Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Elektronika z technikami pomiarowymi Studia niestacjonarne ZiIP sem VI 2008 Wydział Elektryczny Instytut Metrologii, Elektroniki i Automatyki Prof. Jan.

Коpie: 1
Przetworniki ciśnienia. Elementy odkształcalne rurkowe JednorodnaBourdona Z wewnętrznym trzpieniemAsymetryczna.

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "Elektronika z technikami pomiarowymi Studia niestacjonarne ZiIP sem VI 2008 Wydział Elektryczny Instytut Metrologii, Elektroniki i Automatyki Prof. Jan."— Zapis prezentacji:

1 Elektronika z technikami pomiarowymi Studia niestacjonarne ZiIP sem VI 2008 Wydział Elektryczny Instytut Metrologii, Elektroniki i Automatyki Prof. Jan Zakrzewski Akademicka 10 p.23

2 Harmonogram ćwiczeń w Laboratorium ELEKTRONIKI rok akad. 2007/2008 Studia zaoczne, ZIiP, Terminy zajęć: grupa: ZIiP niedziela – sekcja lp.lp. data zajęćnumer ćwiczenia test13 Tematy ćwiczeń: 1. WST- Właściwości statyczne termometrów sala PC- Badanie przetworników ciśnienia sala PV- Badanie przetworników prędkości obrotowej sala PQ- Badanie przepływomierzy sala WDT- Właściwości dynamiczne termometrów sala CW- Badanie czujników wilgotności sala OP- Badanie wzmacniacza operacyjnego sala FDP- Badanie filtrów uniwersalnych sala KOM- Badanie komparatora napięcia sala LOG- Badanie podstawowych funktorów logicznych sala IMP- Badanie układów impulsowych sala AC- Badanie przetworników A/C sala SYS- Systemy pomiarowe sala 113 Materiały pomocnicze: - 2 dyskietki i pendrive na wyniki pomiarowe

3 LITERATURA Otto Liman, Horst Pelka ELEKTRONIKA bez wielkich problemów WZMACNIACZE OPERACYJNE TECHNIKA CYFROWA AUTOMATYKA Horowitz P.,Hill W. : Sztuka elektroniki. T. 1 i 2 Kaźmiekowski M., Wójciak A.: UKŁADY STEROWANIA I POMIARÓW W ELEKTRONICE PRZEMYSŁOWEJ Zakrzewski J.: Podstawy Miernictwa dla Kierunku Mechanicznego. Wyd. Pol. Śląskiej, Gliwice, 2004

4 ELEKTRONIKA TELEKOMUNIKACJA ELEKTRONIKA PRZEMYSŁOWA ENERGOELEKTRONIKA POMIARY, AUTOMATYKA, ROBOTYKA

5

6 Czujniki temperatury

7 Rezystancyjne czujniki temperatury metalowepółprzewodnikowe termistorymonokryst. KTY PTCNTC RTDSPRT

8 Współczynnik temperaturowy rezystancji Współczynnik temperaturowy rezystancji Względny przyrost rezystancji przy zmianie temperatury o 1K (lub o 1 C) w zakresie 0 C do 100 C Europa =0,385USA =0,392 Np. Dla platyny

9 Właściwości termometrów metalowych Materiał : platyna (Pt100) (Pt 1000) (Pt 1000) (Pt 500) (Pt 500) Ni, (Cu) Zakres pomiarowy: platyna: (- 220 do 850) C nikiel : ( - 50 do 150) C Niepewnośćczujnika związana z jego klasą wg IEC 751 PN-EN-60751

10 Termometry rezystancyjne metalowe

11 NTC = - B/T 2 = - B/T 2 Współczynnik temperaturowy rezystancji termistorów Współczynnik temperaturowy rezystancji termistorów B - Stała materiałowa, 2000 do 4000 K R R 25 t 25

12 - rezystywność, =ok. 7 cm - rezystywność, =ok. 7 cm D - średnica styku Termometry KTY Styki poli -Si o średnicy ok. 20 m Izolacja SiO 2 ok. 0.5 mm Krzem Metalizacja strony spodniej Obszary domieszkowane typu n

13 Czujnik diodowy U IDID ΔU I D1 I D2 IDID

14 Czujniki termoelektryczne Zasada działania: Powstawanie siły termoelektrycznej przy istnieniu gradientu temperatury wzdłuż przewodnika gradientu temperatury wzdłuż przewodnika U te = T Mat A Mat B Mat A złącze ciepłe złącze zimne

15 Właściwości termometrów termoelektrycznych Termopary szlachetne Typ i materiał: S: PtRh10 - Pt R: PtRh13 - Pt B: PtRh30 - Pt Zakresypomiarowe: S i R -50 C C dorywczo 1760 C STE -0, mV, B +100 C C dorywczo 1800 C STE do 13,8 mV Materiał WRe5- WRe26WRe5- WRe26 Termopara wysokotemperaturowa Zakres pomiarowy: (2700) C, STE 40,7 mV

16 Właściwości termometrów termoelektrycznych Materiał: T: + miedź (Cu) konstantan (Cu+Ni), J: + żelazo (Fe) konstantan (Cu+Ni), K: + chromel (Ni+Cr) alumel (Ni+Al) N: + (Ni + Cr + Si) (Ni+ Si) Zakresypomiarowe: T: (-270 do 400) C, J: (-210 do 12O0) C, K: (-270 do 1250) C, N: (-270 do 1300) C Wykonanie czujniki zanurzeniowe czujniki zanurzeniowe czujniki temperatury powierzchni czujniki temperatury powierzchni Średnica drutu: (0,4 do 4) mm (0,4 do 4) mm STE: (-6 do 20) mV, STE: (-8,1 do 69,5) mV, STE: (-6,5 do 50,6) mV, STE: (-4,3 do 47,5) mV

17 Wykonania termometrów termoelektrycznych Wykonania termometrów termoelektrycznych

18 Wykonania termometrów termoelektrycznych

19

20 Czujniki ciśnienia

21 Elementy odkształcalne rurkowe JednorodnaBourdona Z wewnętrznym trzpieniemAsymetryczna

22 Elementy odkształcalne mieszkowe

23 Indukcyjnościowe czujniki ciśnień

24 Tensometryczny czujnik ciśnienia - z mechanicznym elementem przeniesienia siły p

25 Tensometryczny czujnik ciśnień rurowy p

26 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ I etap UTLENIANIE Si SiO 2

27 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ II etap DOMIESZKOWANIE BOREM Si BOR SiO 2

28 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ III etap FOTOLITOGRAFIA SiO 2 Maska Fotoresist Si

29 IV etap TRAWIENIE KRZEMU WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ Si

30 WYTWORZENIE MEMBRANY KRZEMOWEJ V etap TRAWIENIE SiO I UTLENIANIE 2 Si SiO 2

31 Si warstwa p + FOSFOR WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA SiO 2

32 Si warstwa p + SiO 2 PIEZOREZYSTOR WYTWORZENIE STRUKTURY CZUJNIKA

33 Czujniki piezorezystywne ciśnienia oparte są na pomiarze naprężeń proporcjonalnych do różnicy ciśnień występujących po obu stronach membrany. Naprężenia mierzone są przy pomocy piezorezystorów (rezystorów dyfuzyjnych wykonanych w membranie). Efekt piezorezystywny jest silnie anizotropowy i mocno zależy od orientacji krystalograficznej.

34 Płaszczyzna c) x z y (100) x z y (110) x z y (111) ANIZOTROPIA CZUŁOŚCI PIEZOREZYSTORÓW

35 STRUKTURA CZUJNIKA UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW 1 mm PIEZOREZYSTORY

36 UKŁAD MOSTKOWY REZYSTORÓW R 1 R 3 R 2 R 4 U Z

37 PODŁOŻE SZKLANE Si CIŚNIENIE NIŻSZE Si CIŚNIENIE WYŻSZE

38 Si ZINTEGROWANY CZUJNIK CIŚNIENIA PODŁOŻE SZKLANE STRUKTURA TRANZYSTORA BIPOLARNEGO K E B STRUKTURA CZUJNIKA

39 POJEMNOŚCIOWY CZUJNIK CIŚNIENIA Si PODŁOŻE SZKLANE ELEKTRODY MEMBRANA

40 CZUJNIK POJEMNOŚCIOWY PODŁOŻE SZKLANE MEMBRANA ELEKTRODY Si A A

41

42 Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber absolutnywzględny

43 Różnicowy, medium doprowadzone dwustronnie Względny, medium doprowadzone jednostronnie Piezorezystancyjnye czujniki ciśnień f-my Kleber

44 Nowe możliwości softwerowe. Wyświetlacze typu LCD, sygnały ostrzegawecze kompatybilne ze standardem NAMUR i możliwość nastawienia granic przekroczenia zakresu. Obudowa elektroniki Kompatybilna ze standardem Fieldbus, pozostawia dużo miejsca na przewody Moduł z czujnikiem Spawana metalowa obudowa Płytka z elektroniką Ma obudowaną konstrukcję typu plug-in i ulepszone zamocowanie Przetwornik ciśnienia 3051 Przyłącze procesowe Listwa zaciskowa Zawiera trzy zaciski w zwartej konstrukcji typu plug-in Przyciski do nastawienia zera i zakresu Bardzo prosta obsługa

45 Czujniki wilgotności

46 Psychrometr Assmanna: 1 - termometr suchy, 2 - termometr wilgotny, 3 - tkanina zwilżająca, 4 - kanał przepływu powietrza, 5 - wentylator promieniowy, 6 - urządzenie napędowe wentylatora (sprężyna lub silniczek elektryczny

47 Wilgotnościomierz punktu rosy

48

49 Czujniki punktu rosy

50 Wilgotność

51 Czujniki pojemnościowe Czujniki rezystancyjne grzebień pokryty polimerem higroskopijnym zmniejsza rezystancję wraz ze zwiększeniem wilgotności

52 Wilgotność Czujniki termiczne do pomiaru wilgotności bezwzględnej


Pobierz ppt "Elektronika z technikami pomiarowymi Studia niestacjonarne ZiIP sem VI 2008 Wydział Elektryczny Instytut Metrologii, Elektroniki i Automatyki Prof. Jan."

Podobne prezentacje


Reklamy Google