ND NA x Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji Warstwa epitaksjalna Krzem podłożowy C p n n+ p ND KONCENTRACJA DOMIESZKI NA ND NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

n p n n+ p Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C ND NA ND NA x Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji Warstwa epitaksjalna Krzem podłożowy C n p n n+ p ND KONCENTRACJA DOMIESZKI NA ND NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C powierzchnia krzemu n p n n+ n p n n+ x x E B C PODŁOŻE E B C PODŁOŻE

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy E-MOSFET z kanałem typu n Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy E-MOSFET z kanałem typu n SiO2 n+ Si typ p Al ŹRÓDŁO DREN BRAMKA D G S indukowany kanał typu n

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy E-MOSFET z kanałem typu n Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy E-MOSFET z kanałem typu n SiO2 n+ Si typ p Al ŹRÓDŁO DREN BRAMKA D G S indukowany kanał typu n

p Tranzystor polowy - rozkład koncentracji C NA x Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy - rozkład koncentracji Krzem podłożowy C p KONCENTRACJA DOMIESZKI NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

n p Tranzystor polowy - rozkład koncentracji C ND NA x Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy - rozkład koncentracji Krzem podłożowy C n p ND KONCENTRACJA DOMIESZKI NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy - rozkład koncentracji Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy - rozkład koncentracji C powierzchnia krzemu n p n p x S, D PODŁOŻE S, D PODŁOŻE

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE II III IV V VI Si Ge P Se Zn Ga Al B In As Sb

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE AKCEPTORY DONORY II III IV V VI Si Ge P Se Zn Ga Al B In As Sb

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si Zn B P Se II III IV V VI

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Domieszkowanie krzemu atomami fosforu Si P

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si P Domieszkowanie krzemu atomami fosforu

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si P Domieszkowanie krzemu atomami fosforu ND – koncentracja domieszki donorowej

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si P PÓŁPRZEWODNIK O DOMINUJĄCYM PRZEWODNICTWIE ELEKTRONOWYM + WC WV x energia x2 x1

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si B Domieszkowanie krzemu atomami boru

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si B Domieszkowanie krzemu atomami boru

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si B Domieszkowanie krzemu atomami boru NA - koncentracja domieszki akceptorowej

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si B PÓŁPRZEWODNIK O DOMINUJĄCYM PRZEWODNICTWIE DZIUROWYM + x x2 x1 - WC WV energia

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE APARATURA

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA POSTAĆ KOMORY ROBOCZEJ Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA POSTAĆ KOMORY ROBOCZEJ KOMORA ZAMKNIĘTA KOMORA OTWARTA

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA ŹRÓDŁO DOMIESZKI

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA KASETA Z PŁYTKAMI Si ŹRÓDŁO DOMIESZKI

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA KASETA Z PŁYTKAMI Si ŹRÓDŁO DOMIESZKI

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA KASETA Z PŁYTKAMI Si ŹRÓDŁO DOMIESZKI T x (800÷1200)°C

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA KASETA Z PŁYTKAMI Si ŹRÓDŁO DOMIESZKI (800÷1200)°C T 300°C x

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej WYCIĄG DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY DOMIESZKA

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY T x (800÷1200)°C DOMIESZKA

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY T x (800÷1200)°C DOMIESZKA

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY (800÷1200)°C DOMIESZKA T x

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY (800÷1200)°C DOMIESZKA T x

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY (800÷1200)°C DOMIESZKA T x

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY T x (800÷1200)°C DOMIESZKA

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA POSTAĆ ŹRÓDŁA DOMIESZKI Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA POSTAĆ ŹRÓDŁA DOMIESZKI STAŁE CIEKŁE GAZOWE SZKLIWO

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA ŹRÓDŁO DOMIESZKI DOZOWNIK GAZÓW Stałe źródło domieszki N2 O2 H2

Stałe – płytkowe- źródło domieszki Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Stałe – płytkowe- źródło domieszki DOZOWNIK GAZÓW PŁYTKOWE ŹRÓDŁO DOMIESZKI N2 O2 H2

Stałe – płytkowe- źródło domieszki Si Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Stałe – płytkowe- źródło domieszki DOZOWNIK GAZÓW Si PŁYTKOWE ŹRÓDŁO DOMIESZKI N2 O2 H2

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Ciekłe źródło domieszki Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Ciekłe źródło domieszki SATURATOR DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 ŹRÓDŁO DOMIESZKI TERMOSTAT

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Gazowe źródło domieszki Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Gazowe źródło domieszki DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2 ŹRÓDŁO DOMIESZKI

Źródło domieszki w postaci szkliwa Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Źródło domieszki w postaci szkliwa DOZOWNIK GAZÓW SZKLIWO POKRYWAJĄCE POWIERZCHIĘ PŁYTKI N2 H2 O2

Źródło domieszki w postaci szkliwa Si Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Źródło domieszki w postaci szkliwa DOZOWNIK GAZÓW Si SZKLIWO POKRYWAJĄCE POWIERZCHIĘ PŁYTKI N2 H2 O2

DOMIESZKOWANIEDYFUZYJNE FOSFOR (P) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIEDYFUZYJNE FOSFOR (P)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE STAŁE ŹRÓDŁO FOSFORU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR (P) Stałe źródło domieszki – pięciotlenek fosforu DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2

P stałe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR P Stałe źródło domieszki – pięciotlenek fosforu Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka stałe Dobra powtarzalność procesu w zakresie większych koncentracji powierzchniowych Higroskopijność źródła, konieczność stosowania pieca dwustrefowego, konieczność częstej wymiany źródła Wady Zalety

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE CIEKŁE ŹRÓDŁO FOSFORU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR (P) Ciekłe źródło domieszki – tlenochlorek fosforu DOZOWNIK GAZÓW N2 O2

P ciekłe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR P Ciekłe źródło domieszki – tlenochlorek fosforu Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka ciekłe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE GAZOWE ŹRÓDŁO FOSFORU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR (P) Gazowe źródło domieszki - fosforowodór DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2 PH3

P gazowe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR P Gazowe źródło domieszki – fosforowodór Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka gazowe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE BOR(B) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE BOR(B)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE STAŁE ŹRÓDŁO BORU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) Stałe źródło domieszki – trójtlenek boru DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2

B stałe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) B Stałe źródło domieszki – trójtlenek boru Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka stałe Dobra powtarzalność procesu Konieczność stosowania pieca dwustrefowego, konieczność częstej wymiany źródła Wady Zalety

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE CIEKŁE ŹRÓDŁO BORU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) Ciekłe źródło domieszki – bromek boru DOZOWNIK GAZÓW N2 O2

B ciekłe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) B Ciekłe źródło domieszki – bromek boru Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka ciekłe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE GAZOWE ŹRÓDŁO BORU

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) Gazowe źródło domieszki - borowodór Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) Gazowe źródło domieszki - borowodór DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2 B2H6

B gazowe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) B Gazowe źródło domieszki – borowodór Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka gazowe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE ARSEN (As) Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE ARSEN (As)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE STAŁE ŹRÓDŁO ARSENU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) Stałe źródło domieszki – trójtlenek arsenu DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2

As stałe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) As Stałe źródło domieszki – trójtlenek arsenu Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka stałe Dobra powtarzalność procesu Toksyczność źródła, konieczność stosowania pieca dwustrefowego, konieczność częstej wymiany źródła Wady Zalety

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE CIEKŁE ŹRÓDŁO ARSENU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) Ciekłe źródło domieszki – trichlorek arsenu DOZOWNIK GAZÓW N2 O2

As ciekłe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) As Ciekłe źródło domieszki – trichlorek arsenu Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka ciekłe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE GAZOWE ŹRÓDŁO ARSENU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) Gazowe źródło domieszki - arsenowodór DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2 B2H6

As gazowe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) As Gazowe źródło domieszki – arsenowodór Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka gazowe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety