Elementy Elektroniczne

Prezentacja na temat: "Elementy Elektroniczne"— Zapis prezentacji:

1 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE TRANZYSTORY POLOWE

2 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE Tranzystory polowe – tranzystory unipolarne, ponieważ w odróżnieniu od tranzystorów bipolarnych, w których istotny jest zarówno prąd elektronowy jak i dziurowy, w tych strukturach, do opisu ich działania, wystarczy opis zachowania się jednego typu nośników – elektronów lub dziur

3 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE TRANZYSTORY BIPOLARNE struktury o sterowaniu prądowym TRANZYSTORY POLOWE struktury o sterowaniu napięciowym

4 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE TRANZYSTORY POLOWE (Field Effect Transistor – FET) złączowe (ze złączem p-n) Junction FET – JFET (PN- FET) z izolowaną bramką Isolated Gate FET - IGFET

5 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE JFET (PN-FET) BRAMKA DREN ŹRÓDŁO n-kanałowy BRAMKA DREN ŹRÓDŁO p-kanałowy

6 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) OBSZAR ZUBOŻONY W ZŁĄCZU P-N POLARYZOWANYM W KIERUNKU ZAPOROWYM

7 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) Szerokość warstwy zubożonej (wymiecionej z nośników) w niesymetrycznym złączu p-n Upol = (-U) - polaryzacja w kierunku zaporowym N - koncentr. dom.w słabiej dom. części złącza

8 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) P + N -xp +xn xd Obszar zubożony

9 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) P + N -xp +xn xd Obszar zubożony

10 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) P + N -xp +xn xd Obszar zubożony

11 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) P + N -xp +xn xd Obszar zubożony

12 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) STRUKTURA TRANZYSTORA POLOWEGO ZŁĄCZOWEGO

13 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G DREN BRAMKA ŹRÓDŁO p+ kanał typu n Struktura JFET n-kanałowego

14 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G DREN BRAMKA ŹRÓDŁO n+ kanał typu p Struktura JFET p-kanałowego

15 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) POLARYZACJA TRANZYSTORA POLOWEGO ZŁĄCZOWEGO

16 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET (PN-FET) Tranzystor JFET (PN-FET) może pracować tylko przy polaryzacji złącza BRAMKA-KANAŁ w kierunku zaporowym

17 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n n-kanałowy UGG UDD RD + -

18 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G n+ p p-kanałowy UGG UDD RD + -

19 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) TRANZYSTOR POLOWY JFET (PN-FET) CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA

20 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) D S G UGD UGS=0 UDS ID + - RD UDD

21 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) ID IDss UDS Up=UDsat UGS=0 A B C Obszar nienasycenia Obszar nasycenia Obszar przebicia

22 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) NAPIĘCIE NASYCENIA Up=UDsat „p” – (pinch-off voltage)

23 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Napięcie nasycenia Up (pinch-off voltage) jest taką wartością napięcia UDS (przy UGS=0), przy której prąd drenu ID osiąga stałą wartość prądu nasycenia: ID=IDss punkt B na charakterystyce

24 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Napięcie Up ma ściśle określoną wartość dla danego typu tranzystora JFET

25 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) STAN PRACY NIENASYCENIE

26 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) ID IDss UDS Up=UDsat UGS=0 A B C Obszar nienasycenia

27 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n A

28 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) + S D G p+ n A-B UDS>0

29 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n A-B + UDS=1V

30 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n A-B + UDS=2V

31 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) + UDS=4V S D G p+ n A-B

32 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ B + UDS=6V=Up

33 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) G(0) D(+3V) S(0) +2V p n +1V +3V D (dren) S (źródło) kanał

34 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) STAN PRACY NASYCENIE

35 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) ID IDss UDS Up=UDsat UGS=0 A B C Obszar nasycenia

36 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) + S D G p+ B UDS=6V=Up

37 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ B-C + UDS>Up

38 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ B-C + UDS>Up

39 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Co się zmieni jeżeli BRAMKA będzie polaryzowana względem kanału?

40 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n

41 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n UGS + -

42 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ n UGS + -

43 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) S D G p+ UGS(off) + - Napięcie odcięcia

44 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Na strukturę oddziaływują napięcia UGG i UDD RD D S G UGS UDS ID + - UDD UGG

45 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) napięcie UGS steruje wartością prądu ID ID IDss UDS Up UGS=0 UGS=-1 UGS=-2 UGS=-4 UGS= UGS(off)

46 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) NAPIECIĘ ODCIĘCIA UGS(off)

47 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Definicja napięcia odcięcia UGS(off) Napięcie odcięcia UGS(off) jest wartością napięcia pomiędzy BRAMKĄ a ŹRÓDŁEM, przy którym wartość prądu drenu ID spada praktycznie do zera

48 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) ID IDss UDS UGS=0 UGS=-1 UGS=-2 UGS=-4 UGS(off) ID=0

49 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) PORÓWNANIE PARAMETRÓW: Up oraz UGS(off)

50 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Up – napięcie dren-źródło UDS, przy którym ID=Idss dla UGS=0 (dodatnie) UGS(off) – napięcie bramka-źródło UGS, przy którym ID=0 (ujemne) Dla danego typu tranzystora polowego JFET Up i UGS(off) mają tę samą wartość, różnią się tylko znakiem

51 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Na przykład: Up= +5V UGS(off)= -5V

52 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( - + TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) UDS=Up= +5V G(0) D(+) S(0) + - p n UGS(off)= -5V G(-) D(0) S(0) + - p n Up = UGS(off)

53 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) TRANZYSTOR POLOWY JFET (PN-FET) CHARAKTERYSTYKA PRZEJŚCIOWA

54 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka przejściowa ID=f(UGS) IDss ID UGS(off) UGS 1 2 1 JFET n-kanałowy 2

55 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka przejściowa ID=f(UGS) JFET-n kanałowy IDss ID UGS(off) UGS

56 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyki: ID=f(UGS), ID=f(UDS) JFET-n kanałowy IDss ID[mA] UGS[V] UDS[V] -1 -2 -3 -4 +4 +8 +12 +16 UGS=0 UGS=-1V UGS=-2V UGS=-3V

57 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyki: ID=f(UGS), ID=f(UDS) IDss ID[mA] UGS[V] UDS[V] +1 +2 +3 +4 -4 -8 -12 -16 UGS=0 UGS=+1V UGS=+2V UGS=+3V JFET-p kanałowy

58 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) PARAMETRY

59 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Parametry: Transkonduktancja Rezystancja i pojemność wejściowa Rezystancja DREN-ŹRÓDŁO

60 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) TRANSKONDUKTANCJA

61 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) TRANSKONDUKTANCJA Transkonduktancja „gm” jest definiowana jako parametr określający wielkość zmian prądu drenu ΔID przy określonej zmianie napięcia bramka-źródło ΔUGS

62 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka przejściowa ID=f(UGS) IDss ID UGS(off) UGS JFET n-kanałowy ΔUGS ΔID1 ΔID2

63 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Standardowo, podawana wartość transkonduktancji mierzona jest przy napięciu UGS=0

64 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Wartość gm0 można wyznaczyć korzystając z parametrów opisujących charaktersytykę przejściową, takich jak IDss oraz UGS(off)

65 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Mając daną wartość gm0 można wyznaczyć wartość transkonduktancji gm w dowolnym punkcie pracy, korzystając ze wzoru:

66 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA WEJŚCIOWA

67 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA WEJŚCIOWA Tranzystor bipolarny – własności obwodu wejściowego określa złącze BAZA-EMITER spolaryzowane w kierunku przewodzenia –mała rezystancja wejściowa Tranzystor polowy JFET – własności obwodu wejściowego określa złącze BRAMKA-ŹRÓDŁO spolaryzowane w kierunku zaporowym – duża rezystancja wejściowa

68 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA WEJŚCIOWA

69 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA DREN-ŹRÓDŁO

70 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) ID IDss UDS Up=UDsat UGS=0 ΔUDS ΔID

71 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY ZŁĄCZOWY – JFET (PN-FET) REZYSTANCJA DREN-ŹRÓDŁO

72 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET TRANZYSTORY POLOWE Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ (Insulated Gate FET – IGFET)

73 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET Jest to grupa tranzystorów polowych, w których elektroda bramkowa jest odizolowana od kanału tranzystora warstwą izolatora (warstwą dielektryczną) BRAMKA IZOLATOR PÓŁPRZEWODNIK

74 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET STRUKTURA MIS, MOS

75 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET Struktura MIS M I S Metal Insulator Semiconductor Półprzewodnik Izolator

76 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET Struktura MOS M O S Metal Oxide Semiconductor Półprzewodnik Tlenek

77 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET Struktura MOS M O S Aluminium (Al) Dwutlenek krzemu (SiO2) Krzem (Si)

78 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET WŁASNOŚCI STRUKTURY MOS (MIS)

79 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET W Typ p WC Wi WF WV x

80 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET AKUMULACJA W Typ p WC Wi WF WV x

81 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET ZUBOŻENIE W Typ p WC Wi WF WV x

82 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET INWERSJA W Typ p WC Wi WF WV Typ n x

83 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET W Typ n WC WF Wi WV x

84 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET AKUMULACJA W Typ n WC WF Wi WV x

85 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET ZUBOŻENIE W Typ n WC WF Wi WV x

86 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR POLOWY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ IGFET INWERSJA W Typ n WC WF Wi WV Typ p x

87 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY MOSFET TRANZYSTORY MOSFET

88 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY MOSFET TRANZYSTORY MOSFET D-MOSFET E-MOSFET

89 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY MOSFET Z kanałem zubożanym (DEPLETION) D-MOSFET Z kanałem indukowanym (ENHANCEMENT) E-MOSFET

90 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET TRANZYSTORY D-MOSFET BRAMKA DREN ŹRÓDŁO n-kanałowy BRAMKA DREN ŹRÓDŁO p-kanałowy

91 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET STRUKTURA TRANZYSTORA D-MOSFET

92 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET D D S B Kanał p p+ p-kanałowy podłoże typ n n-kanałowy n+ B podłoże typ p kanał n n+ S

93 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET Tranzystory D-MOSFET są strukturami, w których „fizycznie” wykonany jest kanał (wprowadzony odpowiedni typ domieszki pomiędzy obszarami źródła i drenu). Są to struktury „normalnie otwarte” (NO) umożliwiające przepływ prądu pomiędzy ŹRÓDŁEM i DRENEM przy braku polaryzacji BRAMKI

94 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET W tranzystorze D-MOSFET BRAMKA może być polaryzowana: Tak aby poszerzyć kanał istniejący, czyli w trybie „indukowania” kanału (enhancement mode) Tak, aby zwęzić kanał istniejący, czyli w trybie „zubożania” kanału (depletion mode)

95 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET (n-kanałowy) NO D RD + n+ UDD B podłoże typ p - n+ S

96 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET (n-kanałowy) Zubożanie kanału (depletion mode) D RD + n+ UDD B podłoże typ p - - UGG n+ + S

97 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET (n-kanałowy) Zamknięcie kanału D RD UGS =UGS(off) + n+ UDD B podłoże typ p - - UGG UGS(off) n+ + S

98 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET (n-kanałowy) Wzbogacanie kanału (enhancement mode) D RD + n+ UDD B podłoże typ p - + UGG n+ - S

99 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET CHARAKTERYSTYKA PRZEJŚCIOWA ID=f(UGS)

100 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET -UGS UGS(off) +UGS ID IDss zubożanie wzbogacanie D-MOSFET n-kanałowy UGS(off) - ujemne

101 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET +UGS UGS(off) -UGS ID IDss zubożanie wzbogacanie D-MOSFET p-kanałowy UGS(off) - dodatnie

102 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET Aby „zamknąć” kanał tranzystora D-MOSFET, należy spolaryzować BRAMKĘ odpowiednio wysokim napięciem: - ujemnym [-UGS(off)] – n-kanałowy - dodatnim [+UGS(off)] – p-kanałowy

103 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET W całym zakresie napięć polaryzujących UGS wartość prądu drenu można wyznaczyć z zależności

104 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA ID=f(UDS)

105 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET D-MOSFET n-kanałowy ID ID UGS=+2V wzbogacanie UGS=+1V IDss UGS=0 UGS=-1V zubażanie UGS=-2V -UGS +UGS UDS

106 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY D-MOSFET D-MOSFET p-kanałowy ID ID UGS=-2V wzbogacanie UGS=-1V IDss UGS=0 UGS=+1V zubażanie UGS=+2V -UDS -UGS +UGS

107 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET TRANZYSTORY E-MOSFET n-kanałowy p-kanałowy DREN DREN BRAMKA BRAMKA ŹRÓDŁO ŹRÓDŁO

108 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET STRUKTURA TRANZYSTORA E-MOSFET

109 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET D S B n+ p+ p-kanałowy n-kanałowy podłoże typ p podłoże typ n kanał n Kanał p

110 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET Tranzystory E-MOSFET są strukturami, w których nie ma „fizycznie” wykonanego kanału (kanał musi być wyidukowany poprzez odpowiednią polaryzację elektrody bramkowej). Są to struktury „normalnie zamknięte” (NC) umożliwiające przepływ prądu pomiędzy ŹRÓDŁEM i DRENEM dopiero po odpowiednim spolaryzowaniu BRAMKI

111 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET Tranzystory E-MOSFET mogą pracować tylko w trybie WZBOGACANIA kanału

112 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) NC D RD + n+ UDD B podłoże typ p - n+ S

113 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) D RD + n+ UDD B podłoże typ p - + UGG n+ - S

114 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) D RD + n+ UDD B podłoże typ p - + UGG n+ - S

115 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) Otwarcie kanału D RD UGS =UGS(th) + n+ UDD B podłoże typ p - + UGG n+ - UGS(th) S

116 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) Wzbogacanie kanału D RD UGS >UGS(th) + n+ UDD B podłoże typ p - + UGG n+ - S

117 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET CHARAKTERYSTYKA PRZEJŚCIOWA ID=f(UGS)

118 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET UGS(th) +UGS ID wzbogacanie E-MOSFET n-kanałowy UGS(th) - dodatnie

119 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET E-MOSFET p-kanałowy ID wzbogacanie UGS(th) - ujemne -UGS UGS(th)

120 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET Aby „otworzyć” kanał tranzystora E-MOSFET, należy spolaryzować BRAMKĘ odpowiednio wysokim napięciem: - dodatnim [+UGS(th)] – n-kanałowy - ujemnym [-UGS(th)] – p-kanałowy

121 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET W całym zakresie napięć polaryzujących UGS wartość prądu drenu można wyznaczyć z zależności

122 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA ID=f(UDS)

123 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET E-MOSFET n-kanałowy ID ID UGS=+6V wzbogacanie UGS=+5V UGS=+4V UGS=+3V UGS=+2V UGS(th) +UGS UDS

124 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTORY E-MOSFET E-MOSFET p-kanałowy ID UGS=-6V ID wzbogacanie UGS=-5V UGS=-4V UGS=-3V UGS=-2V -UDS -UGS UGS(th)

125 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET Kształt charakterystyki wyjściowej ID=f(UDS)

126 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) Wzbogacanie kanału D RD UGS >UGS(th) + n+ UDD B podłoże typ p - + UGG n+ - S

127 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) UGS> UGS(th) ID B C Obszar nienasycenia Obszar nasycenia A UDS

128 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) obszar NIENASYCENIA

129 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) UGS> UGS(th) ID B C Obszar nienasycenia Obszar nasycenia A UDS

130 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) A-B UDS1 <UGS(th) D UDS <UGS(th) n+ 2V 0.5V Jeżeli napięcie DREN-ŹRÓDŁO jest niższe niż napięcie BRAMKA-ŹRÓDŁO wówczas kanał jest rezystorem liniowym a zmiany prądu drenu w funkcji napięcia UDS są liniowe podłoże typ p B UGS> UGS(th) n+ S

131 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) A-B UDS2 <UGS(th) D UDS <UGS(th) n+ 2V 1V Rosnący potencjał DRENU powoduje, że przy tym samym napięciu BRAMKA-ŹRÓDŁO różnica potencjałów pomiędzy bramką a kanałem zmniejsza się, co wywołuje zwężenie obszaru inwersyjnego (kanał zwęża się) podłoże typ p B UGS> UGS(th) n+ S

132 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) A-B UDS3 <UGS(th) D UDS <UGS(th) n+ 2V 1.5V Rosnący potencjał DRENU powoduje, że przy tym samym napięciu BRAMKA-ŹRÓDŁO różnica potencjałów pomiędzy bramką a kanałem zmniejsza się, co wywołuje zwężenie obszaru inwersyjnego (kanał zwęża się) podłoże typ p B UGS> UGS(th) n+ S

133 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) B UDS4 =UGS(th) D UDS =UGS(th) n+ 2V 2V podłoże typ p Jeżeli potencjał DRENU zrównuje się z potencjałem BRAMKI, kanał w pobliżu DRENU zanika B UGS> UGS(th) n+ S

134 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) obszar NASYCENIA

135 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR D-MOSFET Charakterystyka wyjściowa ID=f(UDS) UGS> UGS(th) ID C B Obszar nienasycenia Obszar nasycenia A UDS

136 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) B UDS4 =UGS(th) D UDS =UGS(th) n+ 2V 2V podłoże typ p Jeżeli potencjał DRENU zrównuje się z potencjałem BRAMKI, kanał w pobliżu DRENU zanika B UGS> UGS(th) n+ S

137 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) B-C UDS4 >UGS(th) D UDS >UGS(th) n+ 2V 3V podłoże typ p Jeżeli potencjał DRENU przewyższa potencjał BRAMKI, kanał w pobliżu DRENU „odrywa” się od obszaru DRENU B UGS> UGS(th) n+ S

138 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR E-MOSFET (n-kanałowy) B-C D S B n+ podłoże typ p UGS> UGS(th) UDS4 >UGS(th) 2V 5V UDS >UGS(th) Jeżeli potencjał DRENU przewyższa wyraźnie potencjał BRAMKI, kanał w pobliżu DRENU „odrywa” się od obszaru DRENU i odsuwa się od obszaru DRENU

139 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORA FET

140 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET TRANSKONDUKTANCJA lub w rezultacie:

141 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY D gm ·uGS r`ds r`gs G S uGS

142 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY - UPROSZCZENIA r`gs - duża wartość D gm ·uGS r`ds r`gs G S uGS

143 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY - UPROSZCZENIA D gm ·uGS r`ds G r`ds - duża wartość S uGS

144 Elementy Elektroniczne
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TRANZYSTOR FET SCHEMAT ZASTĘPCZY - UPROSZCZENIA D gm ·uGS G S uGS