Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

Pobieranie prezentacji. Proszę czekać

WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 1.

Podobne prezentacje


Prezentacja na temat: "WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 1."— Zapis prezentacji:

1 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 1

2 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 2 Półprzewodnikowe układy w.cz. prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Politechnika Warszawska Instytut Systemów Elektronicznych ul. Nowowiejska 15/19, Warszawa tel: (48-22) fax: (48-22)

3 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 3 Przyrządy półprzewodnikowe stosowane w zakresie w.cz. i mikrofal Wzmacnianie: tranzystory bipolarne – BJT tranzystory bipolarne heterozłączowe – HBT tranzystory unipolarne MESFET MOSFET HEMT diody tunelowe (historia) Mieszanie i detekcja:diody z kontaktem ostrzowym (fale mm) diody Schottkyego (fale mm) tranzystory bipolarne tranzystory polowe

4 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 4 Przyrządy półprzewodnikowe stosowane w zakresie w.cz. i mikrofal cd. Generowanie sygnałów: dioda tunelowa (historia) dioda lawinowa (fale mm) dioda Gunna (fale mm) tranzystory bipolarne tranzystory polowe Kontrolowanie sygnałów (przestrajanie częstotiwości, przełączniki, przesuwniki fazy, tłumiki): dioda waraktorowa dioda Schottkyego dioda PIN tranzystor polowy FET

5 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 5 Przyrządy półprzewodnikowe stosowane w zakresie w.cz. i mikrofal cd. Powielanie częstotliwości: diody waraktorowe tranzystory bipolarne tranzystory polowe (unipolarne)

6 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 6 Odbiornik superheterodynowy Sygnał wielkiej częstotliwości w.cz. (RF) Sygnał pośredniej częstotliwości p.cz. (IF) Sygnał pasma podstawowego (Base Band)

7 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 7 Konwersja wejściowego sygnału w.cz. na sygnał p.cz. w odbiorniku superheterodynowym IF fSfS f LO fIfI f IF Sygnał o częstotliwości lustrzanej Filtr pasmowo- przepustowy Sygnał oscylatora lokalnego Amplituda sygnału Sygnał o częstotliwości pośredniej f Sygnał odbierany w.cz.

8 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 8 Nadajnik mikrofalowy z przemianą częstotiwości Nadawany sygnał w.cz. (RF) Do anteny f p ± f 0 Mieszacz

9 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 9 Realizacja funkcji układowych Wzmacnianie sygnałów Mieszanie sygnałów Generacja sygnałów Modulacja sygnałów Detekcja sygnałów Powielanie częstotliwości sygnałów Regulacja i kontrola sygnałów (tłumienie amplitudy, zmiana przesunięcia fazy, przełączanie sygnałów)

10 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 10 Funkcja przenoszenia układu lub charakterystyka przyrządu: Sygnał na wyjściu: Sygnał wejściowy: Sygnał wyjściowy: Wzmacnianie sygnału Detekcja amplitudy sygnału lub mieszanie sygnałów Funkcje układowe

11 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 11 Sygnał dwutonowy na wejściu: Sygnał na wyjściu: Składnik kwadratowy sygnału: Mieszanie sygnałów !!! Zniekształcenia nieliniowe Wyraz kwadratowy charakterystyki układu Częstotliwości – różnicowa i sumacyjna

12 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 12 Detektory AM Detektory diodowe diody Schottkyego diody z kontaktem ostrzowym diody tunelowe Charakterystyka I(U)

13 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 13 Dioda p-n, dioda Schotkyego – obwód zastępczy dla wcz Nieliniowe elementy

14 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 14 Charakterystyka dynamiczna diodowego detektora AM

15 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 15 PARAMETRY DETEKTORA a) Czułość prądowa detektora: Przyrost składowej stałej zwarciowego prądu wyjściowego detektora Moc sygnału wejściowego w.cz. b) WFS na wejściu detektora c) Rezystancja wyjściowa

16 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 16 Mieszacze sygnałów w.cz. Mieszacze diodowe Mieszacze tranzystorowe Mieszacze pojedyńcze Mieszacze zrównoważone Mieszacze podwójnie zrównoważone Mieszacze jednowstęgowe (z eliminacją sygnału lustrzanego) Mieszacz kwadratowy Mieszacz mnożący Typ przyrządu Typ układu Zasada pracy

17 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 17 Mieszacz pojedyńczy: brak izolacji między wejściem sygnału w.cz. i wejściem heterodyny oraz wyjściem p.cz., na wyjściu obecność wszystkich sygnałów Mieszacz zrównoważony: izolacja między wejściem sygnału w.cz. i wejściem heterodyny, izolacja między wyjściem p.cz. i wejściem sygnału w.cz. lub między wyjściem p.cz. i wejściem heterodyny Mieszacz podwójnie zrównoważony: izolacja między wszystkimi wejściami i wyjściem p.cz. Właściwości mieszaczy

18 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 18 PARAMETRY MIESZACZA: a) Straty mieszania: P SA - dysponowana moc źródła sygnału w.cz., P 0 - moc czynna sygnału wyjściowego o częstotliwości pośredniej b) Współczynnik szumów

19 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 19 P n1 = kT0df to dysponowana moc szumów cieplnych generowanych w impedancji wewnętrznej Z S generatora sygnału znajdującej się w standardowej temperaturze odniesienia T 0 = 290 K, P n2 = G T P n1 + P ni = G T kT 0 df + P ni to całkowita moc szumów na wyjściu składająca się z mocy szumów cieplnych generatora sygnału znajdującego się w standardowej temperaturze odniesienia T 0 wzmocnionych G T razy przez układ oraz z mocy szumów własnych układu P ni generowanych wewnątrz układu. Szumy na wejściu mieszacza są szumami mieszczącymi się w paśmie df, wokół częstotliwości f S sygnału wejściowego mieszacza, natomiast szumy na wyjściu mieszacza są szumami mieszczącymi się w paśmie df ulokowanym wokół częstotliwości pośredniej f o sygnału wyjściowego mieszacza. W definicji współczynnika szumów mieszacza: !!!!

20 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 20 c) WFS na wejściu sygnałowym mieszacza d) WFS na wejściu heterodyny e) Impedancja wyjściowa mieszacza f) Izolacja między wejściem sygnału w. cz. i wejściem heterodyny g) Izolacja między wejściem sygnału w.cz. na wyjściu p.cz. h) Izolacja między wejściem sygnału heterodyny i wejściem sygnału w.cz. i) Izolacja między wejściem sygnału heterodyny i wyjściem p.cz. j) Zakres liniowy charakterystyki dynamicznej mieszacza PARAMETRY MIESZACZA cd.

21 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 21 Diodowy mieszacz pojedynczy (kwadratowy) Sygnał p.cz. (IF)

22 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 22 Tranzystorowy mieszacz pojedyńczy (kwadratowy) Wyjście p.cz. Sygnał wejściowy – suma sygnału w.cz. i sygnału pompy

23 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 23 Obwód zastępczy tranzystora polowego dla w.cz. Elementy nieliniowe

24 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 24 Schemat blokowy diodowego mieszacza zrównoważonego Sygnał p.cz. Sygnał pompy Sygnał w.cz. (przetwarzany)

25 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 25 Schematy mieszaczy zrównoważonych z tranzystorami FET (zrównioważenie dla sygnału w.cz.) f0f0 f0f0 fsfs fpfp fpfp fsfs Dwubramkowe FET 3 dB/180 0 Wyjście p.cz. Układ Gilberta

26 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 26 Schemat blokowy diodowego mieszacza podwójnie zrównoważonego

27 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 27 Schemat blokowy podwójnie zrównoważonego mieszacza z tranzystorami FET Wyjście p.cz. Wejście sygnału w.cz. Wejście sygnału pompy

28 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 28 Schemat blokowy jednostopniowego wzmacniacza tranzystorowego Źródło sygnału Obciążenie

29 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 29 Wzmocnienie i stabilność wzmacniacza Skuteczne wzmocnienie mocy: Współczynnik odbicia na wejściu: Współczynnik odbicia na wyjściu:

30 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 30 W obwodzie wzmacniacza możliwe są oscylacje (niestabilność), gdy albo impedancja wejściowa, albo impedancja wyjściowa, albo obie jednocześnie, posiadają ujemną część rzeczywistą, co w dziedzinie współczynnika odbicia jest równoważne nierównościom |Γ we |> 1 i/lub |Γ we |> 1 a) stabilność bezwarunkowa, gdy warunki |Γ we |< 1 oraz |Γ wy| < 1 są spełnione dla dowolnych, pasywnych impedancji źródła sygnału i impedancji obciążenia (tzn. dla dowolnych Γ s i Γ L, co do modułu mniejszych od jedności); b) stabilność warunkowa, gdy warunki Γ we < 1 oraz Γ wy < 1 mogą być spełnione tylko dla współczynników odbicia Γ s i Γ L (impedancji) źródła sygnału i obciążenia mieszczących się w pewnych zakresach wartości. Przypadek taki nazywany jest także potencjalną niestabilnością.

31 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 31 Warunki stabilności wzmacniacza: i Konieczne i wystarczające warunki bezwarunkowej stabilności wzmacniacza: oraz Δ = S 11 S 22 – S 21 S 12

32 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 32 Tylko gdy tranzystor jest przyrządem bezwarunkowo stabilnym możliwe jest uzyskanie w układzie wzmacniacza maksymalnego skutecznego wzmocnienia mocy G Tmax. Wzmocnienie G Tmax uzyskuje się przy zrealizowaniu na wejściu i na wyjściu tranzystora dopasowania energetycznego (dopasowania na impedancję sprzężoną), które jest równoważne spełnieniu jednocześnie warunków oraz

33 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 33 Wartość maksymalnego skutecznego wzmocnienia mocy: gdzie:

34 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 34 W przypadku wzmacniacza potencjalnie niestabilnego: równania |Γ we | = 1 oraz |Γ wy | = 1 określają okręgi stabilności, które są granicami rozdzielającymi obszary stabilności i niestabilności na płaszczyznach Γ S i Γ L.

35 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 35 Przykłady położenia okręgów stabilności na płaszczyźnie Γ L obciążenia wzmacniacza

36 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 36 Obwody dopasowujące wzmacniacza w postaci linii mikropaskowych Layout metalowych pasów linii mikropaskowych We Wy

37 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 37 Zależność mocy sygnału wyjściowego o częstotliwości podstawowej i o częstotliwości zniekształceń intermodulacyjnych trzeciego rzędu WE IP3 Zakres dynamiczny Punkt przecięcia trzeciego rzędu Minimalny sygnał detekowalny Szumy tła Kompresja 1 dB P WY Zakres dynamiczny bez zniekształceń Sygnał o częstot. podstaw.

38 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 38 Wzmacniacz o minimalnym współczynniku szumów F = F min, gdy Γ s = Γ sopt, a na wyjściu Γ L = Γ * wy

39 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 39 Wzmacniacz zrównoważony

40 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 40 a)wzmocnienie mocy wzmacniacza zrównoważonego jest takie samo jak wzmocnienie wzmacniacza pojedynczego z dokładnością do strat mocy w sprzęgaczach kierunkowych na wejściu i na wyjściu układu, b) wzmacniacz zrównoważony ma współczynnik szumów równy współczynnikowi szumów wzmacniacza pojedynczego z dokładnością do składnika związanego z szumami cieplnymi stratnego sprzęgacza kierunkowego na wejściu, c) maksymalna moc wyjściowa wzmacniacza zrównoważonego jest dwa razy większa (minus moc tracona w sprzęgaczach kierunkowych) od maksymalnej mocy wyjściowej wzmacniacza pojedynczego, d) uszkodzenie jednego ze wzmacniaczy pojedynczych nie oznacza całkowitego uszkodzenia wzmacniacza zrównoważonego; przy uszkodzeniu jednego ze wzmacniaczy pojedynczych wzmocnienie wzmacniacza zrównoważonego maleje o 6 dB, e) zniekształcenia intermodulacyjne we wzmacniaczu zrównoważonym są mniejsze w porównaniu do zniekształceń wnoszonych przez wzmacniacz pojedynczy (przy tym samym poziomie mocy sygnału wejściowego). Wzmacniacz zrównoważony:

41 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 41 Wzmacniacz rozłożony

42 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 42 n - liczba tranzystorów FET, gm - transkonduktancja tranzystorów, Z 0g i Z 0d - impedancje charakterystyczne linii transmisyjnych wzmacniacza, odpowiednio, bramki i drenu oraz θ g i θ d - odpowiednio, przesunięcia fazy wnoszone przez jedno ogniwo linii transmisyjnej bramki i linii transmisyjnej drenu Gdy θ g = θ d W układzie rzeczywistym: straty R we tranzystorów i w liniach transmisyjnych N opt = 4 - 5

43 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 43 Generatory sygnałów w.cz. Analiza liniowa: Warunek amplitudy generacji – start oscylacji Warunek fazy generacji – częstotliwość oscylacji

44 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 44 Generator jako system z dodatnim sprzężeniem zwrotnym Wzmocnienie systemu ze sprzężeniem zwrotnym: Warynek generacji:

45 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 45 Warunek amplitudy: Warunek fazy: Warunki generacji czwórnikowego układu generatora

46 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 46 Obwód generatora z dwójnikowym przyrządem czynnym z ujemną rezystancją Z d + Z L = 0

47 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 47 Warunek generacji – w dziedzinie impedancji: Warunek amplitudy: Warunek fazy: Warunek generacji – w dziedzinie współczynnika odbicia: Warunek amplitudy: Warunek fazy:

48 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 48 Obwód zastępczy generatora z wielowrotowym przyrządem czynnym

49 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 49 M = S d (U, ω) S L (ω) - I Warunek generacji: Macierz M musi być macierzą osobliwą, tzn: det (M) = 0 Re { det (M) } = 0 Im {det (M) } = 0 Warunek amplitudy: Warunek fazy:

50 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 50 Generatory o dużej stałości częstotliwości z rezonatorami kwarcowymi, f < 100 MHz z rezonatorami dielektrycznymi, f> 1 GHz Generatory przestrajane z diodami waraktorowymi (przestrajanie wąskopasmowe) z rezonatorami YIG (przestrajania szerokopasmowe)

51 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 51 Schemat oscylatora tranzystorowego z rezonatorem dielektrycznym

52 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 52 Obwód zastępczy diody waraktorowej Γ = 0,5 – 1,5

53 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 53 Generator Clappa przestrajany diodą waraktorową Waraktor

54 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 54 Dodatnie sprzężene zwrotne stosowane w oscylatorach w.cz.

55 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 55 Kulka YIG jako przestrajany rezonator w.cz. Obwód zastępczy Konstrukcja układu

56 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 56 Uproszczony schemat generatora przestrajanego rezonatorem YIG

57 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 57 Przełączniki sygnałów w.cz. Z diodami PIN Z tranzystorami FET Typy: SPST - 1WE1WY SPDT – 1WE2WY SPMT - 1WEkWY

58 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 58 a) Straty wnoszone – w stanie włączenia i w stanie wyłączenia b) Dopasowanie na wejściu c) Dopasowanie na wyjściu d) Częstotliwościowy zakres pracy Parametry przełączników

59 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 59 Obwód zastępczy diody PIN a) stan rozwarcia b) stan zwarcia

60 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 60 Tranzystor FET jako element przełączający Stan zwarcia Stan rozwarcia

61 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 61 Uproszczony obwód zastępczy przełącznika sygnału w.cz. 1WE1WY (SPST) Przełącznik szeregowy Przełącznik równoległy

62 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 62 Uproszczony obwód zastępczy przełącznika sygnału w.cz. 1WE2WY (SPDT) Szeregowe włączenie elementów kontrolujących Równoległe włączenie elementów kontrolujących λ

63 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 63 Przesuwniki fazy Przesuwniki fazy analogowe Przesuwniki fazy cyfrowe 1-no bitowy (dwustanowy 0 0, ) 2-wu bitowy (czterostanowy 0 0, 90 0, 180 0, ) 3-ro bitowy (ośmiostanowy 0 0, 45 0, 90 0, 135 0, 180 0, 225 0, 270 0, ) 4-ro bitowy 5-cio bitowy 6-cio bitowy Dopasowanie na wejściu i na wyjściu Częstotliwościowe pasmo pracy

64 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 64 Przesuwniki fazy, wersje układowe: 1)z przełączanymi liniami transmisyjnymi 2) z linią transmisyjną obciążoną 3) odbiciowe 4) z przełączanymi filtrami 5) typu wzmacniacz

65 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 65 Jednobitowy przesuwnik fazy z przełączanymi liniami Przesunięcie fazy: Opóźnienie czasowe:

66 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 66 Czterobitowy przesuwnik fazy z przełączanymi liniami

67 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 67 Przesuwnik fazy z linią transmisyjną obciążoną Z jednym elementem reaktancyjnym Z dwoma elementami reaktancyjnymi Współczynnik odbicia: Współczynnik transmisji: Przesunięcie fazy: b = B/Y 0 unormowanej susceptancji

68 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 68 Odbiciowy przesuwnik fazy

69 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 69 Odbiciowe przesuwniki fazy Z cyrkulatorem Z rozgałęzieniem hybrydowym

70 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 70 Przesuwnik fazy z przełączanymi filtrami

71 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 71 Regulowane tłumiki sygnałów w.cz. Typ T Typ π

72 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 72 Tłumik typu T: Tłumik typu π: k = U 2 /U 1 Wartości rezystancji

73 WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 73 MMUS- mikrofalowy monolityczny układ scalony 1,5 mm 1 mm


Pobierz ppt "WYKŁAD TWCZ Prof. dr hab. Janusz A. Dobrowolski Instytut Systemów Elektronicznych, Politechnika Warszawska 1."

Podobne prezentacje


Reklamy Google