Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania Politechnika Śląska w Gliwicach Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki dr inż. Ryszard Siurek Wykład 6.

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania Politechnika Śląska w Gliwicach Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki dr inż. Ryszard Siurek Wykład 6."— Zapis prezentacji:

1 Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania Politechnika Śląska w Gliwicach Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki dr inż. Ryszard Siurek Wykład 6

2 Przetwornica jednotaktowa – przeciwsobna (ang. push-pull converter) Z Z p1 Z Z w1 T1T1T1T1 DD1DD1 L C RR0RR0 U0U0 U we C we T I I p1 I I w1 T2T2T2T2 Z Z p2 Z Z w2 DD2DD2 I I w2 T I I p2 przekładnia transformatora - czas załączenia T 1 - czas załączenia T 1 - czas załączenia T 2 - czas załączenia T 2 - czas przerwy pomiędzy - czas przerwy pomiędzy impulsami sterującymi impulsami sterującymi

3 Analiza pracy przetwornicy jednotaktowej – przeciwsobnej Takt I T1 – włączony, D1-przewodzi, D2 -wyłączona Z Z p1 Z Z w1 T1T1T1T1 DD1DD1 L CU we I I T1 I I D1 Z Z p2 Z Z w2 RR0RR0 U0U0 U we M I I T1 I I T2 U T1 U T2 U T1 U T2 U1U1 U1U1 Z Z p1 Z Z w1 T1T1T1T1 DD1DD1 CU we I I T1 I I D1 Z Z p2 Z Z w2 RR0RR0 U0U0 0 U T1 U T2 0 Z Z p1 Z Z w1 T1T1T1T1 DD1DD1 CU we I I T1 I I D1 Z Z p2 Z Z w2 RR0RR0 U0U0 U we U T1 U T2 U1U1 T1,T2 – wyłączony, D1-przewodzi, D2 -przewodzi Takt II T2 – włączony, D1-wyłączona, D2 -przewodzi DD2DD2 I I D2 IILIIL L L IIMIIM DD2DD2 T2T2T2T2 0 U0U0 IILIIL U we 2U we Takt ITakt II T

4 Przedstawienie zjawisk w rdzeniu magnetycznym na krzywej magnesowania – zjawisko nasycenia B H BsBsBsBs -B s M Mmax IMIM I Mmax prąd magnesowania prąd rozmagnesowania B H BsBsBsBs -B s M IMIM IpIp i M (t) i w (t) * Nasycanie rdzenia dla nie- prawidłowo zaprojekto- wanego transformatora Przetwornica jednotaktowa jednotranzystorowa

5 B H BsBsBsBs -B s M Mmax I Mmax prąd magnesowania prąd przemagnesowania B H BsBsBsBs -B s M IMIM Nasycanie rdzenia przy niesymetrycznym stero- waniu tranzystorów Przetwornica jednotaktowa przeciwsobna Mmax s

6 Nasycenie rdzenia jako wynik niewłaściwego rozmagnesowania (przemagnesowania) transformatora B H BsBsBsBs -B s M t t IpIp Przetwornica jednotaktowa jednotranzystorowa Nasycenie w wyniku niesymetrii w układzie przeciwsobnym Przetwornica przeciwsobna I I T1 I I T2 t t

7 Nasycenie rdzenia dławika wyjściowego B H BsBsBsBs -B s B0B0B0B0 H B H 0 (I 0 ) H 1 (I 1 ) t IpIp ILIL t I0I0 I1I1 S

8 Popularne odmiany przetwornicy przeciwsobnej U we T1T1T1T1 T2T2T2T2 T3T3T3T3 T4T4T4T4 U0U0 D1D1D1D1 D2D2D2D2 Takt I - włączony T 1 i T 4, dioda D 2 przewodzi - tranzystory wyłączone, obie diody przewodzą Takt II - włączony T 2 i T 3, dioda D 1 przewodzi Cechy charakterystyczne: 1.Tylko jedno uzwojenie pierwotne 2.U Tmax = U we 3.Skomplikowane sterowanie tranzystorów Struktura stosowana przy dużych mocach (powyżej 1 kW) Przetwornica mostkowaPrzetwornica półmostkowa U we C1C1C1C1 T1T1T1T1 C2C2C2C2 T2T2T2T2 U0U0 D1D1D1D1 D2D2D2D2 Takt I - włączony T 1, dioda D 2 przewodzi - tranzystory wyłączone, obie diody przewodzą Takt II- włączony T 2, dioda D 1 przewodzi Cechy charakterystyczne: 1.Tylko jedno uzwojenie pierwotne 2.U Tmax = U we 3.Średnio skomplikowane sterowanie tranzystorów 4.Dwukrotnie większy prąd tranzystorów 5.Autokorekcja niesymetrii (C 1, C 2 ) Struktura stosowana przy średnich mocach (200W – 1000W)

9 Porównanie podstawowych przebiegów po stronie wtórnej przetwornicy jednotranzystorowej i przeciwsobnej T T U1U1 U1U1 jednotranzystorowa (forward) przeciwsobna (push-pull) U0U0 U0U0 gdy = 0,5 I L (I C ) Dla takiego samego napięcia wyjściowego konieczna jest większa przekładnia n, a więc mniej zwojów po stronie wtórnej. Mniejsza składowa zmienna prądu w dławiku wyjściowym i w kondensatorze.

10 Porównanie przetwornicy jednotranzystorowej i przeciwsobnej jednotranzystorowa (forward)przeciwsobna (push-pull) transformator magnesowany tylko w jedna stronę (I-sza ćwiartka) większy rdzeń transformatora maksymalne napięcie na tranzystorze U T > 2 U we pojedyncze uzwojenie wtórne większa liczba zwojów uzwojenia wtórnego (większa szczytowa wartość napięcia wtórnego) współczynnik wypełnienia ograniczony do 0,5 konieczny układ rozmagnesowania większe wartości indukcyjności dławika i kondensatora wyjściowego pojedynczy tranzystor przełączający prosty układ sterowania tranzystora większe wartości prądu skutecznego w kondensatorze wyjściowym transformator magnesowany tylko w obie strony (I-sza i IV ćwiartka ) mniejszy rdzeń transformatora maksymalne napięcie na tranzystorze U T = 2 U we podwójne uzwojenie wtórne mniejsza liczba zwojów uzwojenia wtórnego (mniejsza szczytowa wartość napięcia wtórnego) współczynnik wypełnienia teoretycznie może osiągnąć wartość 1 mniejsze wartości indukcyjności dławika i kondensatora wyjściowego dwa lub więcej tranzystorów przełą- czających skomplikowany układ sterowania tran- zystorów mniejsze wartości prądu skutecznego w kondensatorze wyjściowym


Pobierz ppt "Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania Politechnika Śląska w Gliwicach Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki dr inż. Ryszard Siurek Wykład 6."

Podobne prezentacje


Reklamy Google