Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Proces ze studnią typu n.

Prezentacja na temat: "Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Proces ze studnią typu n."— Zapis prezentacji:

1 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Proces ze studnią typu n

2 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Utlenianie powierzchni

3 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pokrycie warstwą fotorezystu

4 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Maskowanie i naświetlenie

5 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wywołanie fotorezystu

6 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie tlenku

7 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja jonów

8 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wygrzewanie

9 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytworzenie tlenku bramkowego

10 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Osadzenie, maskowanie i wytrawienie polikrzemu

11 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytworzenie tranzystorów NMOS

12 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytworzenie tranzystorów PMOS

13 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pierwsza warstwa izolacyjna

14 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie otworów pod kontakty

15 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Kontakty i metalizacja I

16 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Druga warstwa izolacyjna

17 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Otwory pod przelotki (VIAs)

18 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Przelotki i metalizacja II

19 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pasywacja końcowa

20 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Nakładanie warstw przewodzących

21 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wytrawienie nadmiaru metalu

22 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Lift-off

23 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Kontakty metaliczne do półprzewodnika  Doprowadzenia drenu i źródła  Polaryzacja podłoża i studni  Zawsze do obszaru bogato domieszkowanego

24 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Technologia podwójnej studni

25 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Warstwa epitaksjalna pokryta dwutlenkiem i azotkiem krzemu

26 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pokrycie, naświetlenie i wywołanie fotorezystu

27 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja studni typu N

28 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Pokrycie warstwą grubego tlenku

29 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja studni typu P

30 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Wygrzewanie - dyfuzja domieszek

31 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Tranzystor ze słabo domieszkowanym drenem Lightly Doped Drain (LDD)

32 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja słabo domieszkowanych obszarów drenu i żródła

33 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Osadzenie dwutlenku krzemu (CVD)

34 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Trawienie dwutlenku krzemu

35 Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych PŁ Implantacja drenu i źródła