WPŁYW WYBRANYCH CZYNNIKÓW NA CHARAKTERYSTYKI PRZETWORNICY BOOST

Prezentacja na temat: "WPŁYW WYBRANYCH CZYNNIKÓW NA CHARAKTERYSTYKI PRZETWORNICY BOOST"— Zapis prezentacji:

1 WPŁYW WYBRANYCH CZYNNIKÓW NA CHARAKTERYSTYKI PRZETWORNICY BOOST
KRZYSZTOF GÓRECKI, JANUSZ ZARĘBSKI, ANDRZEJ JÓŹWIK Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni

2 Plan referatu Wprowadzenie Wpływ samonagrzewania na charakterystyki diody i tranzystora Wyniki pomiarów przetwornicy boost Podsumowanie

3 Wprowadzenie Przy analizie i projektowaniu układów impulsowych typowo stosuje się wyidealizowane modele półprzewodnikowych elementów kluczujących Na właściwości rzeczywistych elementów wpływa m.in. samonagrzewanie W pracy – wyniki pomiarów wpływu wybranych czynników na charakterystyki przetwornicy boost

4 Wpływ samonagrzewania na charakterystyki diody
Charakterystyki izotermiczne Charakterystyki nieizotermiczne

5 Wpływ samonagrzewania na charakterystyki tranzystora MOS
Charakterystyki izotermiczne Charakterystyki nieizotermiczne

6 Badany układ

7 Wyniki pomiarów – wpływ częstotliwości

8 Wyniki pomiarów – wpływ diody

9 Wyniki pomiarów – wpływ tranzystora

10 Wyniki pomiarów – wpływ rezystancji obciążenia

11 Podsumowanie słaby wpływ częstotliwości sygnału sterującego tranzystor MOS w przetwornicy boost, w typowo stosowanym zakresie jej wartości, na sprawność i napięcie wyjściowe przetwornicy bardzo istotny jest wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na wartości rozważanych parametrów Wybór diody o większej wartości napięcia przewodzenia lub tranzystora MOS o większej wartości rezystancji włączenia powodują spadek wartości napięcia wyjściowego i sprawności przetwornicy Przez umieszczenie tranzystora na radiatorze uzyskuje się szerszy zakres dopuszczalnych wartości współczynnika wypełnienia, w którym uzyskuje się bezpieczne warunki pracy elementów półprzewodnikowych, a dzięki temu możliwe jest uzyskanie wyższych wartości napięcia wyjściowego i sprawności energetycznej Wpływ samonagrzewania jest najwyraźniej obserwowany w zakresie małych wartości rezystancji obciążenia i dużych wartości współczynnika wypełnienia sygnału sterującego Obserwowane różnice między wartościami napięć uzyskanymi w układzie z tranzystorem umieszczonym na radiatorze i bez radiatora dochodzą nawet do 40%