DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE

Prezentacja na temat: "DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE"— Zapis prezentacji:

1 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE

2 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA Dyfuzja - samorzutne wyrównywanie stężeń (koncentracji) składników w układzie wieloskładnikowym powodowane bezładnym ruchem cieplnym cząsteczek (jonów, atomów). „Nowa encyklopedia powszechna PWN” tom2, Wyd.Naukowe PWN, Warszawa 1995

3 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA B A B A x x x

4 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA C Si POWIERZCHNIA KRZEMU KONCENTR. DOMIESZKI x x

5 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA C POWIERZCHNIA KRZEMU KONCENTR. DOMIESZKI Si typ p NA x x

6 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA C KONCENTR. DOMIESZKI SZKLIWO FOSFOROKRZEM. Si typ p NA x x

7 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA T=(800÷1200)°C C t1 ND SZKLIWO FOSFOROKRZEM. KONCENTR. DOMIESZKI Si typ p n NA x xj1 x

8 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA T=(800÷1200)°C C t2 > t1 ND SZKLIWO FOSFOROKRZEM. KONCENTR. DOMIESZKI n Si typ p NA x xj2 x

9 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA T=(800÷1200)°C C t3 >t2 > t1 ND SZKLIWO FOSFOROKRZEM. KONCENTR. DOMIESZKI n Si typ p NA x xj3 x

10 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA C ND SZKLIWO FOSFOROKRZEM. KONCENTR. DOMIESZKI n Si typ p NA x xj3 x

11 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA PRAWA FICKA

12 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA I PRAWO FICKA

13 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA - I PRAWO FICKA Ilość substancji dyfundującej w określonym czasie przez daną powierzchnię (ustawioną prostopadle do kierunku dyfuzji) jest proporcjonalna do pola tej powierzchni, gradientu koncentracji (stężenia) i czasu przepływu „Nowa encyklopedia powszechna PWN” tom2, Wyd.Naukowe PWN, Warszawa 1995

14 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA - I PRAWO FICKA I PRAWO FICKA J – gęstość strumienia cząstek [1/m ·s] 2 D – współczynnik dyfuzji [m /s] dC/dx – gradient koncentracji [1/m ] 4

15 k – stała Boltzmanna[eV/K]
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA I PRAWO FICKA WSPÓŁCZYNNIK DYFUZJI D – dyfuzyjność [m /s] 2 EA – energia aktywacji [eV ] T– temperatura[K] k – stała Boltzmanna[eV/K]

16 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA II PRAWO FICKA

17 DYFUZJA – II PRAWO FICKA
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA – II PRAWO FICKA Drugie prawo Ficka pozwala na określenie zmian koncentracji dyfundujących cząstek po określonym czasie dyfuzji

18 DYFUZJA – II PRAWO FICKA
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA – II PRAWO FICKA Drugie prawo Ficka

19 DYFUZJA – II PRAWO FICKA Drugie prawo Ficka - postać ogólna
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DYFUZJA – II PRAWO FICKA Drugie prawo Ficka - postać ogólna Postać rozwiązania tego równania zależy od warunków brzegowych (warunków w jakich prowadzony jest proces dyfuzji)

20 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny n-p-n
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny n-p-n p n n+ emiter kolektor baza

21 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny n-p-n
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny n-p-n baza kolektor emiter n+ n+ p p p n n n n+ x p

22 n p Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C ND NA x
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji Warstwa epitaksjalna Krzem podłożowy C n p KONCENTRACJA DOMIESZKI ND NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

23 n n+ p Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C ND ND NA x
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji Warstwa epitaksjalna Krzem podłożowy C n n+ p ND KONCENTRACJA DOMIESZKI ND NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

24 p n n+ p Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C ND NA ND NA x
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji Warstwa epitaksjalna Krzem podłożowy C p n n+ p ND KONCENTRACJA DOMIESZKI NA ND NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

25 n p n n+ p Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C ND NA ND NA x
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji Warstwa epitaksjalna Krzem podłożowy C n p n n+ p ND KONCENTRACJA DOMIESZKI NA ND NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

26 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor bipolarny - rozkład koncentracji C powierzchnia krzemu n p n n+ n p n n+ x x E B C PODŁOŻE E B C PODŁOŻE

27 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy E-MOSFET z kanałem typu n
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy E-MOSFET z kanałem typu n SiO2 n+ Si typ p Al ŹRÓDŁO DREN BRAMKA D G S indukowany kanał typu n

28 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy E-MOSFET z kanałem typu n
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy E-MOSFET z kanałem typu n SiO2 n+ Si typ p Al ŹRÓDŁO DREN BRAMKA D G S indukowany kanał typu n

29 p Tranzystor polowy - rozkład koncentracji C NA x
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy - rozkład koncentracji Krzem podłożowy C p KONCENTRACJA DOMIESZKI NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

30 n p Tranzystor polowy - rozkład koncentracji C ND NA x
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy - rozkład koncentracji Krzem podłożowy C n p ND KONCENTRACJA DOMIESZKI NA x ODLEGŁOŚĆ W GŁĄB PŁYTKI

31 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy - rozkład koncentracji
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Tranzystor polowy - rozkład koncentracji C powierzchnia krzemu n p n p x S, D PODŁOŻE S, D PODŁOŻE

32 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE II III IV V VI Si Ge P Se Zn Ga Al B In As Sb

33 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE AKCEPTORY DONORY II III IV V VI Si Ge P Se Zn Ga Al B In As Sb

34 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si Zn B P Se II III IV V VI

35 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Domieszkowanie krzemu atomami fosforu Si P

36 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si P Domieszkowanie krzemu atomami fosforu

37 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si P Domieszkowanie krzemu atomami fosforu ND – koncentracja domieszki donorowej

38 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si P PÓŁPRZEWODNIK O DOMINUJĄCYM PRZEWODNICTWIE ELEKTRONOWYM + WC WV x energia x2 x1

39 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si B Domieszkowanie krzemu atomami boru

40 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si B Domieszkowanie krzemu atomami boru

41 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si B Domieszkowanie krzemu atomami boru NA - koncentracja domieszki akceptorowej

42 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE Si B PÓŁPRZEWODNIK O DOMINUJĄCYM PRZEWODNICTWIE DZIUROWYM + x x2 x1 - WC WV energia

43 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE APARATURA

44 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA POSTAĆ KOMORY ROBOCZEJ
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA POSTAĆ KOMORY ROBOCZEJ KOMORA ZAMKNIĘTA KOMORA OTWARTA

45 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA

46 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA ŹRÓDŁO DOMIESZKI

47 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA KASETA Z PŁYTKAMI Si ŹRÓDŁO DOMIESZKI

48 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA KASETA Z PŁYTKAMI Si ŹRÓDŁO DOMIESZKI

49 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA KASETA Z PŁYTKAMI Si ŹRÓDŁO DOMIESZKI T x (800÷1200)°C

50 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory zamkniętej PIEC ELEKTRYCZNY KOMORA KWARCOWA KASETA Z PŁYTKAMI Si ŹRÓDŁO DOMIESZKI (800÷1200)°C T 300°C x

51 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej WYCIĄG DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY DOMIESZKA

52 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY T x (800÷1200)°C DOMIESZKA

53 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY T x (800÷1200)°C DOMIESZKA

54 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY (800÷1200)°C DOMIESZKA T x

55 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY (800÷1200)°C DOMIESZKA T x

56 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY (800÷1200)°C DOMIESZKA T x

57 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Metoda komory otwartej DOZOWNIK GAZÓW GAZ NOŚNY T x (800÷1200)°C DOMIESZKA

58 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA POSTAĆ ŹRÓDŁA DOMIESZKI
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA POSTAĆ ŹRÓDŁA DOMIESZKI STAŁE CIEKŁE GAZOWE SZKLIWO

59 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA ŹRÓDŁO DOMIESZKI DOZOWNIK GAZÓW Stałe źródło domieszki N2 O2 H2

60 Stałe – płytkowe- źródło domieszki
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Stałe – płytkowe- źródło domieszki DOZOWNIK GAZÓW PŁYTKOWE ŹRÓDŁO DOMIESZKI N2 O2 H2

61 Stałe – płytkowe- źródło domieszki Si
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Stałe – płytkowe- źródło domieszki DOZOWNIK GAZÓW Si PŁYTKOWE ŹRÓDŁO DOMIESZKI N2 O2 H2

62 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Ciekłe źródło domieszki
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Ciekłe źródło domieszki SATURATOR DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 ŹRÓDŁO DOMIESZKI TERMOSTAT

63 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Gazowe źródło domieszki
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Gazowe źródło domieszki DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2 ŹRÓDŁO DOMIESZKI

64 Źródło domieszki w postaci szkliwa
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Źródło domieszki w postaci szkliwa DOZOWNIK GAZÓW SZKLIWO POKRYWAJĄCE POWIERZCHIĘ PŁYTKI N2 H2 O2

65 Źródło domieszki w postaci szkliwa Si
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE - APARATURA Źródło domieszki w postaci szkliwa DOZOWNIK GAZÓW Si SZKLIWO POKRYWAJĄCE POWIERZCHIĘ PŁYTKI N2 H2 O2

66 DOMIESZKOWANIEDYFUZYJNE FOSFOR (P)
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIEDYFUZYJNE FOSFOR (P)

67 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE STAŁE ŹRÓDŁO FOSFORU

68 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR (P) Stałe źródło domieszki – pięciotlenek fosforu DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2

69 P stałe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR P Stałe źródło domieszki – pięciotlenek fosforu Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka stałe Dobra powtarzalność procesu w zakresie większych koncentracji powierzchniowych Higroskopijność źródła, konieczność stosowania pieca dwustrefowego, konieczność częstej wymiany źródła Wady Zalety

70 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE CIEKŁE ŹRÓDŁO FOSFORU

71 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR (P) Ciekłe źródło domieszki – tlenochlorek fosforu DOZOWNIK GAZÓW N2 O2

72 P ciekłe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR P Ciekłe źródło domieszki – tlenochlorek fosforu Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka ciekłe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

73 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE GAZOWE ŹRÓDŁO FOSFORU

74 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR (P) Gazowe źródło domieszki - fosforowodór DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2 PH3

75 P gazowe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – FOSFOR P Gazowe źródło domieszki – fosforowodór Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka gazowe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

76 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE BOR(B)
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE BOR(B)

77 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE STAŁE ŹRÓDŁO BORU

78 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) Stałe źródło domieszki – trójtlenek boru DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2

79 B stałe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) B Stałe źródło domieszki – trójtlenek boru Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka stałe Dobra powtarzalność procesu Konieczność stosowania pieca dwustrefowego, konieczność częstej wymiany źródła Wady Zalety

80 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE CIEKŁE ŹRÓDŁO BORU

81 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) Ciekłe źródło domieszki – bromek boru DOZOWNIK GAZÓW N2 O2

82 B ciekłe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) B Ciekłe źródło domieszki – bromek boru Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka ciekłe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

83 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE GAZOWE ŹRÓDŁO BORU

84 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) Gazowe źródło domieszki - borowodór
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) Gazowe źródło domieszki - borowodór DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2 B2H6

85 B gazowe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – BOR (B) B Gazowe źródło domieszki – borowodór Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka gazowe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

86 DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE ARSEN (As)
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE ARSEN (As)

87 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE STAŁE ŹRÓDŁO ARSENU

88 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) Stałe źródło domieszki – trójtlenek arsenu DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2

89 As stałe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) As Stałe źródło domieszki – trójtlenek arsenu Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka stałe Dobra powtarzalność procesu Toksyczność źródła, konieczność stosowania pieca dwustrefowego, konieczność częstej wymiany źródła Wady Zalety

90 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE CIEKŁE ŹRÓDŁO ARSENU

91 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) Ciekłe źródło domieszki – trichlorek arsenu DOZOWNIK GAZÓW N2 O2

92 As ciekłe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) As Ciekłe źródło domieszki – trichlorek arsenu Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka ciekłe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

93 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE GAZOWE ŹRÓDŁO ARSENU

94 TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) Gazowe źródło domieszki - arsenowodór DOZOWNIK GAZÓW N2 O2 H2 B2H6

95 As gazowe TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE
Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE DOMIESZKOWANIE DYFUZYJNE – ARSEN (As) As Gazowe źródło domieszki – arsenowodór Postać źródła Tem.użytk. [°C] Zakres koncentr. pow. [m-3] Domieszka gazowe Nieobecność domieszki w rurze podczas nieużywania pieca Toksyczność źródła, konieczność stosowania czynnika utleniającego, konieczność kontroli geometrii syst. Wady Zalety

96