Cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: konfiguracji połączeń,

Prezentacja na temat: "Cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: konfiguracji połączeń,"— Zapis prezentacji:

1 Cele wykładu Celem wykładu jest przedstawienie: konfiguracji połączeń,
rodzajów, konstrukcji i działania tranzystorów polowych, konfiguracji połączeń, zależności opisujących prądy w tranzystorach polowych, polaryzacji i zakresów pracy tranzystorów polowych, obszaru pracy bezpiecznej. ELEKTRONIKA– Jakub Dawidziuk piątek, 24 marca 2017

2 Tranzystory polowe - unipolarne (tranzystory wykorzystujące efekt polowy)
• z izolowaną bramką (MOSFET’y) –ang. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors • złączowe (JFET’y (PN-lub MS-FET’y)) –ang. Junction Field-Effect Transistors

3 JFET MOSFET Drain=dren Bulk=podłoże Gate=bramka Source=źródło

4 W tranzystorach polowych sterowanie prądem wyjściowym odbywa się za pomocą pola elektrycznego.
Zasadniczą częścią tranzystora polowego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami: źródłem (symbol S od angielskiej nazwy source) i drenem (D, drain). Pomiędzy nimi tworzy się tzw. kanał, którym płynie prąd. Wzdłuż kanału umieszczona jest trzecia elektroda, zwana bramką (G, gate). W tranzystorach epiplanarnych, jak również w przypadku układów scalonych, w których wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, wykorzystuje się jeszcze czwartą elektrodę, tzw. podłoże (B, bulk albo body), służącą do odpowiedniej polaryzacji podłoża.

5 Efekt polowy Efekt polowy polega na tym, że za pomocą zewnętrznego pola elektrycznego można istotnie zmienić koncentrację nośników swobodnych w przypowierzchniowej warstwie półprzewodnika. Przypuśćmy, że do powierzchni półprzewodnika domieszkowanego, w którym prąd przewodzą dziury (elektrony), zbliżyliśmy ładunek dodatni (ujemny). Spowoduje to, że z obszaru w pobliżu tego ładunku zewnętrznego odpłyną dodatnie dziury (ujemne elektrony), a pozostanie niezrównoważony ujemny (dodatni) ładunek zjonizowanych akceptorów (donorów). Oznacza to jednak, że ładunek ujemny (dodatni) nie zgromadzi się ściśle na powierzchni, ale w pewnym przestrzennym obszarze pod tą powierzchnią. Dodatni ładunek spolaryzowanej bramki indukuje pod jej powierzchnią ładunek przestrzenny, który składa się z elektronów swobodnych o dużej koncentracji powierzchniowej (tzw. warstwa inwersyjna).

6 Tranzystory polowe - unipolarne

7 Tranzystory polowe - unipolarne

8 Tranzystory polowe – unipolarne MOS
W technologii MOSFET tranzystory są produkowane w formie trzech warstw. Dolna warstwa to płytka wycięta z monokryształu krzemu lub krzemu domieszkowanego germanem. Na płytkę tę napyla się bardzo cienką warstę krzemionki lub innego tlenku metalu lub półmetalu, która pełni funkcję izolatora. Warstwa ta musi być ciągła (bez dziur), ale jak najcieńsza. Obecnie w najbardziej zaawansowanych technologicznie procesorach warstwa ta ma grubość równą pięciu cząsteczek tlenku. Na warstwę tlenku napyla się z kolei bardzo cienką warstwę dobrze przewodzącego metalu (np. złota).

9 Tranzystory polowe – unipolarne MOS
Zasada działania tranzystorów MOS opiera się na przewodzeniu przez kanał, który jest indukowany na powierzchni półprzewodnika podłoża przez pole elektryczne wytwarzane w warstwie tlenku przez elektrodę bramki. Po przyłożeniu napięcia bramki, do obszaru kanału są wciągane z obszarów źródła i drenu (obszary n) ruchome elektrony. Nośniki te podtrzymują przewodzenie w indukowanym kanale i wpływają w decydujący sposób na działanie tranzystora. Dodatkowe elektrony w kanale mogą swobodnie poruszać się pod wpływem pola elektrycznego skierowanego wzdłuż kanału.

10 Metal-Oxide-Semiconductor FET, MOSFET
Bramka jest spolaryzowana napięciem UGS>0, dodatni ładunek spolaryzowanej bramki indukuje pod jej powierzchnią ładunek przestrzenny, który składa się z elektronów swobodnych o dużej koncentracji powierzchniowej (tzw. warstwa inwersyjna) i głębiej położonej warstwy ładunku przestrzennego jonów akceptorowych, z której wypchnięte zostały dziury. W takiej sytuacji zostaje utworzone połączenia elektryczne między drenem i źródłem w postaci kanału (warstwa inwersyjna). Przewodność tego połączenia zależy od koncentracji elektronów w indukowanym kanale, a więc od napięcia UGS.

11 Jeżeli teraz zostanie podwyższony potencjał drenu UDS>0 to popłynie prąd drenu ID tym większy im większe będzie napięcie UDS. Zależność prądu drenu ID od napięcia drenu UDS nie jest jednak liniowa. Jest to spowodowane tym, że napięcie wzdłużne UDS zmienia stan polaryzacji bramki. Im bliżej drenu tym różnica potencjałów między bramką i podłożem jest mniejsza, a kanał płytszy.

12 Ze wzrostem UDS całkowita rezystancja kanału rośnie i wzrost prądu jest więc mniejszy niż proporcjonalny. Przy UDS=UGS kanał w pobliżu drenu przestaje istnieć i prąd drenu ulegnie nasyceniu. Dalszy wzrost napięcia drenu UDS będzie powodował tylko nieznaczne zmiany prądu drenu ID.

13 Charakterystyka przejściowa i wyjściowa

14 Tranzystory złączowe JFET’y
kanał n kanał p Drain=dren Gate=bramka Source=źródło

15 Tranzystor JFET z kanałem typu n
Obszar półprzewodnika występujący między drenem i źródłem stanowi kanał, przez który płynie prąd i którego rezystancję można zmieniać przez zmianę przekroju kanału. Zmianę przekroju kanału uzyskuje się przez rozszerzenie lub zwężenie warstwy zaporowej złącza pn, a więc przez zmianę napięcia UGS polaryzującego to złącze w kierunku zaporowym.

16 Tranzystor JFET z kanałem typu n
Pod wpływem napięcia UGS polaryzującego zaporowo złącze pn, warstwa zaporowa rozszerzy się, przekrój kanału zmniejszy się, a jego rezystancja wzrośnie.

17 Tranzystor JFET z kanałem typu n
Pod wpływem napięcia UDS polaryzującego zaporowo złącze pn, warstwa zaporowa rozszerzy się, przekrój kanału zmniejszy się, a jego rezystancja wzrośnie.

18 Tranzystor JFET z kanałem typu n
Dalsze zwiększanie napięcia UGS w kierunku zaporowym spowoduje, że warstwy zaporowe połączą się i kanał zostanie zamknięty, a jego rezystancja będzie bardzo duża. Można powiedzieć, że tranzystor JFET jest swego rodzaju rezystorem sterowanym napięciowo.

19 Tranzystor JFET z kanałem typu n
Gdy doprowadzone jest napięcie UDS między dren i źródło, przy zachowaniu tego samego potencjału bramki i źródła, w pobliżu drenu warstwa zaporowa jest szersza niż w pobliżu źródła. Jest to spowodowane tym, że złącze pn wzdłuż kanału jest polaryzowane różnymi napięciami. Do stałego napięcia UGS dodaje się spadek napięcia występujący między danym punktem kanału, a źródłem S. Dalszy wzrost napięcia UDS powoduje dalsze rozszerzanie warstwy zaporowej aż do zamknięcia kanału, co powoduje stan nasycenia. W takiej sytuacji dalszy wzrost napięcia UDS nie będzie powodował praktycznie dalszego wzrostu prądu drenu ID gdyż warstwa zaporowa będzie się rozszerzała w kierunku drenu, a spadek napięcia w kanale pozostanie praktycznie stały.

20 Zasada działania tranzystora złączowego z kanałem typu n

21 Charakterystyki tranzystora złączowego

22 Charakterystyki tranzystora złączowego

23 Punkt pracy tranzystora złączowego

24 Charakterystyki tranzystora złączowego

25 Punkt pracy tranzystora złączowego