Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Proces ze studnią typu n

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Utlenianie powierzchni

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pokrycie warstwą fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Maskowanie i naświetlenie

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wywołanie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie tlenku

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja jonów

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wygrzewanie

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytworzenie tlenku bramkowego

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Osadzenie, maskowanie i wytrawienie polikrzemu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytworzenie tranzystorów NMOS

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytworzenie tranzystorów PMOS

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pierwsza warstwa izolacyjna

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie otworów pod kontakty

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Kontakty i metalizacja I

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Druga warstwa izolacyjna

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Otwory pod przelotki (VIAs)

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Przelotki i metalizacja II

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pasywacja końcowa

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Nakładanie warstw przewodzących

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie nadmiaru metalu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Lift-off

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Kontakty metaliczne do półprzewodnika  Doprowadzenia drenu i źródła  Polaryzacja podłoża i studni  Zawsze do obszaru bogato domieszkowanego

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Technologia podwójnej studni

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Warstwa epitaksjalna pokryta dwutlenkiem i azotkiem krzemu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pokrycie, naświetlenie i wywołanie fotorezystu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja studni typu N

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pokrycie warstwą grubego tlenku

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja studni typu P

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wygrzewanie - dyfuzja domieszek

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Tranzystor ze słabo domieszkowanym drenem Lightly Doped Drain (LDD)

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja słabo domieszkowanych obszarów drenu i żródła

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Osadzenie dwutlenku krzemu (CVD)

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Trawienie dwutlenku krzemu

Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja drenu i źródła