TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA: METODY PRÓŻNIOWE MBE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Jest to proces wytwarzania monokrystalicznych warstw półprzewodnika na monokrystalicznych podłożach

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Materiał „objętościowy” Materiał w postaci „cienkiej warstwy” Epitaksja – umiejętność wytwarzania (hodowania) cienkich warstw materiału półprzewodnikowego

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA RODZAJE EPITAKSJI PODŁOŻE Si Al 2 O 3

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA HOMOEPITAKSJAHETEROEPITAKSJA RODZAJE EPITAKSJI WARSTWA EPITAKSJALNA (KRZEMOWA) PODŁOŻE Si Al 2 O 3 Si(EPI)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Jaki jest cel wytwarzania warstw epitaksjalnych? Si Si(EPI) Osadzana warstwa epitaksjalna może różnić się od podłoża własnościami elektrycznymi: 1.Typem przewodnictwa 2. Rezystywnością, 3.Czasem życia nośników

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TYPY STRUKTUR EPITAKSJALNYCH Si Si(EPI) ZŁĄCZE l-h (low-high) KRZEM TYPU n KRZEM TYPU n+

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TYPY STRUKTUR EPITAKSJALNYCH Si Si(EPI) ZŁĄCZE p-n KRZEM TYPU n KRZEM TYPU p

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TYPY STRUKTUR EPITAKSJALNYCH Al 2 O 3 Si(EPI) STRUKTURA SOI (Silicon On Insulator) KRZEM TYPU n

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA WYKORZYSTANIE EPITAKSJI W BUDOWIE STRUKTUR PP

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TRANZYSTOR BIPOLARNY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA KRZEMOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY p n+ Płytka krzemowa (Si) 300  m WARSTWA DYFUZYJNA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA KRZEMOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY p n+ n 300  m Płytka krzemowa (Si) WARSTWA EPITAKSJALNA 10  m

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA KRZEMOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY p pp p n n n n+ 300  m 10  m Si Si(EPI)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA KRZEMOWY TRANZYSTOR BIPOLARNY 300  m 10  m p pp p n n n n+ emiter kolektor baza n+ Si(EPI) Si

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET - GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs 800nm

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs NIEDOMIESZKOWANY AlGaAs 100nm 6nm

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs NIEDOMIESZKOWANY AlGaAs n- GaAs 100nm 6nm

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs NIEDOMIESZKOWANY AlGaAs n- GaAs n+ GaAs 100nm 6nm

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA TRANZYSTOR MODFET (GaAs) PÓŁIZOLACYJNY GaAs NIEDOMIESZKOWANY GaAs NIEDOMIESZKOWANY AlGaAs n- GaAs n+ GaAs ŹRÓDŁODREN BRAMKA 100nm 800nm 6nm

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA LD-GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ENERGIA [W] ODLEGŁOŚĆ [x] ELEKTRODA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) ENERGIA [W] ODLEGŁOŚĆ [x] n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) - n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ENERGIA [W] ODLEGŁOŚĆ [x] ELEKTRODA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA DIODA LASEROWA ( LD-GaAs) - n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ENERGIA [W] ODLEGŁOŚĆ [x] ELEKTRODA ŚWIATŁO

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA SPOSOBY REALIZACJI PROCESU EPITAKSJI

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( SPOSOBY REALIZACJI PROCESU EPITAKSJI EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ (Liquid Phase Epitaxy - LPE) EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ (Vapor Phase Epitaxy - VPE) EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH (Molekular Beem Epitaxy - MBE)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE + STAŁE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO PŁYNNE MEDIUM PODŁOŻE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( + STAŁE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO PŁYNNE MEDIUM PODŁOŻE DYFUZJA I KONWEKCJA EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( + STAŁE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO PŁYNNE MEDIUM PODŁOŻE EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( + STAŁE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO PŁYNNE MEDIUM PODŁOŻE EPITAKSJA Z FAZY CIEKŁEJ - LPE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE + GAZOWE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO GAZOWE MEDIUM PODŁOŻE ŹRÓDŁO GAZOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE + GAZOWE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO GAZOWE MEDIUM PODŁOŻE PŁYNNA DYNAMIKA I KONWEKCJA ŹRÓDŁO GAZOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE + GAZOWE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO GAZOWE MEDIUM PODŁOŻE ŹRÓDŁO GAZOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z FAZY GAZOWEJ - VPE + GAZOWE ŹRÓDŁO MATERIAŁU OSADZANEGO GAZOWE MEDIUM PODŁOŻE ŹRÓDŁO GAZOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE + ŹRÓDŁO WYPAROWYWANE PRÓŻNIAPODŁOŻE KOMORA PRÓŻNIOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE + ŹRÓDŁO WYPAROWYWANE PRÓŻNIAPODŁOŻE KOMORA PRÓŻNIOWA TRANSPORT BALISTYCZNY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE + ŹRÓDŁO WYPAROWYWANE PRÓŻNIAPODŁOŻE KOMORA PRÓŻNIOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBE + ŹRÓDŁO WYPAROWYWANE PRÓŻNIAPODŁOŻE KOMORA PRÓŻNIOWA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH Wytwarzanie warstw epitaksjalnych przy wykorzystaniu „metod fizycznych”: NAPAROWYWANIESUBLIMACJAROZPYLANIE KATODOWE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 PODŁOŻE KRZEMOWE ROZPYLANY KRZEM

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 WŁÓKNO GRZEJĄCE PODŁOŻE PODŁOŻE KRZEMOWE UCHWYT PODŁOŻA EKRAN ELEKTRO- STATYCZNY ROZPYLANY KRZEM EKRAN WŁÓKNO EMITUJĄCE WIĄZKĘ ELEKTRONÓW UCHWYT Z CHŁODZENIEM

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 OGRZEWANIE PŁYTKI KRZEMOWEJ WIĄZKĄ ELEKTRONÓW

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 OGRZEWANIE PŁYTKI KRZEMOWEJ WIĄZKĄ ELEKTRONÓW BOMBARDOWANIE WIĄZKĄ ELEKTRONOWĄ KRZEMU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 OGRZEWANIE PŁYTKI KRZEMOWEJ WIĄZKĄ ELEKTRONÓW BOMBARDOWANIE WIĄZKĄ ELEKTRONOWĄ KRZEMU FORMOWANIE STRUMIENIA ATOMÓW KRZEMU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA PRÓŻNIOWA WARSTW KRZEMOWYCH +U -U 0 OGRZEWANIE PŁYTKI KRZEMOWEJ WIĄZKĄ ELEKTRONÓW BOMBARDOWANIE WIĄZKĄ ELEKTRONOWĄ KRZEMU FORMOWANIE STRUMIENIA ATOMÓW KRZEMU OSADZANIE WARSTWY EPITAKSJALNEJ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Epitaksja z wiązek molekularnych (Molecular Beam Epitaxy) jest procesem wzrostu związków półprzewodnikowych, zachodzącym w warunkach ultrawysokiej próżni

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA KRIOSTAT GRZEJNIK TERMOPARA KOMÓRKA EFUZYJNA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA PRÓŻNIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA PRÓŻNIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA PRÓŻNIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Formowanie wiązki molekularnej KOMÓRKA EFUZYJNA PRÓŻNIA STRUMIEŃ MOLEKULARNY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Wytworzenie struktury diody laserowej wymaga zastosowania pięciu wiązek molekularnych n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Wytworzenie struktury diody laserowej wymaga zastosowania pięciu wiązek molekularnych n GaAs n AlGaAs GaAs p AlGaAs p GaAs ELEKTRODA ŹRÓDŁO GALU ŹRÓDŁO ARSENU ŹRÓDŁO CYNKU (DOM.TYP P) ŹRÓDŁO ALUMINIUM ŹRÓDŁO SELENU (TYP N)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Cynk Zn Gal Ga Arsen As Glin Al Selen Se

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl KOMORA PRÓŻNIOWA PODŁOŻE GaAS KOMÓRKI EFUZYJNE PRZESŁONY OKIENKO WIZJER PRÓŻNIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( PRÓŻNIOWE METODY WYTWARZANIA WARSTW EPITAKSJALNYCH PRZEBIEG PROCESU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl n GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl n AlGaAsn GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl GaAs n AlGaAs n GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl p AlGaAs GaAs n AlGaAs n GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl p GaAs p AlGaAs GaAs n AlGaAs n GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH As ZnSe GaAl p GaAs p AlGaAs GaAs n AlGaAs n GaAs

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI As ZnSe GaAl KOMORA PRÓŻNIOWA STRUKTURA EPITAKSJALNA OKIENKO WIZJER PRÓŻNIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI As ZnSe GaAl KOMORA PRÓŻNIOWA STRUKTURA EPITAKSJALNA OKIENKO WIZJER PRÓŻNIA ŹRÓDLO WIĄZKI PRÓBKUJĄCEJ

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI As ZnSe GaAl KOMORA PRÓŻNIOWA STRUKTURA EPITAKSJALNA OKIENKO WIZJER PRÓŻNIA ŹRÓDŁO WIĄZKI PRÓBKUJĄCEJ ANALIZATOR

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY FOTONY (PR.X, UV, WIDZ. IR

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY FOTONY (PR.X, UV, WIDZ. IR CZĄSTKI NEUTR.

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( POMIARY – ANALIZA POWIERZCHNI BADANY MATERIAŁ FOTONY (PROM.X, UV, WIDZIALNE, IR) ELEKTRONY JONY ELEKTRONY JONY FOTONY (PR.X, UV, WIDZ. IR CZĄSTKI NEUTR. ELEKTRONY I JONY WTÓRNE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( METODY ANALIZY POWIERZCHNI

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( METODY ANALIZY POWIERZCHNI ESCA – Electron Spectroscopy for Chemical Analysis SPEKTROSKOPIA ELEKTRON. DO ANALIZY CHEMICZNEJ ESCA PROM. X ANALIZA ENERGII EMITOWANYCH ELEKTRONÓW ELEKTRONY PRÓBKA Niskoenergetyczne promieniowan. X (linia K-alfa Al, E=1.487 keV) Elektrony pochłaniające energię są emitowane z charakterystyczną energią kinetyczną określoną poprzez różnicę pomiędzy energią fotonu a energią wiązania Inormacja 1-10 warstw atomowych

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( METODY ANALIZY POWIERZCHNI AES – Auger Electron Spectroscopy SPEKTROSKOPIA ELEKTRON. AUGERA AES ELEKTRONY ANALIZA ENERGII EMITOWANYCH ELEKTRONÓW ELEKTRONY PRÓBKA Wybijanie elektronów z wew. powłok w atomie przy wykorzystaniu energii wiązki elektronowej E>10 keV Emisja elektronów „Augera” o energii charakterystycznej dla przejść elektronów w atomie pomiędzy poziomami

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( METODY ANALIZY POWIERZCHNI SIMS – Secondary-Ion Mass Spectrometery SPEKTROSKOPIA MAS JONÓW WTÓRNYCH SIMS JONY ANALIZA ENERGII EMITOWANYCH JONÓW JONY „WTÓRNE” PRÓBKA Bombardowanie pow. próbki wiązką jonów (Argon, Cez, Tlen o energii E=(0.5-5)keV Emitowane jony „wtórne” z próbki są analizowane w spektrometrze masowym

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( METODY ANALIZY POWIERZCHNI RBS – Rutherford Backscattering Spectrometery RUTHERFORDOWSKA SPEKTROM. JONÓW ROZPR. RBS JONY HELU (MeV) ANALIZA ENERGII EMITOWANYCH JONÓW JONY PRÓBKA Bombardowanie pow. próbki wiązką jonów Helu o energii E=(1-3)MeV Jony helu w wyniku zderzeń z atomami badanego ciała wytracają energię. Wytracona energia jest charakterystyczna dla danego typu atomów Profil w zakresie (0.5-3)  m

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( METODY ANALIZY POWIERZCHNI LIMS – Laser Ionization Mass Spectrometery SPEKTROSKOPIA MASOWA PRZY JONIZACJI LASER. LIMS FOTONY (LASER) ANALIZA MASY DESORB. LUB WYPAROW. JONÓW JONY PRÓBKA Powierzchnia próbki jest oświetlana światłem laserowym Z powierzchni próbki desorbowane są jony

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH APARATURA DO WYTWARZANIA HETEROSTRUKTUR KRZEMOGERMANU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH ŹRÓDŁO DOMIESZKI BP SiGe ŹRÓDŁO DOMIESZKI ŹRÓDŁO KRZEMU ŹRÓDŁO GERMANU EMITER ELEKTRONÓW GRZEJNIK GRAFITOWY PODŁOŻE KRZEMOWE PRÓŻNIA

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH PRZEBIEG PROCESU

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Rozgrzewanie podłoża

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Emisja elektronów – rozgrzewanie Si, Ge

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Emisja wiązek molekularnych - Si, Ge

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Domieszkowanie borem - B, (SiGe – typ p)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Domieszkowanie fosforem - P, (SiGe – typ n)

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH BP SiGe Studzenie–zapowietrzanie–otwarcie komory roboczej CIŚNIENIE ATMOSFERYCZNE

TECHNOLOGIE MIKROELEKTRONICZNE Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, Gliwice ( EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH Możliwości MBE 200 mm Jednorodność grubości wytwarzanych warstw epitaksjalnych jest lepsza niż ±1.5%