Pobierz prezentację
Pobieranie prezentacji. Proszę czekać
OpublikowałAgata Stefaniak Został zmieniony 8 lat temu
1
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA: METODY PRÓŻNIOWE MBE
2
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Jest to proces wytwarzania monokrystalicznych warstw półprzewodnika na monokrystalicznych podłożach
3
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Materiał „objętościowy” Materiał w postaci „cienkiej warstwy” Epitaksja – umiejętność wytwarzania (hodowania) cienkich warstw materiału półprzewodnikowego
4
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA RODZAJE EPITAKSJI PODŁOŻE Si Al 2 O 3
5
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA HOMOEPITAKSJAHETEROEPITAKSJA RODZAJE EPITAKSJI WARSTWA EPITAKSJALNA (KRZEMOWA) PODŁOŻE Si Al 2 O 3 Si(EPI)
6
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Jaki jest cel wytwarzania warstw epitaksjalnych? Si Si(EPI) Osadzana warstwa epitaksjalna może różnić się od podłoża własnościami elektrycznymi: 1.Typem przewodnictwa 2. Rezystywnością, 3.Czasem życia nośników
7
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TYPY STRUKTUR EPITAKSJALNYCH Si Si(EPI) ZŁĄCZE l-h (low-high) KRZEM TYPU n KRZEM TYPU n+
8
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TYPY STRUKTUR EPITAKSJALNYCH Si Si(EPI) ZŁĄCZE p-n KRZEM TYPU n KRZEM TYPU p
9
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TYPY STRUKTUR EPITAKSJALNYCH Al 2 O 3 Si(EPI) STRUKTURA SOI (Silicon On Insulator) KRZEM TYPU n
10
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA WYKORZYSTANIE EPITAKSJI W BUDOWIE STRUKTUR PP
11
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TRANZYSTOR BIPOLARNY
12
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA KRZEMOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY p n+ Płytka krzemowa (Si) 300 m WARSTWA DYFUZYJNA
13
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA KRZEMOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY p n+ n 300 m Płytka krzemowa (Si) WARSTWA EPITAKSJALNA 10 m
14
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA KRZEMOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY p pp p n n n n+ 300 m 10 m Si Si(EPI)
15
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA KRZEMOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY 300 m 10 m p pp p n n n n+ emiter kolektor baza n+ Si(EPI) Si
16
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET - GaAs
17
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs
18
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs 800nm
19
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs NIEDOMIESZKOWANY AlGaAs 100nm 6nm
20
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs NIEDOMIESZKOWANY AlGaAs n- GaAs 100nm 6nm
21
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs NIEDOMIESZKOWANY AlGaAs n- GaAs n+ GaAs 100nm 6nm
22
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs NIEDOMIESZKOWANY AlGaAs n- GaAs n+ GaAs ŹRÓDŁODREN BRAMKA 100nm 800nm 6nm
23
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA LD-GaAs
24
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs
25
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs
26
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs
27
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs
28
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs
29
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA
30
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ENERGIA [W] ODLEGŁOŚĆ [x] ELEKTRODA
31
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) ENERGIA [W] ODLEGŁOŚĆ [x] n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA + + + - - -
32
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) - n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ENERGIA [W] ODLEGŁOŚĆ [x] ELEKTRODA + + + + - - -
33
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) - n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ENERGIA [W] ODLEGŁOŚĆ [x] ELEKTRODA + + + + - - - + - ŚWIATŁO
34
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA SPOSOBY REALIZACJI PROCESU EPITAKSJI
35
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) SPOSOBY REALIZACJI PROCESU EPITAKSJI EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ (Liquid Phase Epitaxy - LPE) EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ (Vapor Phase Epitaxy - VPE) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH (Molekular Beem Epitaxy - MBE)
36
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE
37
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE + STAŁE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO PŁYNNE MEDIUM PODŁOŻE
38
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) + STAŁE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO PŁYNNE MEDIUM PODŁOŻE DYFUZJA I KONWEKCJA EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE
39
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) + STAŁE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO PŁYNNE MEDIUM PODŁOŻE EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE
40
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) + STAŁE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO PŁYNNE MEDIUM PODŁOŻE EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE
41
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE
42
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE + GAZOWE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO GAZOWE MEDIUM PODŁOŻE ŹRÓDŁO GAZOWE
43
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE + GAZOWE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO GAZOWE MEDIUM PODŁOŻE PŁYNNA DYNAMIKA I KONWEKCJA ŹRÓDŁO GAZOWE
44
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE + GAZOWE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO GAZOWE MEDIUM PODŁOŻE ŹRÓDŁO GAZOWE
45
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE + GAZOWE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO GAZOWE MEDIUM PODŁOŻE ŹRÓDŁO GAZOWE
46
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE
47
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE + ŹRÓDŁO WYPAROWYWANE PRÓŻNIAPODŁOŻE KOMORA PRÓŻNIOWA
48
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE + ŹRÓDŁO WYPAROWYWANE PRÓŻNIAPODŁOŻE KOMORA PRÓŻNIOWA TRANSPORT BALISTYCZNY
49
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE + ŹRÓDŁO WYPAROWYWANE PRÓŻNIAPODŁOŻE KOMORA PRÓŻNIOWA
50
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE + ŹRÓDŁO WYPAROWYWANE PRÓŻNIAPODŁOŻE KOMORA PRÓŻNIOWA
51
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH
52
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH Wytwarzanie warstw epitaksjalnych przy wykorzystaniu „metod fizycznych”: NAPAROWYWANIESUBLIMACJAROZPYLANIE KATODOWE
53
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH
54
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 PODŁOŻE KRZEMOWE ROZPYLANY KRZEM
55
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 WŁÓKNO GRZEJĄCE PODŁOŻE PODŁOŻE KRZEMOWE UCHWYT PODŁOŻA EKRAN ELEKTRO- STATYCZNY ROZPYLANY KRZEM EKRAN WŁÓKNO EMITUJĄCE WIĄZKĘ ELEKTRONÓW UCHWYT Z CHŁODZENIEM
56
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 OGRZEWANIE PŁYTKI KRZEMOWEJ WIĄZKĄ ELEKTRONÓW
57
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 OGRZEWANIE PŁYTKI KRZEMOWEJ WIĄZKĄ ELEKTRONÓW BOMBARDOWANIE WIĄZKĄ ELEKTRONOWĄ KRZEMU
58
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 OGRZEWANIE PŁYTKI KRZEMOWEJ WIĄZKĄ ELEKTRONÓW BOMBARDOWANIE WIĄZKĄ ELEKTRONOWĄ KRZEMU FORMOWANIE STRUMIENIA ATOMÓW KRZEMU
59
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 OGRZEWANIE PŁYTKI KRZEMOWEJ WIĄZKĄ ELEKTRONÓW BOMBARDOWANIE WIĄZKĄ ELEKTRONOWĄ KRZEMU FORMOWANIE STRUMIENIA ATOMÓW KRZEMU OSADZANIE WARSTWY EPITAKSJALNEJ
60
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH
61
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Epitaksja z wiązek molekularnych (Molecular Beam Epitaxy) jest procesem wzrostu związków półprzewodnikowych, zachodzącym w warunkach ultrawysokiej próżni
62
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA KRIOSTAT GRZEJNIK TERMOPARA KOMÓRKA EFUZYJNA
63
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA PRÓŻNIA
64
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA PRÓŻNIA
65
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA PRÓŻNIA
66
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA PRÓŻNIA STRUMIEŃ MOLEKULARNY
67
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Wytworzenie struktury diody laserowej wymaga zastosowania pięciu wiązek molekularnych n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA
68
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Wytworzenie struktury diody laserowej wymaga zastosowania pięciu wiązek molekularnych n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA ŹRÓDŁO GALU ŹRÓDŁO ARSENU ŹRÓDŁO CYNKU (DOM.TYP P) ŹRÓDŁO ALUMINIUM ŹRÓDŁO SELENU (TYP N)
69
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Cynk Zn Gal Ga Arsen As Glin Al Selen Se
70
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl KOMORA PRÓŻNIOWA PODŁOŻE GaAS KOMÓRKI EFUZYJNE PRZESŁONY OKIENKO WIZJER PRÓŻNIA
71
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH PRZEBIEG PROCESU
72
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl n GaAs
73
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl n AlGaAsn GaAs
74
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl GaAs n AlGaAs n GaAs
75
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl p AlGaAs GaAs n AlGaAs n GaAs
76
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl p GaAs p AlGaAs GaAs n AlGaAs n GaAs
77
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl p GaAs p AlGaAs GaAs n AlGaAs n GaAs
78
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI
79
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI As ZnSe GaAl KOMORA PRÓŻNIOWA STRUKTURA EPITAKSJALNA OKIENKO WIZJER PRÓŻNIA
80
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI As ZnSe GaAl KOMORA PRÓŻNIOWA STRUKTURA EPITAKSJALNA OKIENKO WIZJER PRÓŻNIA ŹRÓDLO WIĄZKI PRÓBKUJĄCEJ
81
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI As ZnSe GaAl KOMORA PRÓŻNIOWA STRUKTURA EPITAKSJALNA OKIENKO WIZJER PRÓŻNIA ŹRÓDŁO WIĄZKI PRÓBKUJĄCEJ ANALIZATOR
82
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY
83
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY
84
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY
85
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY
86
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY FOTONY (PR.X, UV, WIDZ. IR
87
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY FOTONY (PR.X, UV, WIDZ. IR CZĄSTKI NEUTR.
88
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY FOTONY (PR.X, UV, WIDZ. IR CZĄSTKI NEUTR. ELEKTRONY I JONY WTÓRNE
89
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) METODY ANALIZY POWIERZCHNI
90
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) METODY ANALIZY POWIERZCHNI ESCA – Electron Spectroscopy for Chemical Analysis SPEKTROSKOPIA ELEKTRON. DO ANALIZY CHEMICZNEJ ESCA PROM. X ANALIZA ENERGII EMITOWANYCH ELEKTRONÓW ELEKTRONY PRÓBKA Niskoenergetyczne promieniowan. X (linia K-alfa Al, E=1.487 keV) Elektrony pochłaniające energię są emitowane z charakterystyczną energią kinetyczną określoną poprzez różnicę pomiędzy energią fotonu a energią wiązania Inormacja 1-10 warstw atomowych
91
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) METODY ANALIZY POWIERZCHNI AES – Auger Electron Spectroscopy SPEKTROSKOPIA ELEKTRON. AUGERA AES ELEKTRONY ANALIZA ENERGII EMITOWANYCH ELEKTRONÓW ELEKTRONY PRÓBKA Wybijanie elektronów z wew. powłok w atomie przy wykorzystaniu energii wiązki elektronowej E>10 keV Emisja elektronów „Augera” o energii charakterystycznej dla przejść elektronów w atomie pomiędzy poziomami
92
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) METODY ANALIZY POWIERZCHNI SIMS – Secondary-Ion Mass Spectrometery SPEKTROSKOPIA MAS JONÓW WTÓRNYCH SIMS JONY ANALIZA ENERGII EMITOWANYCH JONÓW JONY „WTÓRNE” PRÓBKA Bombardowanie pow. próbki wiązką jonów (Argon, Cez, Tlen o energii E=(0.5-5)keV Emitowane jony „wtórne” z próbki są analizowane w spektrometrze masowym
93
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) METODY ANALIZY POWIERZCHNI RBS – Rutherford Backscattering Spectrometery RUTHERFORDOWSKA SPEKTROM. JONÓW ROZPR. RBS JONY HELU (MeV) ANALIZA ENERGII EMITOWANYCH JONÓW JONY PRÓBKA Bombardowanie pow. próbki wiązką jonów Helu o energii E=(1-3)MeV Jony helu w wyniku zderzeń z atomami badanego ciała wytracają energię. Wytracona energia jest charakterystyczna dla danego typu atomów Profil w zakresie (0.5-3) m
94
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) METODY ANALIZY POWIERZCHNI LIMS – Laser Ionization Mass Spectrometery SPEKTROSKOPIA MASOWA PRZY JONIZACJI LASER. LIMS FOTONY (LASER) ANALIZA MASY DESORB. LUB WYPAROW. JONÓW JONY PRÓBKA Powierzchnia próbki jest oświetlana światłem laserowym Z powierzchni próbki desorbowane są jony
95
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH APARATURA DO WYTWARZANIA HETEROSTRUKTUR KRZEMOGERMANU
96
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH ŹRÓDŁO DOMIESZKI BP SiGe ŹRÓDŁO DOMIESZKI ŹRÓDŁO KRZEMU ŹRÓDŁO GERMANU EMITER ELEKTRONÓW GRZEJNIK GRAFITOWY PODŁOŻE KRZEMOWE PRÓŻNIA
97
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH PRZEBIEG PROCESU
98
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Rozgrzewanie podłoża
99
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Emisja elektronów – rozgrzewanie Si, Ge
100
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Emisja wiązek molekularnych - Si, Ge
101
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Domieszkowanie borem - B, (SiGe – typ p)
102
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Domieszkowanie fosforem - P, (SiGe – typ n)
103
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Studzenie–zapowietrzanie–otwarcie komory roboczej CIŚNIENIE ATMOSFERYCZNE
104
TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Możliwości MBE 200 mm Jednorodność grubości wytwarzanych warstw epitaksjalnych jest lepsza niż ±1.5%
Podobne prezentacje
© 2024 SlidePlayer.pl Inc.
All rights reserved.