Pamięci półprzewodnikowe

Slides:



Advertisements
Podobne prezentacje
Taktowanie mikroprocesorów Jednostka sterująca mikroprocesora jest układem sekwencyjnym synchronicznym, czyli wymagającym sygnału taktującego (zegarowego).
Advertisements

Architektura jednostki centralnej RD MBR MAR IRPC +1 WR jednostka sterująca ALU A F Adres Dane Rejestry: MAR – (Memory Address Register) rejestr adresowy.
Co to jest BIOS ? Piotr Pierzchalski kl. III B.
Wykonał : Marcin Sparniuk
Architektura szynowa systemu mikroprocesorowego szyna danych szyna sterująca szyna adresowa µP szyna danych szyna adresowa D7,..., D1, D0 A15,..., A1,
UTK Zestaw I.
PAMIĘĆ RAM.
Architektura Systemów Komputerowych
Wykład 9 Dedykowane procesory DSP oraz mikrokontrolery z jednostką DSP
Magistrale.
System przechowywania danych
Systemy operacyjne Copyright, 2000 © Jerzy R. Nawrocki Wprowadzenie do informatyki.
Pamięci RAM Brodziak Czubak.
Magistrala & mostki PN/PD
Komputer, procesor, rozkaz.
Autorzy: Łukasz Sztandarski Bartłomiej Granat
Wieloprocesowy system operacyjny dla komputerów ATARI XL/XE
Mikroprocesory i mikrokontrolery
ZESTAW KOMPUTEROWY.
Procesory jednoukładowe
Architektura komputerów
przykładowy 8-bitowy mikroprocesor uniwersalny CISC
Wykorzystanie pamięci półprzewodnikowych
Pamięci półprzewodnikowe
Technika Mikroprocesorowa 1
Układy kombinacyjne cz.2
Dekodery adresów.
MCS51 - wykład 6.
Mikrokontrolery PIC.
RAM.
Struktura systemu mikroprocesorowego
Pamięci Operacyjne Pamięć Operacyjna jest to przestrzeń robocza
Magistrale szeregowe.
Sekwencyjne bloki funkcjonalne
Zasada działania komputera
Pamięci używane w komputerach
Pamięci Bibliografia:
ATA - dyski Advanced Technology Attachments - interfejs systemowy PC przeznaczony do komunikacji z dyskami twardymi. Stosowane początkowo oznaczenia ATA-1,
Pamięć operacyjna i pamięci masowe
Budowa i rodzaje procesorów.
Mikroprocesory.
Analiza wpływu regulatora na jakość regulacji (1)
Pamięć komputerowa S t r u k t u r a p a m i ę c i.
PROCESORY (C) Wiesław Sornat.
Architektura PC.
Rodzaje pamięci Kamiński Daniel TI s1.
Pamięć RAM (z ang. Random Access Memory) pamięć o swobodnym dostępie (odczyt/zapis), zawartość takiej pamięci będzie utracona po zaniku zasilania. ROM.
Budowa komputera ProProgramer.
Wykonał: Marcin Tyburski
SIMM, DIMM, SDRAM, RIMM, DDR, DDR2, DDR3, VRAM, EDORAM Sebastian T.I.
Pamięć operacyjna.
Prezentacja Multimedialna
Procesor – charakterystyka elementów systemu. Parametry procesora.
Pamięci RAM i ROM R. J. Baker, "CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation", Wiley-IEEE Press, 2 wyd
BUDOWA I ZASADA DZIAŁANIA
Pamięci flash.
Budowa wewnętrzna KOMPUTERA
Procesor, pamięć, przerwania, WE/WY, …
Pamięć DRAM.
Struktura wewnętrzna mikrokontrolera zamkniętego
Pamięć RAM Pamięć RAM.
Pamięć SRAM.
ATXMEGA128A4U 128 kB pamięci Flash Zasilanie 1.6V-3.6V Maksymalne taktowanie 32 MHz 34 Programowalne WE-WY System zdarzeń (Event System) 4 kanały DMA.
PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE
BUDOWA KOMPUTERA.. -płyta główna -procesor -ram-y -dysk twardy -karta graficzna -karta muzyczna -karta sieciowa -wentylator -cd-rom -stacja dyskietek.
mysz drukarka Jednostka centralna monitor klawiatura.
Jednostki pamięci komputera
Pamięć operacyjna i pamięci masowe
PAMIĘĆ RAM.
Budowa komputera..
Zapis prezentacji:

Pamięci półprzewodnikowe

Pamięci 2/38 Klasyfikacja pamięci półprzewodnikowych Parametry układów pamięci Przegląd wybranych typów pamięci Mapa pamięci operacyjnej Zależności czasowe

pamięci buforujące informację Wykorzystanie pamięci półprzewodnikowych: pamięci konfiguracji dyski półprzewodnikowe timery RTC dekodery adresów ukł.obsługiPAO kontrolery przerwań pamięci zewn. procesor pamięć programu (ROM) pamięć danych (RAM) urz. opera- torskie urz. komuni-kacyjne urz. obiek- towe pamięć operacyjna pamięć obrazu pamięci buforujące informację

Pamięci - klasyfikacje 4/38 pamięci nie tracące informacji przy zaniku zasilania Pamięci półprzewodnikowe nieulotne ROM PROM EPROM (szereg. i równol.) EEPROM (E2PROM) NVRAM (SRAM+EEPROM) FLASH (3 rodzaje) FRAM bi- po-lar-ne uni-po-lar-ne unipolarne

Pamięci - technologie 5/38 Cechy wynikające z technologii Cechy pamięci bipolarnych: szybsze; większy pobór mocy; mniejsza gęstość upakowania; “droższy” 1 bit. Cechy pamięci unipolarnych: wolniejsze; mniejszy pobór mocy; większa gęstość upakowania; “tańszy” 1 bit

Pamięci - ROM 6/38 Cechy: programowane maską na etapie produkcji; długotrwały i kosztowny cykl wytworzenia; błąd programu skutkuje bezużytecznością całej serii; kosztowny proces uruchomieniowy systemu z pamięcią programu typu ROM; niski koszt jednostkowy pamięci z dopracowanym programem przy seryjnej produkcji.

Budowa pojedynczego bitu PROM: Pamięci - PROM 7/38 Budowa pojedynczego bitu PROM: programowanie bitu: Vcc=12,5V Up=8V linia wyboru słowa Vcc 7V Q0 12,5V „0” - 0V „1” - 8V Ube

Budowa pojedynczego bitu EPROM: Pamięci - EPROM 8/38 Budowa pojedynczego bitu EPROM: BUF. DANYCH WZM. ODCZ/ZAP DEK. KOLUMN D E K. W I E R S Z Y B U F O R A D R E S U WE/CS PROG

Pamięci - EPROM 9/38 Przykładowe pamięci EPROM:

Pamięci - NVRAM 10/38 Przykład struktury blokowej NVRAM:

Pamięci - NVRAM 11/38 Zasada pracy NVRAM: praca wewnętrznego kondensatora

Pamięci - FLASH 12/38 struktura tranzystora pamiętającego:

Pamięci - FLASH 13/38 Rodzaje pamięci FLASH: 1. Standardowe - równoważne EEPROMom; o czasach dostępu 70..200ns; Ucc = 5V; Icc  30mA; reprezentanci: 28F256A, 28F512, 28F010, 28F020. 2. Flash file - podzielone wewnętrznie na niezależne bloki o pojemności 64kB; czasy dostępu: 70..200ns; Ucc = 5V lub 3,3V; pojemności np.: 1MB, 4MB, 2Mx16; reprezentanci: 28F008SA, 28F016SA, DD28F032SA)

Pamięci - FLASH 14/38 Rodzaje pamięci FLASH: 3. Boot-block flash - charakterystyczny pin RP - Reset-Powerdown, wył. układ pamięci ISB  0,05A; podział pamięci na 4 bloki funkcjonalne: 8kB Boot Block na program startowy; 2 x 4kB wzajemnie niezależne Parameter Block zastępujące układy NVRAM lub EEPROM jako pamięci konfiguracji; 112kB Main Block - reprogramowalny, przeznaczony dla reszty programu. czasy dostępu 60-150ns; organizacja 8- lub 16-bitowa; Ucc = 5V lub 3,5V;

Rodzaje pamięci boot-block FLASH: Pamięci - FLASH 15/38 Rodzaje pamięci boot-block FLASH: Układ bloków zależny od docelowego procesora: 8kB Boot Block 4kB Param. Block 112kB Main Block 1FFFF 00000 układ dedykowany dla systemów z 8xx86 112kB Main Block 4kB Param. Block 4kB param. Block 8kB Boot Block 1FFFF 00000 układ dedykowany np. dla systemów MCS51, MCS96, MC68xx, Z80, Z8000

struktura zmodyfikowana Pamięci - FRAM 16/38 Budowa pojedynczego bitu FRAM: linia wyboru słowa wzm. odczytu +U Uss=0 struktura pierwotna linia wyboru słowa wzm. odczytu +U Uss=0 struktura zmodyfikowana

Pamięci - FRAM 17/38 Dostępne FRAM: z interfejsem szeregowym: I2C (0,4..1MHz), SPI (2,1..5MHz); z interfejsem równoległym Przykłady: 4Mb (256kx16), 55ns, okres przechowywania danych 10lat, żywotność 1014 cykli zapisu, zasilanie 2,7..3,6V, pobór prądu 8mA/90uA

Pamięci - klasyfikacje 18/38 Pamięci półprzewodnikowe nieulotne ROM PROM EPROM (szereg. i równol.) EEPROM (E2PROM) NVRAM (SRAM+EEPROM) FLASH (3 rodzaje) FRAM bi- po-lar-ne uni-po-lar-ne unipolarne zero-power RAM MRAM, OUM, RRAM, polimerowe, nanomechaniczne

Pamięci - zero-power RAM 19/38 Struktura pamięci:

Pamięci - zero-power RAM 20/38 MRAM - pamięci magnetorezystywne, dwie mikroskopijnej grubości wartstwy magnetyczne oddzielone dielektrykiem

Pamięci - zero-power RAM 21/38 OUM (Ovonic Unified Memory) - zastosowanie materiałów jak do produkcji dysków CD-RW, ale zapis i odczyt na drodze elektrycznej

Pamięci - zero-power RAM 22/38 RRAM - pamięć rezystywna, wykorzystuje się materiał zmieniający rezystancję pod wpływem pola elektrycznego polimerowe - wykorzystanie zmian struktury jonowej wewnątrz polimeru pod wpływem pole elektrycznego, możliwe b. duże gęstości upakowania (także warstwowo), tranzystory wymagane jedynie w układach obsługujących strukturę nanomechaniczna - np. millipede IBMa

Pamięci - klasyfikacje 23/38 pamięci tracące informację przy zaniku zasilania Pamięci półprzewodnikowe ulotne nieulotne rejestry przesuwające CCD - ze sprzężeniem ładunkowym sekwencyjne statyczne dynamiczne (SRAM) (DRAM) równoległe klasyczne (bipol.,unipol.) (unipol.) szeregowe pseudostatyczne (unipol.) (unipol.) zwykłe ROM PROM EPROM (szereg. i równol.) EEPROM (E2PROM) NVRAM (SRAM+EEPROM) FLASH (3 rodzaje) FRAM bi- po-lar-ne uni-po-lar-ne unipolarne zero-power RAM MRAM, OUM, RRAM, polimerowe, nanomechaniczne

Budowa pojedynczego bitu SRAM: Pamięci - SRAM 24/38 Budowa pojedynczego bitu SRAM: wzm. odczytu linia wyboru słowa +U techn. bipolarna linia wyboru słowa wzm. odczytu Udd Uss=0 techn. unipolarna

Pamięci - SRAM 25/38 Przykłady pamięci SRAM:

upływność nieidealnego kondensatora Pamięci - DRAM 26/38 Budowa pojedynczego bitu DRAM: Uss=0 linia wyboru słowa wzm. odczytu upływność nieidealnego kondensatora

Pamięci - DRAM 27/38 Cechy DRAM: zalety wady mały pobór mocy; znaczne szybkości; duże pojemności; małe obudowy. konieczność odświeżania informacji (ładunek w komórce DRAM musi być regenerowany z okresem 2..16ms); multipleksowane linie adresowe; kłopotliwe sterowanie

Najważniejsze cykle pracy: Pamięci - DRAM 28/38 Najważniejsze cykle pracy: A8..A15 A0..A7 odczyt ADR RAS CAS DATA tACAS tARAS Dout WE = 1 A8..A15 A0..A7 zapis ADR RAS CAS WE DATA Din

Pamięci - DRAM 29/38 modyfikacja odczyt strony A8..A15 A0..A7 ADR RAS CAS WE Dout Din odczyt strony Dout A8..A15 A0..A7 ADR RAS CAS DATA WE = 1

podst. cykl odświeżania Pamięci - DRAM 30/38 podst. cykl odświeżania adres wiersza ADR RAS WE = 1 CAS = 1 ADR RAS CAS DATA ukryty cykl odświeżania A8..A15REF A8..A15 A0..A7 Dout WE = 1

Pamięci - DRAM 31/38 Najważniejsze metody odświeżania DRAM 1. Odświeżanie grupowe (burst refresh) - np. co 2ms zawiesza się pracę mikroprocesora i generuje komplet adresów wierszy potrzebnych do pełnego odświeżenia bloku pamięci. 2. Odświeżanie przez wykradanie cykli (cycle steal) - generacja kolejnych adresów odświeżania odbywa się w “wolnych” chwilach cyklu maszynowego mikroprocesora (np. cykl M1 w Z80), ale w stanach, w których mikroprocesor nie pobiera kodów rozkazów (aktywne BUSRQ, WAIT, RESET) odświeżanie to zanika i trzeba je realizować inaczej. UWAGA: Nowocześniejsze pamięci DRAM mają wbudowany mechanizm odświeżania.

Pamięci - DRAM 32/38 Struktura blokowa pamięci 4Mx1b Siemensa z wbudowanym odświeżaniem:

Przykład prostego układu sterowania pamięcią DRAM: A7..A13 A0..A6 MPX  DRAM A0 A6 CAS RAS ADR0 . ADR6 MREQ RFSH         50ns specjalizowane kości obsługujące DRAM: 3242, 8202 (IBM PC)

Pamięci - DRAM 34/38 Przykłady klasycznych pamięci DRAM:

Pamięci - DRAM 35/38 FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) - zorientowane na potrzeby 486, częstotliwość magistrali do 66MHz, typowe cykle oczekiwania 5-3-3-3. EDO DRAM (Extended Data Out DRAM) - zwiększona szybkość dzięki możliwości podawania następnego adresu dostępu jeszcze podczas poprzedniego odczytu, częstotliwość magistrali do 50MHz, typowe cykle oczekiwania 5-2-2-2. BEDO DRAM (Burst EDO DRAM) - szybka, częstotliwość magistrali do 100MHz, wymaga specjalnego chipsetu, rzadko spotykana, typowe cykle oczekiwania 5-1-1-1. SDRAM (Synchronous DRAM) - czas dostępu rzędu 10ns, częstotliwość magistrali 100MHz i więcej (6ns przy 143MHz), typowe cykle oczekiwania 5-1-1- 1, umożliwiają dostęp do dwóch jednocześnie otwartych stron, wbudowane samoodświeżanie.

Pamięci - DRAM 36/38 DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - przesyłanie danych na obu zboczach sygnału taktującego - zdwojenie szybkości odczytu bloków danych. ESDRAM (Enhanced SDRAM) - wewnętrzne bufory SRAM podwajające wydajność pamięci, wzrost szybkości komputera o 10-25%. DRDRAM (Direct Rambus DRAM) - specjalne szybkie magistrale z modułami DRDRAM o częstotliwościach do 400MHz i transmisją na obu zboczach sygnału taktującego, transmisja 1,6-2,4GB/s, nietypowe rozwiązania el-mech. SLDRAM (Synchronous Link DRAM) - rozwinięcie SDRAM, transmisja do 3,2GB/s, przy zachowaniu dotychczasowych rozwiązań el-mech. SGRAM (Synchronous Graphic RAM) - szybka (100MHz), jednoportowa pamięć do kart graficznych. VRAM (Video RAM) - szybka, dwuportowa (we/wy) pamięć do kart graficznych.

Pamięci - parametry charakterystyczne 37/38 Parametry charakterystyczne układów pamięci półprzewodnikowej: organizacja (bitowa, k-bitowa, bajtowa); pojemność (ilość bitów informacji pamiętanych w układzie); parametry zasilania (napięcie pracy / podtrzymania, prąd pracy / spoczynkowy / prąd podtrzymania); ulotność informacji; obciążalność wyjść danych; parametry czasowe (czas dostępu, czas cyklu, szybkość transmisji).

Pamięci - parametry charakterystyczne 38/38 Porównanie wybranych technologii pamięci półprzewodnikowych