Pamięci RAM Brodziak Czubak.

Prezentacja na temat: "Pamięci RAM Brodziak Czubak."— Zapis prezentacji:

1 Pamięci RAM Brodziak Czubak

2 BUDOWA Aby zorganizować komórki pamięci w sprawnie funkcjonujący układ, należy je odpowiednio zaadresować. Najprostszym sposobem jest zorganizowanie pamięci liniowo - jest to tak zwane adresowanie 2D. Do każdej komórki podłączone jest wejście, sygnał wybierania pochodzący z dekodera oraz wyjście. Nieco innym sposobem jest adresowanie przy użyciu tzw. matrycy 3D.Pamięć organizuje się tutaj dzieląc dostępne elementy na wiersze i kolumny. Dostęp do pojedynczego elementu pamiętającego można uzyskać po zaadresowaniu odpowiedniego wiersza i kolumny. Dlatego też komórka RAM obok wejścia i wyjścia musi dysponować jeszcze dwoma sygnałami wybierania, odpowiednio z dekodera kolumn i wierszy.Zaletą pamięci adresowanej liniowo jest prosty i szybszy dostęp do poszczególnych bitów niż w przypadku pamięci stronicowanej (3D), lecz niestety, przy takiej organizacji budowanie większych modułów RAM jest kłopotliwe. Dlatego też w przemyśle stosuje się zazwyczaj układy pamięci zorganizowanej w matrycę 3D, pozwala to na nieskomplikowane tworzenie większych modułów o jednolitym sposobie adresowania.

3 Zasada działania Układy pamięci RAM zbudowane są z elektronicznych elementów, które mogą zapamiętać swój stan. Dla każdego bitu informacji potrzebny jest jeden taki układ. W zależności od tego czy pamięć RAM jest tak zwaną statyczną pamięcią (SRAM-Static RAM), czy dynamiczną (DRAM-Dynamic RAM) zbudowana jest z innych komponentów i soje działanie opiera na innych zasadach. Pamięć SRAM jako element pamiętający wykorzystuje przerzutnik, natomiast DRAM bazuje najczęściej na tzw. pojemnościach pasożytniczych (kondensator). DRAM charakteryzuje się niskim poborem mocy, jednak związana z tym skłonność do samorzutnego rozładowania się komórek sprawia, że konieczne staje się odświeżanie zawartości impulsami pojawiającymi się w określonych odstępach czasu. W przypadku SRAM, nie występuje konieczność odświeżania komórek lecz okupione jest to ogólnym zwiększeniem poboru mocy. Pamięci SRAM, ze względu na krótki czas dostępu są często stosowane jako pamięć podręczna. Wykonane w technologii CMOS pamięci SRAM mają mniejszy pobór mocy, są jednak stosunkowo drogie w produkcji.

4 Rodzaje pamięci RAM

5 Dynamiczne pamięci RAM
Rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej o dostępie swobodnym, której bity są reprezentowane przez stan naładowania kondensatorów. Poszczególne jej elementy zbudowane są z tranzystorów MOS, z których jeden pełni funkcję kondensatora, a drugi elementu separującego. EDO – Extended Data Out DRAM FPM – Fast Page Mode DRAM SDRAM – Synchronous DRAM RAMBUS (RDRAM) DDR – Dual Data Rate Synchronous RAM DDR2 - Wersja druga DDR3 – Wersja trzecia

6 Fast Page Mode (FPM RAM)
Układy te charakteryzują się niską - jak na dzisiejsze czasy – wydajnością. Sposób dostępu do komórek, zorganizowanych jako matryca 3D, jest zdeterminowany przez sygnały RAS i CAS. Sygnał RAS odpowiada za wybranie bieżącego wiersza a CAS wyznacza odpowiednią kolumnę. Proces odczytu z pamięci FPM rozpoczyna się od wybrania odpowiedniego wiersz sygnałem RAS, po czym w celu zaadresowania kolumny następuje uaktywnienie sygnału CAS.

7 DDR 3 (Double Data Rate Synchronous)
DDR3 - nowy standard pamięci RAM typu SDRAM, będący rozwinięciem pamięci DDR i DDR2, stosowanych w komputerach jako pamięć operacyjna.

8 Zalety i wady DDR3 Zalety w stosunku do DDR2:
większa przepustowość przy niższym napięciu mniejszy pobór prądu o 40% Wady w stosunku do DDR2: Na ogół wyższe opóźnienia, lecz zrekompensowane przez znacznie wyższą przepustowość. Na chwilę obecną koszt pamięci DDR3 jest wyższy od pamięci DDR2 o około 50%. Koszt komponentów (płyt głównych, procesorów) kompatybilnych z DDR3 jest znacznie wyższy od ich odpowiedników dla DDR2.

9 Statyczne pamięci RAM SRAM (ang. Static Random Access Memory) statyczna pamięć o dostępie swobodnym, typ pamięci półprzewodnikowej stosowanej w komputerach, służy jako pamięć buforująca między pamięcią operacyjną i procesorem.

10

11 Bibliografia