Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Przełączanie rezystywne w tlenku niobu Anna Nowak Projekt współfinansowany ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Promotor.

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "Przełączanie rezystywne w tlenku niobu Anna Nowak Projekt współfinansowany ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Promotor."— Zapis prezentacji:

1 Przełączanie rezystywne w tlenku niobu Anna Nowak Projekt współfinansowany ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Promotor : prof. dr hab. Jacek Szade

2 Typowa pamięć flash ma żywotność do 10 3 – 10 7 cykli Dyski SSD Pamięci typu flash Telefony komorkowe Tablety DRAM Mass storage devices RRAM, successor to:

3 Przełączanie rezystywne Silna zmiana oporu elektrycznego w ograniczonym obszarze materiału o wysokim oporze pod wpływem przyłożonego napięcia rzędu kilku V a) Unipolar switching. The SET voltage is always higher than the RESET voltage, and the RESET current is always higher than the cc during SET operation. b) Bipolar switching. The SET operation occurs on one polarity of the voltage or current, the RESET operation requires the opposite polarity. In some systems, no cc is used. Please note that the I–V curves of real systems may deviate considerably from these sketches, for both operation schemes. Rainer Waser et al. Adv. Mater. 2009, 21, 2632–2663 unipolarne bipolarne A.Sawa MaterialsToday vol

4 Zaobserwowano przełączanie rezystywne w takich materiałach jak: SrTiO 3, Ta 2 O 5, TaO x, TiO x, NiO x, CuO x, Nb 2 O 5, Al 2 O 3, CoO, WO x, Pr 0.7 Ca 0.3 MnO 3 materiałach organicznych tj. PTCDA (C 24 H 8 O 6 ) Figure 2. Classification of the resistive switching effects which are considered for non-volatile memory applications. The switching mechanisms based on thermal, chemical, and electronic/electrostatic effects (five classes in the center) are further described in the text. This review will cover the redox-related chemical switching effects (red bracket). Rainer Waser et al. Adv. Mater. 2009, 21, 2632–2663 Figure 1. Sketch of filamentary conduction in MIM structures. Redrawn with modifications from ref. 4. a, Vertical stack configuration. b, Lateral, planar configuration. The red tube indicates the filament responsible for the ON state. R.Waser et.al NatureMaterial

5 Nb 2 O 5 w postaci kryształu i cienkiej warstwy Crystal system: monoclinic Group: P2/m Lattice parameters: a = Å b = Å c = Å α = 90° β = ° γ = 90° Struktura była zmierzona za pomocą 4-kołowego dyfraktometru SuperNova firmy Agilent Technologie Kryształ został otrzymany za pomocą metody topienia strefowego w Centrum Badawczym w Jülich, Niemcy

6 LayerLayer DescriptionDensity (g/cm3)Thickness (nm)Roughness (nm) 6, 0 NbO , 0Nb0.762 O , 0Nb0.25 O , 0H-Nb 2 O , 0B-Nb 2 O , 0 NbO SubstrateSi Tlenek niobu w postaci cienkiej warstwy został uzyskany za pomocą metody RF sputtering z Nb targetu następnie utleniona w temperaturze 300°C w mbar O 2

7 Wynik XPS dla tlenku niobu w postaci kryształu i cienkiej warstwy

8

9 Lokalne przewodnictwo Nb 2 O 5 cienkie warstwy były badane przy użyciu LC-AFM Zostały przeprowadzone pomiary w zależności od temperatury Chropowatość powierzchni : RMS=0.330 nm Redukcja w temperaturze 300°C UHV Napięcie na igle :0.700 V On Mapa lokalnego przewodnictwa Topografia Zakres przewodnictwa : 0 do nA Zakres przewodnictwa: 0 to nA 50.0nm 100.0nm Size: 500 x 500 nm Size: 250 x 250 nm Size: 500 x 500 nm

10 Redukcja w temperaturze 400°C UHV Redukcja w temperaturze 600°C UHV Chropowatość powierzchni: RMS=0.330 nm Zakres przewodnictwa: 0 to 354,42 nA Zakres przewodnictwa: 0 to nA Mapa lokanego przewodnictwa Mapa lokalnego przednictwa Topografia Napięcie na igle: 0.982V Napięcie na igle: 0.700V 100nm 100nm

11 Został zbadany tlenek niobu w postaci krystalicznej i cienkiej warstwy Kryształ otrzymany za pomocą techniki topienia strefowego posiada strukturę H-Nb 2 O 5 Badania wykonane za pomocą reflektometrii rentgenowskiej wykazały ze cienka warstwa ma grubość 76nm i składa się z kilku rodzajów tlenku niobu. Widoczny jest silny wpływ temperatury na cienką warstwę niobową. Struktura warstwy zaczyna się już zmieniać w temperaturze 300°C. Cienka warstwa tlenku niobu wykazuje zjawisko przełączania rezystywnego. Wnioski

12


Pobierz ppt "Przełączanie rezystywne w tlenku niobu Anna Nowak Projekt współfinansowany ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Promotor."

Podobne prezentacje


Reklamy Google